Siliziumkarbid-Keramiktablett – Haltbar, héich performant Tablette fir thermesch a chemesch Uwendungen

Kuerz Beschreiwung:

Schéckt eis eng E-Mail

Fonctiounen

Detailéiert Diagramm

Produktvirstellung

Siliziumkarbid (SiC) Keramikschachte si performant Komponenten, déi wäit verbreet an industriellen Ëmfeld mat héijen Temperaturen, héijer Belaaschtung a chemesch haarde Konditioune benotzt ginn. Dës Schachte si aus fortgeschrattene Siliziumkarbid-Keramikmaterialien hiergestallt a si sou konzipéiert, datt se aussergewéinlech mechanesch Stäerkt, eng iwwerleeën Wärmeleitfäegkeet an eng exzellent Widderstandsfäegkeet géint Wärmeschock, Oxidatioun a Korrosioun bidden. Hir robust Natur mécht se héich gëeegent fir verschidden industriell Uwendungen, dorënner Hallefleederproduktioun, photovoltaesch Veraarbechtung, Sinterung vu Pulvermetallurgiedeeler a méi.

Siliziumkarbid-Schachte déngen als wesentlech Träger oder Ënnerstëtzer während thermesche Behandlungsprozesser, wou Dimensiounsgenauegkeet, strukturell Integritéit a chemesch Resistenz entscheedend sinn. Am Verglach mat traditionelle Keramikmaterialien wéi Aluminiumoxid oder Mullit bidden SiC-Schachte wesentlech méi héich Leeschtung, besonnesch a Konditioune mat widderholltem thermesche Zyklen an aggressiven Atmosphären.

Fabrikatiounsprozess & Materialzesummesetzung

D'Produktioun vu SiC-Keramiktabletten ëmfaasst Präzisiounsingenieurwesen a fortgeschratt Sintertechnologien, fir eng héich Dicht, eng eenheetlech Mikrostruktur a konsequent Leeschtung ze garantéieren. Déi allgemeng Schrëtt enthalen:

Auswiel vu Réistoffer
Héichreine Siliziumcarbidpulver (≥99%) gëtt ausgewielt, dacks mat spezifescher Partikelgréisstkontroll a minimale Ongereinheeten, fir héich mechanesch an thermesch Eegeschaften ze garantéieren.
Formmethoden
Jee no den Spezifikatioune vum Schacht ginn ënnerschiddlech Formtechniken benotzt:
- Kalt isostatescht Pressen (CIP) fir héichdichteg, eenheetlech Kompakter
- Extrusioun oder Schleifgoss fir komplex Formen
- Sprëtzguss fir präzis, detailléiert Geometrien
Sintertechniken
De grénge Kierper gëtt bei ultra-héijen Temperaturen, typescherweis am Beräich vun 2000°C, ënner inerter oder Vakuumatmosphär gesintert. Zu de gängleche Sintermethoden gehéieren:
- Reaktiounsgebonnen SiC (RB-SiC)
- Drocklos gesintert SiC (SSiC)
- Rekristalliséiert SiC (RBSiC)
  All Method resultéiert a liicht ënnerschiddleche Materialeegeschafte wéi Porositéit, Stäerkt a Wärmeleitfäegkeet.
Präzisiounsbearbechtung
Nom Sinteren ginn d'Schachte veraarbecht fir eng enk Dimensiounstoleranzen, eng glat Uewerflächenabschluss an eng Flaachheet z'erreechen. Uewerflächenbehandlungen wéi Läppen, Schleifen a Poléieren kënnen no de Bedierfnesser vum Client ugewannt ginn.

Typesch Uwendungen

Siliziumkarbid-Keramiktabletten ginn an enger breeder Palette vun Industrien agesat wéinst hirer Villfältegkeet a Widderstandsfäegkeet. Heefeg Uwendungen enthalen:

Hallefleiterindustrie
SiC-Schachte gi beim Waferglühen, Diffusioun, Oxidatioun, Epitaxie an Implantatiounsprozesser als Träger benotzt. Hir Stabilitéit garantéiert eng eenheetlech Temperaturverdeelung a minimal Kontaminatioun.
Photovoltaik (PV) Industrie
Bei der Produktioun vu Solarzellen ënnerstëtzen SiC-Schachte Siliziumbarren oder -waferen während den Diffusiouns- a Sinterschritte bei héijen Temperaturen.
Pulvermetallurgie a Keramik
Benotzt fir d'Ënnerstëtzung vu Komponenten beim Sinteren vu Metallpulver, Keramik a Kompositmaterialien.
Glas- a Displaypanneauen
Benotzt als Uewentabletten oder Plattforme fir d'Produktioun vu spezielle Brëller, LCD-Substrater oder aner optesch Komponenten.
Chemesch Veraarbechtung an Thermouewen
Déngen als korrosiounsbeständeg Träger a chemesche Reaktoren oder als thermesch Ënnerstëtzungstabletten a Vakuum- an Atmosphäruewen.

