SiC
-
N-Typ SiC Kompositsubstrater Dia6 Zoll Héichqualitativt monokristallint a Substrat vun niddereger Qualitéit
-
Hallefisoléierend SiC-Kompositsubstrater Diameter 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll HPSI
-
N-Typ SiC op Si Kompositsubstrater Duerchmiesser 6 Zoll
-
SiC-Substrat Dia200mm 4H-N an HPSI Siliziumkarbid
-
3 Zoll SiC-Substrat Produktiounsdiameter 76,2 mm 4H-N
-
SiC-Substrat P- an D-Klass Duerchmiesser 50 mm 4H-N 2 Zoll
-
SiC-Barren 4H-N Typ Dummy-Qualitéit 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Déckt: >10 mm
-
200mm SiC Substrat Dummy Grad 4H-N 8 Zoll SiC Wafer
-
4H-N Dia205mm SiC Som aus China P an D Qualitéit Monokristallin
-
6 Zoll SiC Epitaxie Wafer N/P Typ akzeptéiert personaliséiert
-
Dia150mm 4H-N 6 Zoll SiC Substrat Produktioun an Dummy Grad
-
4 Zoll SiC Epi-Wafer fir MOS oder SBD