SiC Silicon Carbide wafer SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI (High Purity Semi-Isolating) 4H/6H-P 3C -n Typ 2 3 4 6 8inch verfügbar

Kuerz Beschreiwung:

Mir bidden eng divers Auswiel u qualitativ héichwäerteg SiC (Silicon Carbide) Wafere, mat engem besonnesche Fokus op N-Typ 4H-N a 6H-N Wafers, déi ideal sinn fir Uwendungen an fortgeschratt Optoelektronik, Kraaftapparaten, an Héichtemperaturëmfeld. . Dës N-Typ Wafere si bekannt fir hir aussergewéinlech thermesch Konduktivitéit, aussergewéinlech elektresch Stabilitéit, an bemierkenswäert Haltbarkeet, sou datt se perfekt sinn fir High-Performance Uwendungen wéi Kraaftelektronik, Elektroauto Drive Systemer, erneierbar Energie Inverter, an industriell Energieversuergung. Zousätzlech zu eisen N-Typ Offeren, bidde mir och P-Typ 4H / 6H-P an 3C SiC Wafere fir spezialiséiert Bedierfnesser, dorënner Héichfrequenz- a RF-Geräter, souwéi photonesch Uwendungen. Eis Wafere si verfügbar a Gréissten rangéiert vun 2 Zoll bis 8 Zoll, a mir bidden personaliséiert Léisunge fir déi spezifesch Ufuerderunge vu verschiddenen Industriesecteuren ze treffen. Fir weider Detailer oder Ufroën, kontaktéiert eis w.e.g.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Eegeschaften

4H-N a 6H-N (N-Typ SiC Wafers)

Applikatioun:Haaptsächlech a Kraaftelektronik, Optoelektronik, an Héichtemperaturapplikatiounen benotzt.

Duerchmiesser Range:50,8 mm bis 200 mm.

Dicke:350 μm ± 25 μm, mat optionalen Dicke vun 500 μm ± 25 μm.

Resistivitéit:N-Typ 4H / 6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (Z-Schoul), ≤ 0,3 Ω·cm (P-Schoul); N-Typ 3C-N: ≤ 0,8 mΩ·cm (Z-grad), ≤ 1 mΩ·cm (P-grad).

Roughness:Ra ≤ 0,2 nm (CMP oder MP).

Mikropipe Density (MPD):< 1 ea/cm².

TTV: ≤ 10 μm fir all Duerchmiesser.

Warp: ≤ 30 μm (≤ 45 μm fir 8 Zoll Wafers).

Rand Ausgrenzung:3 mm bis 6 mm je wafer Typ.

Verpakung:Multi-wafer Kassett oder eenzel wafer Container.

Oder verfügbar Gréisst 3inch 4inch 6inch 8inch

HPSI (High Purity Semi-Insulating SiC Wafers)

Applikatioun:Benotzt fir Apparater déi héich Resistenz a stabil Leeschtung erfuerderen, sou wéi RF Apparater, photonesch Uwendungen a Sensoren.

Duerchmiesser Range:50,8 mm bis 200 mm.

Dicke:Standarddicke vun 350 μm ± 25 μm mat Optiounen fir décke Wafere bis zu 500 μm.

Roughness:Ra ≤ 0,2 nm.

Mikropipe Density (MPD): ≤ 1 ea/cm².

Resistivitéit:Héich Resistenz, typesch an semi-isoléierend Uwendungen benotzt.

Warp: ≤ 30 μm (fir méi kleng Gréissten), ≤ 45 μm fir méi grouss Duerchmiesser.

TTV: ≤ 10 μm.

Oder verfügbar Gréisst 3inch 4inch 6inch 8inch

4H-P,6H-P&3C SiC wafer(P-Typ SiC Wafers)

Applikatioun:Haaptsächlech fir Muecht an héich-Frequenz Apparater.

Duerchmiesser Range:50,8 mm bis 200 mm.

Dicke:350 μm ± 25 μm oder personaliséiert Optiounen.

Resistivitéit:P-Typ 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (Z-grad), ≤ 0,3 Ω·cm (P-grad).

Roughness:Ra ≤ 0,2 nm (CMP oder MP).

Mikropipe Density (MPD):< 1 ea/cm².

TTV: ≤ 10 μm.

Rand Ausgrenzung:3 mm bis 6 mm.

Warp: ≤ 30 μm fir méi kleng Gréissten, ≤ 45 μm fir méi grouss Gréissten.