Schlëssel Leeschtungsfeatures

✅Aussergewéinlech thermesch Stabilitéit
Hält enger kontinuéierlecher Benotzung bei Temperaturen bis zu 1600–2000°C stand, ouni sech ze verformen oder ze degradéieren.
✅Héich mechanesch Stäerkt
Bitt eng héich Biegefestigkeit (typesch >350 MPa), wat eng laangfristeg Haltbarkeet och ënner héijen Belaaschtungsbedingungen garantéiert.
✅Widderstand géint Thermeschocken
Excellent Leeschtung an Ëmfeld mat schnelle Temperaturschwankungen, miniméiert de Risiko vu Rëssbildung.
✅Korrosiouns- an Oxidatiounsbeständegkeet
Chemesch stabil a de meeschte Säuren, Alkalien an oxidéierenden/reduzéierenden Gasen, gëeegent fir haart chemesch Prozesser.
✅Dimensiounsgenauegkeet a Flaachheet
Mat héijer Präzisioun veraarbecht, fir eng eenheetlech Veraarbechtung a Kompatibilitéit mat automatiséierte Systemer ze garantéieren.
✅Laang Liewensdauer & Käschteeffizienz
Méi niddreg Ersatzraten a reduzéiert Ënnerhaltskäschte maachen et zu enger käschtegënschteger Léisung mat der Zäit.

Technesch Spezifikatiounen

Parameter	Typesche Wäert
Material	Reaktiounsgebonnen SiC / Sintered SiC
Maximal Betribstemperatur	1600–2000°C
Biegfestigkeit	≥350 MPa
Dicht	≥3,0 g/cm³
Wärmeleitfäegkeet	~120–180 W/m·K
Uewerflächenflaachheet	≤ 0,1 mm
Déckt	5–20 mm (personaliséierbar)
Dimensiounen	Standard: 200×200 mm, 300×300 mm, etc.
Uewerflächenfinish	Maschinnbearbecht, poléiert (op Ufro)

Dacks gestallte Froen (FAQ)

Q1: Kënne Siliziumkarbid-Schachte a Vakuumuewen benotzt ginn?
A:Jo, SiC-Schachte si ideal fir Vakuumëmfeld wéinst hirer gerénger Ausgasung, chemescher Stabilitéit an Héichtemperaturresistenz.

Q2: Gëtt et personaliséiert Formen oder Schlitzer?
A:Absolut. Mir bidden personaliséiert Servicer wéi Gréisst, Form, Uewerflächenmerkmale (z.B. Nuten, Lächer) a Poléierung vun den eenzelne Clientenufuerderungen.

Q3: Wéi vergläicht sech SiC mat Aluminiumoxid- oder Quarz-Schachten?
A:SiC huet eng méi héich Stäerkt, eng besser Wärmeleitfäegkeet an eng besser Resistenz géint Wärmeschock a chemesch Korrosioun. Wärend Aluminiumoxid méi käschtegënschteg ass, leeschtet SiC besser a schwieregen Ëmfeld.

Q4: Gëtt et eng Standarddicke fir dës Schachtel?
A:D'Déckt läit typescherweis am Beräich vun 5–20 mm, awer mir kënnen se jee no Ärer Uwendung an den Ufuerderunge vun der Belaaschtung upassen.

Q5: Wat ass déi typesch Liwwerzäit fir personaliséiert SiC-Schachten?
A:D'Liwwerzäiten variéieren jee no Komplexitéit a Quantitéit, awer leien am Allgemengen tëscht 2 a 4 Wochen fir personaliséiert Bestellungen.

Iwwer eis

XKH spezialiséiert sech op High-Tech-Entwécklung, Produktioun a Verkaf vu speziellem optesche Glas a neie Kristallmaterialien. Eis Produkter si fir optesch Elektronik, Konsumentelektronik a fir d'Militär geduecht. Mir bidden optesch Komponenten fir Saphir, Lënsenofdeckungen fir Handyen, Keramik, LT, Siliziumcarbid SIC, Quarz a Hallefleederkristallwaferen. Mat qualifizéierter Expertise a moderner Ausrüstung exceléiere mir an der Veraarbechtung vu Produkter ouni Standard, mat dem Zil, e féierend High-Tech-Entreprise fir optoelektronesch Materialien ze sinn.