SiC-Substrat Dia200mm 4H-N an HPSI Siliziumkarbid

4H-N an HPSI sinn e Polytyp vu Siliziumkarbid (SiC), mat enger Kristallgitterstruktur, déi aus hexagonalen Eenheeten aus véier Kuelestoff- a véier Siliziumatome besteet. Dës Struktur gëtt dem Material exzellent Elektronemobilitéit an Duerchbrochspannungseigenschaften. Ënnert all de SiC-Polytypen gëtt 4H-N an HPSI wäit verbreet am Beräich vun der Leeschtungselektronik benotzt wéinst senger ausgeglachene Elektrone- a Lächermobilitéit a senger héijer Wärmeleitfäegkeet.

D'Entstoe vun 8-Zoll-SiC-Substrater stellt e bedeitende Fortschrëtt fir d'Energiehallefleederindustrie duer. Traditionell Halbleitermaterialien op Siliziumbasis erliewen e bedeitende Leeschtungsverloscht ënner extremen Bedingungen wéi héijen Temperaturen an héije Spannungen, während SiC-Substrater hir exzellent Leeschtung behalen kënnen. Am Verglach mat méi klenge Substrater bidden 8-Zoll-SiC-Substrater eng méi grouss Veraarbechtungsfläch aus engem Stéck, wat sech zu enger méi héijer Produktiounseffizienz a méi niddrege Käschten ergëtt, wat entscheedend ass fir de Kommerzialiséierungsprozess vun der SiC-Technologie unzedreiwen.

D'Wuesstechnologie fir 8-Zoll-Siliziumkarbid (SiC)-Substrater erfuerdert extrem héich Präzisioun a Rengheet. D'Qualitéit vum Substrat beaflosst direkt d'Leeschtung vun de spéideren Apparater, dofir mussen d'Hiersteller fortgeschratt Technologien uwenden, fir déi kristallin Perfektioun an déi niddreg Defektdicht vun de Substrater ze garantéieren. Dëst beinhalt typescherweis komplex chemesch Dampfoflagerungsprozesser (CVD) a präzis Kristallwuess- a Schneidtechniken. 4H-N- an HPSI-SiC-Substrater gi besonnesch wäit verbreet am Beräich vun der Leeschtungselektronik benotzt, wéi zum Beispill an Héichleistungswandler, Traktiounswandler fir Elektroautoen an erneierbaren Energiesystemer.

Mir kënnen 4H-N 8 Zoll SiC Substrat, verschidde Qualitéite vu Substratwafer ubidden. Mir kënnen och personaliséiert Material no Äre Besoinen arrangéieren. Wëllkomm op Ufro!