Sic-Substrat Siliziumkarbidwafer 4H-N Typ Héichhärte Korrosiounsbeständegkeet Prime Grade Polieren

Kuerz Beschreiwung:

Siliziumkarbid-Wafers sinn en héichperformant Material, dat bei der Produktioun vun elektroneschen Apparater benotzt gëtt. Si gi vun enger Siliziumkarbidschicht an enger Siliziumkristallkuppel hiergestallt a si sinn a verschiddene Qualitéiten, Typen an Uewerflächenofschlëss verfügbar. Wafer hunn eng Flaachheet vu Lambda/10, wat déi héchst Qualitéit a Leeschtung fir elektronesch Apparater aus Wafer garantéiert. Siliziumkarbid-Wafers si ideal fir den Asaz an der Leeschtungselektronik, LED-Technologie a fortgeschrattene Sensoren. Mir liwweren héichqualitativ Siliziumkarbid-Wafers (sic) fir d'Elektronik- a Photonikindustrie.

Schéckt eis eng E-Mail

Produktdetailer

Produkt Tags

Folgend sinn d'Charakteristike vu Siliziumkarbidwafer

1. Méi héich thermesch Konduktivitéit: D'thermesch Konduktivitéit vu SIC-Waferen ass vill méi héich wéi déi vu Silizium, dat heescht, datt SIC-Waferen d'Hëtzt effektiv ofleede kënnen a fir de Betrib an héijen Temperaturen gëeegent sinn.
2. Méi héich Elektronemobilitéit: SIC-Waferen hunn eng méi héich Elektronemobilitéit wéi Silizium, wat et SIC-Apparater mat méi héije Geschwindegkeete funktionéiere kann.
3. Méi héich Duerchbrochspannung: SIC-Wafermaterial huet eng méi héich Duerchbrochspannung, wat et gëeegent mécht fir d'Produktioun vun Héichspannungs-Halbleiterkomponenten.
4. Méi héich chemesch Stabilitéit: SIC-Waferen hunn eng méi staark chemesch Korrosiounsbeständegkeet, wat hëlleft d'Zouverlässegkeet an d'Haltbarkeet vum Apparat ze verbesseren.
5. Méi grouss Bandlück: SIC-Waferen hunn eng méi grouss Bandlück wéi Silizium, wat SIC-Apparater besser a méi stabil bei héijen Temperaturen mécht.

Siliziumkarbid-Wafer huet verschidde Uwendungen

1. Mechanescht Beräich: Schneidinstrumenter a Schleifmaterialien; Verschleißbeständeg Deeler a Büschungen; Industriell Ventiler an Dichtungen; Lager a Kugelen
2. Elektronescht Kraaftfeld: Kraafthallefleederkomponenten; Héichfrequenz-Mikrowellenelement; Héichspannungs- an Héichtemperatur-Leeschtungselektronik; Material fir d'Thermomanagement
3. Chemesch Industrie: chemesche Reaktor an Ausrüstung; Korrosiounsbeständeg Päifen a Späichertanken; Chemesch Katalysatorënnerstëtzung
4. Energiesektor: Gasturbinen- a Turboladerkomponenten; Komponenten vum Kär a vun der Struktur vun der Atomkraaftwierker, déi fir Héichtemperatur-Brennstoffzellen benotzt ginn
5. Loft- a Raumfaart: thermesch Schutzsystemer fir Rakéiten a Raumfaartgefierer; Turbinneblieder vun Düsenmotoren; Fortgeschratt Kompositmaterial
6. Aner Beräicher: Héichtemperatursensoren an Thermosäiler; Formen a Geschir fir de Sinterprozess; Schleif-, Polier- a Schneidberäicher
ZMKJ kann héichqualitativ Eenkristall-SiC-Wafer (Siliziumkarbid) fir d'Elektronik- an d'Optoelektronikindustrie liwweren. De SiC-Wafer ass en Hallefleitermaterial vun der nächster Generatioun, mat eenzegaartegen elektreschen an exzellenten thermeschen Eegeschaften. Am Verglach mat Siliziumwafer a GaAs-Wafer ass de SiC-Wafer besser geegent fir Uwendungen bei héijen Temperaturen an héijer Leeschtung. De SiC-Wafer kann an engem Duerchmiesser vun 2-6 Zoll geliwwert ginn, souwuel 4H wéi och 6H SiC, N-Typ, mat Stéckstoff dotiert, wéi och als halbisoléierend Typ. Kontaktéiert eis w.e.g. fir méi Produktinformatiounen.
Eis Fabréck huet fortgeschratt Produktiounsausrüstung an en technescht Team, déi verschidde Spezifikatiounen, Dicken a Forme vu SiC-Wafer no de spezifesche Bedierfnesser vun de Clienten upassen kënnen.