SiC
-
SiC-Barren 4H-Typ Duerchmiesser 4 Zoll 6 Zoll Déckt 5-10 mm Fuerschungs- / Dummy-Qualitéit
-
Sic-Substrat Siliziumkarbidwafer 4H-N Typ Héichhärte Korrosiounsbeständegkeet Prime Grade Polieren
-
2 Zoll Siliziumkarbidwafer 6H-N Typ Prime Grade Fuerschungsgrad Dummy Grade 330μm 430μm Déckt
-
2 Zoll Siliziumkarbidsubstrat 6H-N duebelsäiteg poléiert Duerchmiesser 50,8 mm Produktiounsqualitéit Fuerschungsqualitéit
-
N-Typ SiC Kompositsubstrater Dia6 Zoll Héichqualitativt monokristallint a Substrat vun niddereger Qualitéit
-
Hallefisoléierend SiC-Kompositsubstrater Diameter 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll HPSI
-
N-Typ SiC op Si Kompositsubstrater Duerchmiesser 6 Zoll
-
SiC-Substrat Dia200mm 4H-N an HPSI Siliziumkarbid
-
3 Zoll SiC-Substrat Produktiounsdiameter 76,2 mm 4H-N
-
SiC-Substrat P- an D-Klass Duerchmiesser 50 mm 4H-N 2 Zoll
-
SiC-Barren 4H-N Typ Dummy-Qualitéit 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Déckt: >10 mm
-
200mm SiC Substrat Dummy Grad 4H-N 8 Zoll SiC Wafer