SiC-Substrat P-Typ 4H/6H-P 3C-N 4 Zoll mat enger Déckt vun 350µm Produktiounsqualitéit Dummy-Qualitéit
4 Zoll SiC-Substrat P-Typ 4H/6H-P 3C-N Parametertabell
4 Zoll Duerchmiesser SiliziumKarbid (SiC) Substrat Spezifikatioun
| Grad | Null MPD Produktioun Klass (Z Grad) | Standardproduktioun Grad (P Grad) | Dummy-Klass (D Grad) | ||
| Duerchmiesser | 99,5 mm~100,0 mm | ||||
| Déckt | 350 μm ± 25 μm | ||||
| Wafer Orientéierung | Off-axis: 2,0°-4,0° Richtung [11]20] ± 0,5° fir 4H/6H-P, On-Achs: 〈111〉± 0,5° fir 3C-N | ||||
| Mikropäifdicht | 0 cm-2 | ||||
| Widderstandsfäegkeet | p-Typ 4H/6H-P | ≤0,1 Ωꞏcm | ≤0,3 Ωꞏcm | ||
| n-Typ 3C-N | ≤0,8 mΩꞏcm | ≤1 m Ωꞏcm | |||
| Primär flaach Orientéierung | 4H/6H-P | - {1010} ± 5,0° | |||
| 3C-N | - {110} ± 5,0° | ||||
| Primär flaach Längt | 32,5 mm ± 2,0 mm | ||||
| Sekundär flaach Längt | 18,0 mm ± 2,0 mm | ||||
| Sekundär flaach Orientéierung | Silikon-Uewerfläch no uewen: 90° mat der rietser Säit vun der Prime-Flaach±5,0° | ||||
| Randausgrenzung | 3 mm | 6 mm | |||
| LTV/TTV/Béi/Verzerrung | ≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | |||
| Rauheet | Polnesch Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0,2 nm | Ra≤0,5 nm | ||||
| Kantrëss duerch héichintensivt Liicht | Keen | Kumulativ Längt ≤ 10 mm, eenzel Längt ≤ 2 mm | |||
| Sechseckplacken duerch héichintensivt Liicht | Kumulativ Fläch ≤0,05% | Kumulativ Fläch ≤0,1% | |||
| Polytypberäicher duerch héichintensivt Liicht | Keen | Kumulativ Fläch ≤3% | |||
| Visuell Kuelestoffinklusiounen | Kumulativ Fläch ≤0,05% | Kumulativ Fläch ≤3% | |||
| Siliziumoberfläche kraazt duerch héichintensivt Liicht | Keen | Kumulativ Längt ≤1 × Waferduerchmiesser | |||
| Kantchips mat héijer Intensitéit vum Liicht | Keen erlaabt ≥0,2 mm Breet an Déift | 5 erlaabt, ≤1 mm all | |||
| Siliziumoberflächenkontaminatioun duerch héich Intensitéit | Keen | ||||
| Verpackung | Multi-Wafer-Kassett oder Eenzelwafer-Behälter | ||||
Notizen:
※D'Defektlimitte gëllen fir déi ganz Waferuewerfläch, ausser fir de Randausschlussberäich. # D'Kratzer solle just op der Si-Uewerfläch iwwerpréift ginn.
De P-Typ 4H/6H-P 3C-N 4-Zoll SiC-Substrat mat enger Déckt vun 350 μm gëtt wäit verbreet an der Fabrikatioun vun fortgeschrattenen Elektronik- a Kraaftgeräter agesat. Mat exzellenter Wärmeleitfäegkeet, héijer Duerchbrochspannung a staarker Resistenz géint extrem Ëmfeldbedingungen ass dëst Substrat ideal fir héichperformant Leeschtungselektronik wéi Héichspannungsschalter, Inverter an HF-Geräter. Produktiounsqualitéitssubstrater ginn an der Groussproduktioun benotzt, wat eng zouverlässeg, héichpräzis Leeschtung vun Apparater garantéiert, wat fir Leeschtungselektronik an Héichfrequenzapplikatioune kritesch ass. Dummy-Qualitéitssubstrater ginn dogéint haaptsächlech fir Prozesskalibratioun, Ausrüstungstester a Prototypentwécklung benotzt, wat hëlleft d'Qualitéitskontroll an d'Prozesskonsistenz an der Hallefleederproduktioun ze garantéieren.
SpezifikatiounD'Virdeeler vun N-Typ SiC Kompositsubstrater enthalen
- Héich thermesch KonduktivitéitEffizient Wärmeofleedung mécht de Substrat ideal fir Héichtemperatur- an Héichleistungsapplikatiounen.
- Héich DuerchbrochspannungËnnerstëtzt Héichspannungsbetrieb, wat Zouverlässegkeet an der Leeschtungselektronik an HF-Geräter garantéiert.
- Resistenz géint haart ËmfeldHaltbar bei extremen Bedéngungen wéi héijen Temperaturen a korrosiven Ëmfeld, wat eng laang dauerhaft Leeschtung garantéiert.
- Präzisioun a ProduktiounsqualitéitGarantéiert héichqualitativ a zouverlässeg Leeschtung an der Groussproduktioun, gëeegent fir fortgeschratt Energieversuergung an HF-Uwendungen.
- Dummy-Grad fir TesterErméiglecht eng präzis Prozesskalibratioun, Ausrüstungstester a Prototyping ouni Kompromisser bei Produktiounsqualitéitswaferen.
Insgesamt bitt de P-Typ 4H/6H-P 3C-N 4-Zoll SiC-Substrat mat enger Déckt vun 350 μm bedeitend Virdeeler fir héich performant elektronesch Uwendungen. Seng héich Wärmeleitfäegkeet a Duerchbrochspannung maachen et ideal fir Ëmfeld mat héijer Leeschtung an héijen Temperaturen, während seng Resistenz géint haart Konditiounen Haltbarkeet a Zouverlässegkeet garantéiert. De Substrat a Produktiounsqualitéit garantéiert eng präzis a konsequent Leeschtung bei der grousser Produktioun vu Leeschtungselektronik an HF-Geräter. Gläichzäiteg ass de Substrat a Dummy-Qualitéit essentiell fir d'Prozesskalibratioun, d'Ausrüstungstester an d'Prototypiséierung, wat d'Qualitéitskontroll an d'Konsistenz an der Hallefleederproduktioun ënnerstëtzt. Dës Eegeschafte maachen SiC-Substrater héich villfälteg fir fortgeschratt Uwendungen.
Detailéiert Diagramm
