SiC-Substrat P- an D-Klass Duerchmiesser 50 mm 4H-N 2 Zoll

Déi Haaptmerkmale vun 2 Zoll SiC Mosfet-Waferen sinn wéi follegt;.

Héich thermesch Konduktivitéit: Garantéiert effizient thermescht Management, verbessert d'Zouverlässegkeet an d'Performance vun den Apparater

Héich Elektronemobilitéit: Erméiglecht héichgeschwindeg elektronesch Schaltung, gëeegent fir Héichfrequenzapplikatiounen

Chemesch Stabilitéit: Erhält d'Leeschtung ënner extremen Bedéngungen, d'Liewensdauer vum Apparat

Kompatibilitéit: Kompatibel mat existéierender Hallefleederintegratioun a Masseproduktioun

2 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll, 8 Zoll SiC Mosfet-Wafere gi wäit verbreet an de folgende Beräicher benotzt: Stroummoduler fir Elektroautoen, déi stabil an effizient Energiesystemer ubidden, Inverter fir erneierbar Energiesystemer, Optimiséierung vum Energiemanagement an der Konversiounseffizienz,

SiC-Wafer an Epi-Layer-Wafer fir Satellitten- an Raumfaartelektronik, déi eng zouverlässeg Héichfrequenzkommunikatioun garantéieren.

Optoelektronesch Uwendungen fir héichperformant Laseren an LEDs, déi den Ufuerderunge vun fortgeschrattene Beliichtung- an Displaytechnologien gerecht ginn.

Eis SiC-Wafers SiC-Substrater sinn déi ideal Wiel fir Leeschtungselektronik an HF-Geräter, besonnesch wou eng héich Zouverlässegkeet an aussergewéinlech Leeschtung erfuerderlech sinn. All Charge vu Wafer gëtt streng getest fir sécherzestellen, datt se déi héchst Qualitéitsnormen erfëllt.

Eis 2 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll, 8 Zoll 4H-N Typ D-Grad a P-Grad SiC Wafere sinn déi perfekt Wiel fir héich performant Hallefleederapplikatiounen. Mat aussergewéinlecher Kristallqualitéit, strenger Qualitéitskontroll, personaliséierte Servicer an enger breeder Palette vun Uwendungen, kënne mir och personaliséiert Produkter no Äre Besoinen arrangéieren. Ufroen si wëllkomm!