SiC Substrat P an D Grad Dia50mm 4H-N 2inch

Kuerz Beschreiwung:

Siliziumkarbid (SiC) ass eng binär Verbindung aus der Grupp IV-IV, ass en Hallefleitmaterialbesteet aus purem Silizium a purem Kuelestoff. Stickstoff oder Phosphor kënnen an SIC dotéiert ginn fir n-Typ Hallefleitungen ze bilden, oder Beryllium, Aluminium oder Gallium kënnen dotéiert ginn fir p-Typ Hallefleitungen ze kreéieren. Et bitt héich thermesch Konduktivitéit, héich Elektronemobilitéit, héich Decomptespannung, chemesch Stabilitéit a Kompatibilitéit, suergt fir effizient thermesch Gestioun, verbessert d'Zouverlässegkeet an d'Performance vum Apparat, erméiglecht et héich-Vitesse elektronesch Schalter gëeegent fir Héichfrequenz Uwendungen, an d'Performance ënner extremen Konditiounen z'erhalen. Apparat Liewensdauer ze verlängeren.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

D'Haaptmerkmale vun 2inch SiC Mosfet Wafere sinn wéi follegt;.

Héich thermesch Konduktivitéit: Assuréiert effizient thermesch Gestioun, verbessert d'Zouverlässegkeet an d'Performance vum Apparat

Héich Elektronen Mobilitéit: Erméiglecht Héichgeschwindeg elektronesch Schalter, gëeegent fir Héichfrequenz Uwendungen

Chemesch Stabilitéit: Erhaalt d'Performance ënner extremen Konditiounen Apparat Liewensdauer

Kompatibilitéit: Kompatibel mat existéierender Hallefleitintegratioun a Masseproduktioun

2inch, 3inch, 4inch, 6inch, 8inch SiC Mosfet wafers gi wäit an de folgende Beräicher benotzt: Kraaftmoduler fir elektresch Gefierer, déi stabil an effizient Energiesystemer ubidden, Inverter Feind erneierbar Energiesystemer, Optimisatioun vun Energiemanagement an Konversiounseffizienz,

SiC Wafer an Epi-Layer Wafer fir Satelliten- a Raumfaartelektronik, déi zuverlässeg Héichfrequenzkommunikatioun garantéieren.

Optoelektronesch Uwendungen fir High-Performance Laser a LEDs, déi d'Ufuerderunge vun fortgeschratt Beliichtungs- a Displaytechnologien treffen.

Eis SiC Wafers SiC Substrater sinn déi ideal Wiel fir Kraaftelektronik a RF Apparater, besonnesch wou héich Zouverlässegkeet an aussergewéinlech Leeschtung erfuerderlech sinn. All Batch vu Wafere gëtt streng Tester gemaach fir sécherzestellen datt se den héchste Qualitéitsnormen entspriechen.

Eis 2inch, 3inch, 4inch, 6inch, 8inch 4H-N Typ D-Grad a P-grade SiC Wafere sinn déi perfekt Wiel fir High-Performance Semiconductor Uwendungen. Mat aussergewéinlecher Kristallqualitéit, strikter Qualitéitskontroll, Personnalisatiounsservicer, an eng breet Palette vun Uwendungen, kënne mir och Personnalisatioun no Äre Besoinen arrangéieren. Ufroe si wëllkomm!