SiC
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4 Zoll Semi-beleidegt SiC wafers HPSI SiC Substrat Prime Production Grad
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3 Zoll 76,2 mm 4H-Semi SiC Substrat Wafer Silicon Carbide Semi-insultant SiC Wafers
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3 Zoll Dia76.2mm SiC Substrater HPSI Prime Fuerschung an Dummy Grad
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4H-semi HPSI 2inch SiC Substrat wafer Production Dummy Research Grad
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2 Zoll SiC Wafers 6H oder 4H Semi-isoléierend SiC Substraten Dia50.8mm
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4H-N 8 Zoll SiC Substrat Wafer Silicon Carbide Dummy Research Grade 500um Dicke
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8 Zoll 200 mm Silicon Carbide SiC Wafers 4H-N Typ Produktiounsgrad 500um Dicke
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2 Zoll Silicon Carbide Wafers 6H oder 4H N-Typ oder Semi-isoléierend SiC Substraten
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4H-N 4 Zoll SiC Substrat wafer Silicon Carbide Production Dummy Research grade
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6 Zoll 150 mm Silicon Carbide SiC Wafers 4H-N Typ fir MOS oder SBD Produktiounsfuerschung an Dummy Grad
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8 Zoll 200 mm 4H-N SiC Wafer Conductive Dummy Fuerschung Grad
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2 Zoll Silicon Carbide Wafers 6H oder 4H N-Typ oder Semi-isoléierend SiC Substraten