SiC
-
3 Zoll SiC-Substrat Produktiounsdiameter 76,2 mm 4H-N
-
SiC-Substrat P- an D-Klass Duerchmiesser 50 mm 4H-N 2 Zoll
-
SiC-Barren 4H-N Typ Dummy-Qualitéit 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Déckt: >10 mm
-
200mm SiC Substrat Dummy Grad 4H-N 8 Zoll SiC Wafer
-
4H-N Dia205mm SiC Som aus China P an D Qualitéit Monokristallin
-
6 Zoll SiC Epitaxie Wafer N/P Typ akzeptéiert personaliséiert
-
Dia150mm 4H-N 6 Zoll SiC Substrat Produktioun an Dummy Grad
-
4 Zoll SiC Epi-Wafer fir MOS oder SBD
-
2 Zoll SiC-Barren Duerchmiesser 50,8 mm x 10 mm 4H-N Monokristall
-
4 Zoll SiC Wafers 6H Hallefisoléierend SiC Substrater Prime-, Fuerschungs- a Dummy-Qualitéit
-
6 Zoll HPSI SiC Substratwafer Siliziumkarbid Semi-insuléierend SiC Waferen
-
4 Zoll Hallefinsuléierend SiC-Waferen HPSI SiC-Substrat Prime Production Grade