SiC Substrat P-Typ 4H/6H-P 3C-N 4 Zoll mat enger Dicke vun 350um Produktiounsgrad Dummy Grad

Kuerz Beschreiwung:

De P-Typ 4H / 6H-P 3C-N 4-Zoll SiC Substrat, mat enger Dicke vun 350 μm, ass e High-Performance Hallefleitmaterial dat wäit an der Fabrikatioun vun elektroneschen Apparater benotzt gëtt. Bekannt fir seng aussergewéinlech thermesch Konduktivitéit, héich Decomptespannung, a Resistenz zu extremen Temperaturen a korrosiven Ëmfeld, ass dëse Substrat ideal fir Kraaftelektronik Uwendungen. D'Produktioun-Schouljoer Substrat gëtt an grouss-Skala Fabrikatioun benotzt, strikt Qualitéitskontroll an héich Zouverlässegkeet an fortgeschratt elektronesch Apparater garantéiert. Mëttlerweil gëtt den Dummy-Grad Substrat haaptsächlech fir Prozess Debugging, Ausrüstungskalibratioun a Prototyping benotzt. Déi héichwäerteg Eegeschafte vu SiC maachen et eng exzellent Wiel fir Apparater déi an héijer Temperatur, Héichspannung an Héichfrequenz Ëmfeld funktionnéieren, dorënner Kraaftapparater a RF Systemer.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

4inch SiC Substrat P-Typ 4H / 6H-P 3C-N Parameter Dësch

4 Zoll Duerchmiesser SiliconCarbide (SiC) Substrat Spezifizéierung

Grad			Null MPD Produktioun Grad (Z Grad)	Standard Produktioun Grad (P Grad)	Dummy Grad (D Grad)
Duerchmiesser			99,5 mm ~ 100,0 mm
Dicke			350 μm ± 25 μm
Wafer Orientatioun			Off Achs: 2.0°-4.0° Richtung [112(-)0] ± 0,5° fir 4H/6H-P, On Achs:〈111〉± 0,5° fir 3C-N
Mikropipe Dicht			0 cm-2
Resistivitéit	p-Typ 4H/6H-P		≤0,1 Ωꞏcm		≤0,3 Ωꞏcm
	n-Typ 3C-N		≤0,8 mΩꞏcm		≤1 m Ωꞏcm
Primär flaach Orientéierung		4H/6H-P	- {1010} ± 5,0°
		3C-N	- {110} ± 5,0°
Primär flaach Längt			32,5 mm ± 2,0 mm
Sekundär flaach Längt			18,0 mm ± 2,0 mm
Secondary Flat Orientation			Silicon Gesiicht erop: 90 ° CW. aus Prime Appartement±5,0°
Rand Ausgrenzung			3 mm		6 mm
LTV/TTV/Bow/Warp			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rauhegkeet			Polnesch Ra≤1 nm
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra≤0,5 nm
Edge Cracks Vun High Intensity Light			Keen		Kumulativ Längt ≤ 10 mm, eenzeg Längt ≤ 2 mm
Hex Placke Vun High Intensity Light			Kumulativ Fläch ≤0,05%		Kumulativ Fläch ≤0,1%
Polytype Beräicher Vun High Intensitéit Light			Keen		Kumulative Beräich ≤3%
Visual Carbon Inklusiounen			Kumulativ Fläch ≤0,05%		Kumulativ Beräich ≤3%
Silicon Surface Scratches Duerch High Intensity Light			Keen		Kumulativ Längt ≤1 × wafer Duerchmiesser
Edge Chips High By Intensity Light			Keen erlaabt ≥0.2mm Breet an Déift		5 erlaabt, ≤1 mm all
Silicon Surface Kontaminatioun Duerch Héich Intensitéit			Keen
Verpakung			Multi-wafer Kassett oder Single Wafer Container

Notizen:

※ Mängelgrenzen gëllen op déi ganz Waferfläch ausser fir d'Randausgrenzungsberäich. # D'Kratzen sollen nëmmen op Si Gesiicht gepréift ginn.

De P-Typ 4H / 6H-P 3C-N 4-Zoll SiC Substrat mat enger Dicke vun 350 μm gëtt wäit an der fortgeschratt elektronescher a Kraaftapparat Fabrikatioun applizéiert. Mat exzellenter thermescher Konduktivitéit, héijer Decomptespannung, a staarker Resistenz géint extremen Ëmfeld, ass dëse Substrat ideal fir héich performant Kraaftelektronik wéi Héichspannungsschalter, Inverter, a RF Apparater. Produktionsgrade Substrate ginn an der grousser Skala Fabrikatioun benotzt, fir zouverlässeg, héichpräzis Geräter Leeschtung ze garantéieren, wat kritesch ass fir Kraaftelektronik an Héichfrequenz Uwendungen. Dummy-Grad Substrater, op der anerer Säit, ginn haaptsächlech fir Prozesskalibratioun, Ausrüstungstester, a Prototypentwécklung benotzt, hëlleft Qualitéitskontroll a Prozesskonsistenz an der Hallefleitproduktioun z'erhalen.

Spezifizéierung D'Virdeeler vun N-Typ SiC Komposit Substrate enthalen

Héich thermesch Konduktivitéit: Effizient Wärmevergëftung mécht de Substrat ideal fir Héichtemperatur- an Héichkraaftapplikatiounen.
Héich Decompte Volt: Ënnerstëtzt Héichspannungsoperatioun, garantéiert Zouverlässegkeet a Kraaftelektronik a RF-Geräter.
Resistenz géint haart Ëmfeld: Haltbar an extremen Konditiounen wéi héich Temperaturen a korrosive Ëmfeld, garantéiert eng laang dauerhaft Leeschtung.
Produktioun-Grade Präzisioun: Assuréiert qualitativ héichwäerteg an zouverléisseg Leeschtung an der grousser Fabrikatioun, gëeegent fir fortgeschratt Kraaft a RF Uwendungen.
Dummy-Grade fir Testen: Erlaabt präzis Prozesskalibratioun, Ausrüstungstester a Prototyping ouni d'Produktiounsgrade Waferen ze kompromittéieren.

Allgemeng bitt de P-Typ 4H / 6H-P 3C-N 4-Zoll SiC-Substrat mat enger Dicke vun 350 μm bedeitend Virdeeler fir héich performant elektronesch Uwendungen. Seng héich thermesch Konduktivitéit an Ënnerbriechungsspannung maachen et ideal fir Héichkraaft- an Héichtemperaturëmfeld, wärend seng Resistenz géint haart Konditiounen Haltbarkeet an Zouverlässegkeet garantéiert. De Produktiounsgrade Substrat garantéiert präzis a konsequent Leeschtung an der grousser Fabrikatioun vu Kraaftelektronik a RF-Geräter. Mëttlerweil ass den Dummy-Grad Substrat wesentlech fir Prozesskalibratioun, Ausrüstungstester a Prototyping, ënnerstëtzt Qualitéitskontroll a Konsistenz an der Hallefleitproduktioun. Dës Features maachen SiC Substrate ganz villsäiteg fir fortgeschratt Uwendungen.