English

SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C Typ 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch

SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C Typ 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch Featured Image
  • SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C Typ 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch
  • SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C Typ 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch
  • SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C Typ 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch
  • SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C Typ 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch
  • SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C Typ 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch
  • SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C Typ 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch

Kuerz Beschreiwung:

Mir bidden eng breet Auswiel u qualitativ héichwäertege SiC (Siliziumkarbid) Waferen, mat engem besonnesche Fokus op N-Typ 4H-N an 6H-N Waferen, déi ideal fir Uwendungen an fortgeschrattener Optoelektronik, Energieversuergungsapparater an Héichtemperaturëmfeld sinn. Dës N-Typ Waferen si bekannt fir hir aussergewéinlech thermesch Leetfäegkeet, hir aussergewéinlech elektresch Stabilitéit an hir bemierkenswäert Haltbarkeet, wat se perfekt mécht fir Héichleistungsapplikatiounen wéi Energieelektronik, Undriffssystemer fir Elektroautoen, erneierbar Energieinverter an industriell Stroumversuergungen. Zousätzlech zu eisem N-Typ Offeren bidden mir och P-Typ 4H/6H-P an 3C SiC Waferen fir spezialiséiert Bedierfnesser, dorënner Héichfrequenz- an RF-Apparater, souwéi photonesch Uwendungen. Eis Waferen sinn a Gréissten vun 2 Zoll bis 8 Zoll verfügbar, a mir bidden individuell Léisungen fir déi spezifesch Ufuerderunge vun de verschiddenen Industriesecteuren ze erfëllen. Fir weider Detailer oder Ufroen, zéckt net eis ze kontaktéieren.


Fonctiounen

Eegeschaften

4H-N an 6H-N (N-Typ SiC Waferen)

Applikatioun:Haaptsächlech an der Leeschtungselektronik, der Optoelektronik an Héichtemperaturapplikatiounen agesat.

Duerchmiesserberäich:50,8 mm bis 200 mm.

Déckt:350 μm ± 25 μm, mat optionalen Dicken vun 500 μm ± 25 μm.

Widderstand:N-Typ 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (Z-Klass), ≤ 0,3 Ω·cm (P-Klass); N-Typ 3C-N: ≤ 0,8 mΩ·cm (Z-Klass), ≤ 1 mΩ·cm (P-Klass).

Rauheet:Ra ≤ 0,2 nm (CMP oder MP).

Mikropäifdicht (MPD):< 1 Stéck/cm².

TTV: ≤ 10 μm fir all Duerchmiesser.

Verzerrung: ≤ 30 μm (≤ 45 μm fir 8-Zoll-Waferen).

Randausgrenzung:3 mm bis 6 mm, ofhängeg vum Wafer-Typ.

Verpackung:Multi-Wafer-Kassett oder Eenzel-Wafer-Behälter.

Aner verfügbar Gréissten 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll

HPSI (Héichreine Hallefisolatiouns-SiC-Waferen)

Applikatioun:Benotzt fir Apparater, déi en héije Widderstand a stabil Leeschtung erfuerderen, wéi z. B. HF-Apparater, photonesch Uwendungen a Sensoren.

Duerchmiesserberäich:50,8 mm bis 200 mm.

Déckt:Standarddicke vun 350 μm ± 25 μm mat Optiounen fir méi déck Waferen bis zu 500 μm.

Rauheet:Ra ≤ 0,2 nm.

Mikropäifdicht (MPD): ≤ 1 Stéck/cm².

Widderstand:Héije Widderstand, typescherweis a Hallefisolatiounsanwendungen benotzt.

Verzerrung: ≤ 30 μm (fir méi kleng Gréissten), ≤ 45 μm fir méi grouss Duerchmiesser.

TTV: ≤ 10 μm.

Aner verfügbar Gréissten 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll

4H-P、6H-P&3C SiC-Wafer(P-Typ SiC Waferen)

Applikatioun:Haaptsächlech fir Kraaft- an Héichfrequenzapparater.

Duerchmiesserberäich:50,8 mm bis 200 mm.

Déckt:350 μm ± 25 μm oder personaliséiert Optiounen.

Widderstand:P-Typ 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (Z-Klass), ≤ 0,3 Ω·cm (P-Klass).

Rauheet:Ra ≤ 0,2 nm (CMP oder MP).

Mikropäifdicht (MPD):< 1 Stéck/cm².

TTV: ≤ 10 μm.

Randausgrenzung:3 mm bis 6 mm.

Verzerrung: ≤ 30 μm fir méi kleng Gréissten, ≤ 45 μm fir méi grouss Gréissten.

