Siliziumkarbid-Kantilever-Paddel (SiC-Kantilever-Paddel)

Kuerz Beschreiwung:

De Siliziumcarbid-Cantilever-Paddle, deen aus héichperformante reaktiounsgebonnenem Siliziumcarbid (RBSiC) hiergestallt gëtt, ass eng kritesch Komponent, déi a Wafer-Luede- a -Handhabungssystemer fir Hallefleit- a Photovoltaikanwendungen benotzt gëtt.


Fonctiounen

Detailéiert Diagramm

4_副本
2_副本

Produkt Iwwersiicht

De Siliziumcarbid-Cantilever-Paddle, deen aus héichperformante reaktiounsgebonnenem Siliziumcarbid (RBSiC) hiergestallt gëtt, ass eng kritesch Komponent, déi a Wafer-Luede- a -Handhabungssystemer fir Hallefleit- a Photovoltaikanwendungen benotzt gëtt.
Am Verglach mat traditionelle Quarz- oder Graphitpaddelen bidden SiC-Cantileverpaddelen eng iwwerleeën mechanesch Stäerkt, héich Häert, niddreg thermesch Expansioun an aussergewéinlech Korrosiounsbeständegkeet. Si behalen eng exzellent strukturell Stabilitéit bei héijen Temperaturen a erfëllen déi streng Ufuerderunge vu grousse Wafergréissten, verlängerter Liewensdauer an ultra-niddreger Kontaminatioun.

Mat der kontinuéierlecher Entwécklung vun Hallefleiterprozesser a Richtung méi groussen Waferduerchmiesser, engem méi héijen Duerchgank a méi proppere Veraarbechtungsëmfeld hunn SiC-Cantilever-Paddles lues a lues konventionell Materialien ersat a sinn déi bevorzugt Wiel fir Diffusiounsuewen, LPCVD a verwandte Héichtemperaturausrüstung ginn.

Produktmerkmale

  • Excellent Héichtemperaturstabilitéit

    • Funktionéiert zouverlässeg bei 1000–1300 ℃ ouni Deformatioun.

    • Maximal Betribstemperatur bis zu 1380 ℃.

  • Héich Tragkapazitéit

    • Biegefestigkeit bis zu 250–280 MPa, vill méi héich wéi bei Quarzpaddelen.

    • Fäeg fir Wafere mat groussen Duerchmiesser (300 mm a méi) ze veraarbechten.

  • Verlängert Liewensdauer & wéineg Ënnerhalt

    • Niddregsten thermeschen Ausdehnungskoeffizient (4,5 × 10⁻⁶ K⁻¹), gutt kompatibel mat LPCVD-Beschichtungsmaterialien.

    • Reduzéiert duerch Stress verursaachte Rëss a Schälen, wouduerch d'Botz- a Wartungszyklen däitlech verlängert ginn.

  • Korrosiounsbeständegkeet a Rengheet

    • Excellent Resistenz géint Säuren an Alkalien.

    • Dicht Mikrostruktur mat oppener Porositéit <0,1%, miniméiert d'Partikelbildung an d'Verëffentlechung vun Ongereinheeten.

  • Automatiséierungskompatibelt Design

    • Stabil Querschnittsgeometrie mat héijer Dimensiounsgenauegkeet.

    • Integréiert sech nahtlos mat roboterge Wafer-Luede- an Entluedesystemer, wat eng voll automatiséiert Produktioun erméiglecht.

Physikalesch & Chemesch Eegeschaften

Artikel Eenheet Donnéeën
Maximal Betribstemperatur 1380
Dicht g/cm³ 3,04 – 3,08
Oppe Porositéit % < 0,1
Biegekraaft MPa 250 (20℃), 280 (1200℃)
Modul vun der Elastizitéit GPa 330 (20℃), 300 (1200℃)
Wärmeleitfäegkeet W/m·K 45 (1200℃)
Thermeschen Ausdehnungskoeffizient K⁻¹×10⁻⁶ 4.5
Vickers-Härkeet HV2 ≥ 2100
Säure-/Alkali-Resistenz - Excellent

 

  • Standardlängten:2378 mm, 2550 mm, 2660 mm

  • Benotzerdefinéiert Dimensiounen op Ufro verfügbar

Uwendungen

  • Hallefleiterindustrie

    • LPCVD (Nidderdrockchemesch Dampoflagerung)

    • Diffusiounsprozesser (Phosphor, Bor, asw.)

