SiC Substrat Dia200mm 4H-N an HPSI Silicon Carbide

Kuerz Beschreiwung:

Silicon Carbide Substrat (SiC wafer) ass e breet Bandgap Hallefleitmaterial mat exzellente physikaleschen a chemeschen Eegeschaften, besonnesch aussergewéinlech an Héichtemperaturen, Héichfrequenz, Héichkraaft an Héichstrahlungsëmfeld. 4H-V ass eng vun de kristallinesche Strukture vu Siliziumkarbid. Zousätzlech hunn SiC Substrate gutt thermesch Konduktivitéit, dat heescht datt se effektiv d'Hëtzt, déi vun Apparater während der Operatioun generéiert gëtt, opléisen kënnen, fir d'Zouverlässegkeet an d'Liewensdauer vun den Apparater weider ze verbesseren.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

4H-N an HPSI ass e Polytyp vu Siliziumkarbid (SiC), mat enger Kristallgitterstruktur besteet aus sechseckegen Eenheeten aus véier Kuelestoff a véier Siliziumatomer. Dës Struktur gëtt d'Material mat excellent Elektronen Mobilitéit an Decompte Volt Charakteristiken. Ënnert all de SiC Polytypen, 4H-N an HPSI gëtt wäit am Feld vun der Kraaftelektronik benotzt wéinst senger equilibréierter Elektronen- a Lachmobilitéit a méi héijer thermescher Konduktivitéit.

D'Entstoe vun 8inch SiC Substrate representéiert e wesentleche Fortschrëtt fir d'Kraaft Hallefleitindustrie. Traditionell Silizium-baséiert Hallefleitmaterialien erliewen e wesentleche Réckgang an der Leeschtung ënner extremen Konditiounen wéi héich Temperaturen an Héichspannungen, wärend SiC Substrater hir exzellent Leeschtung behalen. Am Verglach mat méi klengen Substrate bidden 8 Zoll SiC Substrater e méi grousst Eenzelstéck Veraarbechtungsgebitt, wat zu méi héijer Produktiounseffizienz a manner Käschten iwwersetzt, entscheedend fir de Kommerzialiséierungsprozess vun der SiC Technologie ze féieren.

D'Wuesstechnologie fir 8 Zoll Siliziumkarbid (SiC) Substrate erfuerdert extrem héich Präzisioun a Rengheet. D'Qualitéit vum Substrat beaflosst direkt d'Performance vun de spéideren Apparater, sou datt d'Fabrikanten fortgeschratt Technologien benotze fir d'kristallin Perfektioun an d'niddereg Defektdicht vun de Substraten ze garantéieren. Dëst beinhalt typesch komplex chemesch Dampdepositioun (CVD) Prozesser a präzise Kristallwachstum a Schneidtechniken. 4H-N an HPSI SiC Substrater gi besonnesch wäit am Feld vun der Kraaftelektronik benotzt, sou wéi an héicheffizienten Kraaftkonverteren, Traktiounsinverter fir elektresch Gefierer, an erneierbar Energiesystemer.

Mir kënnen 4H-N 8inch SiC Substrat ubidden, verschidde Graden vu Substratlagerwaferen. Mir kënnen och Personnalisatioun no Äre Besoinen arrangéieren. Wëllkomm Ufro!