Sic Substrat Silicon Carbide Wafer 4H-N Type High Hardness Corrosion Resistance Prime Grade Polishing

Kuerz Beschreiwung:

Siliciumcarbid Wafers sinn e High-Performance Material dat an der Produktioun vun elektroneschen Apparater benotzt gëtt. Et ass aus enger Siliziumkarbidschicht an enger Siliziumkristallkuppel gemaach an ass a verschiddene Graden, Typen a Surface Finishen verfügbar. Wafers hunn eng Flaachheet vu Lambda / 10, wat déi héchst Qualitéit a Leeschtung fir elektronesch Geräter aus Wafer garantéiert. Silicon Carbide Wafers sinn ideal fir d'Benotzung an Kraaftelektronik, LED Technologie a fortgeschratt Sensoren. Mir liwweren qualitativ héichwäerteg Siliziumkarbidwafers (sic) fir d'Elektronik- a Photonikindustrie.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Déi folgend sinn d'Charakteristike vu Siliziumkarbidwafer

1. Méi héich thermesch Konduktivitéit: D'Wärmekonduktivitéit vu SIC Wafers ass vill méi héich wéi dee vu Silizium, dat heescht datt SIC Wafers effektiv d'Hëtzt ausléise kënnen a si passend fir Operatioun an héich Temperaturen Ëmfeld.
2. Méi héich Elektronemobilitéit: SIC Wafere hunn méi héich Elektronenmobilitéit wéi Silizium, wat SIC-Geräter erlaabt mat méi héijer Geschwindegkeet ze bedreiwen.
3. Méi héich Decompte Spannung: SIC wafer Material huet eng méi héich Decompte Volt, mécht et gëeegent fir d'Fabrikatioun vun héich-Volt Halbleiter Apparater.
4. Méi héich chemesch Stabilitéit: SIC Wafers hunn méi staark chemesch Korrosiounsbeständegkeet, wat hëlleft fir d'Zouverlässegkeet an d'Haltbarkeet vum Apparat ze verbesseren.
5. Breet Band Spalt: SIC wafers hunn eng méi breet Band Spalt wéi Silicon, mécht SIC Apparater besser a méi stabil bei héijen Temperaturen.

Silicon Carbide Wafer huet verschidde Uwendungen

1.Mechanesch Feld: Schneidinstrumenter a Schleifmaterialien; Verschleißbeständeg Deeler a Bëscher; industriell Ventile a Seals; Lager a Bäll
2.Elektronescht Kraaftfeld: Kraaft Halbleitergeräter; Héichfrequenz Mikrowellenelement; Héichspannung an Héichtemperatur Kraaftelektronik; Wärmemanagement Material
3.Chemesch Industrie: chemesche Reakter an Ausrüstung; Korrosiounsbeständeg Päifen a Späicherbehälter; Chemeschen Katalysator Ënnerstëtzung
4.Energie Secteur: Gasturbine an Turbocharger Komponenten; Atomkraaftkär a strukturell Komponenten Héichtemperatur Brennstoffzellkomponenten
5.Aerospace: thermesch Schutzsystemer fir Rakéiten a Raumfaart; Jet-Moteur Turbinblades; Fortgeschratt Komposit
6.Aner Beräicher: Héichtemperatursensoren an Thermopilen; Stierwen an Tools fir Sinterprozess; Schleifen a poléieren a schneiden Felder
ZMKJ kann qualitativ héichwäerteg Single-Crystal SiC Wafer (Silicon Carbide) fir elektronesch an optoelektronesch Industrie ubidden. SiC Wafer ass eng nächst Generatioun Halbleitermaterial, mat eenzegaartegen elektreschen Eegeschaften an exzellenten thermeschen Eegeschaften, am Verglach zum Siliziumwafer a GaAs Wafer, SiC Wafer ass méi gëeegent fir héich Temperaturen an Héichkraaftapparat Uwendung. SiC Wafer kann am Duerchmiesser 2-6 Zoll geliwwert ginn, souwuel 4H wéi 6H SiC, N-Typ, Stickstoff dotéiert, an semi-isoléierend Typ verfügbar. Kontaktéiert eis w.e.g. fir méi Produktinformatioun.
Eis Fabréck huet fortgeschratt Produktiounsausrüstung an technesch Team, déi verschidde Spezifikatioune, Dicken a Forme vu SiC Wafer no Cliente spezifesch Ufuerderunge personaliséiere kënnen.