    • Thermesch Oxidatioun

  • Photovoltaikindustrie

    • Diffusioun a Beschichtung vu Polysilizium- a monokristalline Waferen

    • Héichtemperaturglühen a Passivéierung

  • Aner Felder

    • Héichtemperatur korrosiv Ëmfeld

    • Präzisiounswafer-Handhabungssystemer, déi eng laang Liewensdauer a geréng Kontaminatioun erfuerderen

Virdeeler vum Client

  1. Reduzéiert Betribskäschten– Méi laang Liewensdauer am Verglach mat Quarzpaddelen, wat d'Ausfallzäit an d'Ersatzfrequenz miniméiert.

  2. Méi héich Rendement– Extrem niddreg Kontaminatioun garantéiert d'Reinheet vun der Waferuewerfläch a reduzéiert d'Defektraten.

  3. Zukunftssécher– Kompatibel mat grousse Wafergréissten a Hallefleiterprozesser vun der nächster Generatioun.

  4. Verbessert Produktivitéit– Voll kompatibel mat roboterbaséierten Automatiséierungssystemer, déi d'Produktioun vu grousse Volumen ënnerstëtzen.

FAQ – Siliziumkarbid-Kantileverpaddel

Q1: Wat ass e Siliziumkarbid-Cantilever-Paddel?
A: Et ass eng Wafer-Ënnerstëtzungs- a Veraarbechtungskomponent aus reaktiounsgebonnenem Siliziumcarbid (RBSiC). Si gëtt wäit verbreet an Diffusiounsuewen, LPCVD an aner Héichtemperatur-Halbleiter- a Photovoltaikprozesser benotzt.


Q2: Firwat soll ech SiC amplaz vu Quarzpaddelen wielen?
A: Am Verglach mat Quarzpaddelen bidden SiC-Paddelen:

  • Méi héich mechanesch Stäerkt a Belaaschtungskapazitéit

  • Besser thermesch Stabilitéit bei Temperaturen bis zu 1380 ℃

  • Vill méi laang Liewensdauer a reduzéiert Ënnerhaltszyklen

  • Manner Partikelbildung a Kontaminatiounsrisiko

  • Kompatibilitéit mat gréissere Wafergréissten (300 mm a méi)


Q3: Wéi eng Wafergréissten kann de SiC Cantilever Paddel ënnerstëtzen?
A: Standard-Scheiwen sinn fir Uewensystemer vun 2378 mm, 2550 mm an 2660 mm verfügbar. Personnaliséiert Dimensioune si verfügbar fir Waferen bis zu 300 mm an doriwwer eraus z'ënnerstëtzen.

Iwwer eis

XKH spezialiséiert sech op High-Tech-Entwécklung, Produktioun a Verkaf vu speziellem optesche Glas a neie Kristallmaterialien. Eis Produkter si fir optesch Elektronik, Konsumentelektronik a fir d'Militär geduecht. Mir bidden optesch Komponenten fir Saphir, Lënsenofdeckungen fir Handyen, Keramik, LT, Siliziumcarbid SIC, Quarz a Hallefleederkristallwaferen. Mat qualifizéierter Expertise a moderner Ausrüstung exceléiere mir an der Veraarbechtung vu Produkter ouni Standard, mat dem Zil, e féierend High-Tech-Entreprise fir optoelektronesch Materialien ze sinn.

456789

  • Virdrun:
  • Weider:

  • Schreift Är Noriicht hei a schéckt se eis