Aner verfügbar Gréissten 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll5×5 10×10

Tabelle vun de partiellen Datenparameteren

Immobilie

2 Zoll

3 Zoll

4 Zoll

6 Zoll

8 Zoll

Typ

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/4H-SEMI

Duerchmiesser

50,8 ± 0,3 mm

76,2±0,3mm

100±0,3mm

150±0,3mm

200 ± 0,3 mm

Déckt

330 ± 25 µm

350 ±25 µm

350 ±25 µm

350 ±25 µm

350 ±25 µm

350 ± 25 µm;

500±25µm

500±25µm

500±25µm

500±25µm

oder personaliséiert

oder personaliséiert

oder personaliséiert

oder personaliséiert

oder personaliséiert

Rauheet

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Ketten

≤ 30µm

≤ 30µm

≤ 30µm

≤ 30µm

≤45µm

TTV

≤ 10µm

≤ 10µm

≤ 10µm

≤ 10µm

≤ 10µm

Kratzen/Gruewen

CMP/MP

MPD

<1 Stéck/cm-2

<1 Stéck/cm-2

<1 Stéck/cm-2

<1 Stéck/cm-2

<1 Stéck/cm-2

Form

Ronn, flaach 16mm; OF Längt 22mm; OF Längt 30/32.5mm; OF Längt 47.5mm; KERB; KERB;

Schrägkant

45°, SEMI Spezifikatioun; C-Form

 Grad

Produktiounsqualitéit fir MOS & Fuerschungsqualitéit; Dummy-Qualitéit, Seedwafer-Qualitéit

Bemierkungen

Duerchmiesser, Déckt, Orientéierung, Spezifikatioune kënnen op Är Ufro personaliséiert ginn

 

Uwendungen

·Leeschtungselektronik

N-Typ SiC-Wafers si wichteg an elektroneschen Apparater fir Leeschtungsleistung wéinst hirer Fäegkeet, héich Spannung an héije Stroum ze handhaben. Si gi meeschtens a Stroumwandler, Inverter a Motorundriff fir Industrien wéi erneierbar Energien, Elektroautoen an industriell Automatiséierung benotzt.

· Optoelektronik
N-Typ SiC-Materialien, besonnesch fir optoelektronesch Uwendungen, ginn a Geräter wéi Liichtemissiounsdioden (LEDs) a Laserdioden agesat. Hir héich Wärmeleitfäegkeet a grouss Bandlück maachen se ideal fir héich performant optoelektronesch Geräter.

·Héichtemperaturapplikatiounen
4H-N 6H-N SiC-Wafere si gutt geegent fir Héichtemperaturëmfeld, wéi zum Beispill a Sensoren an Energieversuergungsapparater, déi an der Loft- a Raumfaart, der Automobilindustrie an an industriellen Uwendungen agesat ginn, wou Wärmeoflaf a Stabilitéit bei erhéichten Temperaturen entscheedend sinn.

·RF-Geräter
4H-N 6H-N SiC-Wafers ginn a Radiofrequenz- (RF)-Geräter benotzt, déi an héije Frequenzberäicher funktionéieren. Si ginn a Kommunikatiounssystemer, Radartechnologie a Satellittekommunikatioun agesat, wou eng héich Energieeffizienz a Leeschtung erfuerderlech sinn.

·Photonesch Uwendungen
An der Photonik gi SiC-Wafere fir Apparater wéi Photodetekteren a Modulatoren benotzt. Déi eenzegaarteg Eegeschafte vum Material erlaben et, effektiv bei der Liichtgeneréierung, -modulatioun an -detektioun an optesche Kommunikatiounssystemer an Imaging-Apparater ze sinn.

·Sensoren
SiC-Wafere ginn a verschiddene Sensorapplikatiounen agesat, besonnesch a rauen Ëmfeld, wou aner Materialien eventuell futti kéinte goen. Dozou gehéieren Temperatur-, Drock- a chemesch Sensoren, déi a Beräicher wéi der Automobilindustrie, dem Ueleg a Gas an der Ëmweltiwwerwaachung essentiell sinn.

·Undriffssystemer fir elektresch Gefierer
SiC-Technologie spillt eng wichteg Roll bei Elektroautoen, andeems se d'Effizienz an d'Leeschtung vun den Undriffssystemer verbessert. Mat SiC-Energiehalbleiter kënnen Elektroautoen eng besser Batterielaufzäit, méi séier Opluedzäiten an eng méi héich Energieeffizienz erreechen.

·Fortgeschratt Sensoren a photonesch Konverter
An fortgeschrattene Sensortechnologien gi SiC-Wafere benotzt fir héichpräzis Sensoren fir Uwendungen an der Robotik, medizineschen Apparater an der Ëmweltiwwerwaachung ze kreéieren. A photonesche Konverter ginn d'Eegeschafte vu SiC ausgenotzt fir eng effizient Ëmwandlung vun elektrescher Energie an optesch Signaler z'erméiglechen, wat an der Telekommunikatiouns- an High-Speed-Internetinfrastruktur essentiell ass.

Froen an Äntwerten

QWat ass 4H a 4H SiC?
A"4H" a 4H SiC bezitt sech op d'Kristallstruktur vu Siliziumkarbid, méi genee eng hexagonal Form mat véier Schichten (H). Den "H" weist den Typ vum hexagonale Polytyp un, an ënnerscheet en vun anere SiC-Polytypen wéi 6H oder 3C.

QWat ass d'Wärmeleitfäegkeet vu 4H-SiC?
AD'Wärmeleitfäegkeet vu 4H-SiC (Siliziumkarbid) ass ongeféier 490-500 W/m·K bei Raumtemperatur. Dës héich Wärmeleitfäegkeet mécht et ideal fir Uwendungen an der Leeschtungselektronik an Héichtemperaturëmfeld, wou eng effizient Wärmeofleedung entscheedend ass.

  • Virdrun:
  • Weider:

    • Verwandte Produkter

    Schreift Är Noriicht hei a schéckt se eis
    Dréckt Enter fir ze sichen oder ESC fir zouzemaachen