Oder verfügbar Gréisst 3inch 4inch 6inch5×5 10×10

Partiell Data Parameteren Table

Immobilie	2 zoll		3 zoll		4 zoll	6 zoll	8 zoll
Typ	4H-N/HPSI/ 6H-N/4H/6H-P/3C;		4H-N/HPSI/ 6H-N/4H/6H-P/3C;		4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;	4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;	4H-N/HPSI/4H-SEMI
Duerchmiesser	50,8 ± 0,3 mm		76,2 ± 0,3 mm		100 ± 0,3 mm	150 ± 0,3 mm	200 ± 0,3 mm
Dicke	330 ± 25 um		350 ± 25 um		350 ± 25 um	350 ± 25 um	350 ± 25 um
	350±25um;		500 ± 25 um		500 ± 25 um	500 ± 25 um	500 ± 25 um
	oder personaliséiert		oder personaliséiert		oder personaliséiert	oder personaliséiert	oder personaliséiert
Rauhegkeet	Ra ≤ 0,2 nm		Ra ≤ 0,2 nm		Ra ≤ 0,2 nm	Ra ≤ 0,2 nm	Ra ≤ 0,2 nm
Warp	≤ 30 um		≤ 30 um		≤ 30 um	≤ 30 um	≤45 um
TTV	≤ 10 um		≤ 10 um		≤ 10 um	≤ 10 um	≤ 10 um
Schrott / Dig	CMP/MP
MPD	<1ea/cm-2	<1ea/cm-2		<1ea/cm-2		<1ea/cm-2		<1ea/cm-2
Form	Ronn, flaach 16 mm; Längt 22 mm; VUN Längt 30/32,5 mm; VUN Längt 47,5 mm; NOTCH; NOTCH;
Bevel	45°, SEMI Spezifizéierung; C Form
Grad	Produktioun Schouljoer fir MOS & SBD; Fuerschung Grad; Dummy Grad, Seed wafer Grad
Remarquen	Duerchmiesser, Dicke, Orientéierung, Spezifikatioune uewendriwwer kënnen op Är Ufro personaliséiert ginn

Uwendungen

·Power Electronics

N Typ SiC Wafere sinn entscheedend a Kraaftelektronesch Geräter wéinst hirer Fäegkeet fir Héichspannung an héije Stroum ze handhaben. Si ginn allgemeng a Kraaftkonverter, Inverter, a Motorrieder fir Industrien wéi erneierbar Energie, elektresch Gefierer, an industriell Automatioun benotzt.

· Optoelektronik
N Typ SiC Materialien, besonnesch fir optoelektronesch Uwendungen, ginn an Apparater wéi Liichtdioden (LEDs) a Laserdioden benotzt. Hir héich thermesch Konduktivitéit a breet Bandgap maachen se ideal fir héich performant optoelektronesch Geräter.

·Héich-Temperatur Uwendungen
4H-N 6H-N SiC Wafere si gutt gëeegent fir héich Temperaturen Ëmfeld, sou wéi a Sensoren a Kraaftapparater, déi an der Raumfaart, Automobil an Industrieapplikatiounen benotzt ginn, wou Wärmevergëftung a Stabilitéit bei erhéigen Temperaturen kritesch sinn.

·RF Apparater
4H-N 6H-N SiC Wafere ginn a Radiofrequenz (RF) Geräter benotzt déi an Héichfrequenzberäicher funktionnéieren. Si ginn a Kommunikatiounssystemer, Radartechnologie a Satellitekommunikatioun applizéiert, wou héich Kraafteffizienz a Leeschtung erfuerderlech sinn.

·Photonesch Uwendungen
An der Photonik gi SiC Wafere fir Apparater wéi Photodetektoren a Modulatoren benotzt. Déi eenzegaarteg Eegeschafte vum Material erlaben et effektiv an der Liichtgeneratioun, Modulatioun an Detektioun an opteschen Kommunikatiounssystemer an Imaging-Geräter.

·Sensoren
SiC Wafere ginn a ville Sensorapplikatioune benotzt, besonnesch an haarden Ëmfeld wou aner Materialien ausfalen. Dës enthalen Temperatur, Drock a chemesch Sensoren, déi wesentlech sinn a Felder wéi Automobil, Ueleg & Gas, an Ëmweltiwwerwaachung.

·Elektresch Gefierer Drive Systemer
SiC Technologie spillt eng bedeitend Roll an elektresche Gefierer andeems d'Effizienz an d'Performance vun den Drive Systemer verbessert ginn. Mat SiC Kraaft Hallefleit kënnen elektresch Gefierer besser Batterieliewen, méi séier Opluedzäiten a méi Energieeffizienz erreechen.

·Fortgeschratt Sensoren a Photonesch Konverter
A fortgeschratt Sensortechnologien gi SiC Wafere benotzt fir héichpräzis Sensoren fir Uwendungen an der Robotik, medizineschen Apparater an Ëmweltiwwerwaachung ze kreéieren. Bei photonesche Konverter ginn d'Eegeschafte vum SiC exploitéiert fir effizient Konversioun vun elektrescher Energie an optesch Signaler z'erméiglechen, wat vital ass an der Telekommunikatioun an der Héichgeschwindegkeet Internetinfrastruktur.

Q&A

QWat ass 4H an 4H SiC?
A： "4H" an 4H SiC bezitt sech op d'Kristallstruktur vu Siliziumkarbid, speziell eng sechseckeg Form mat véier Schichten (H). Den "H" weist d'Zort vum sechseckegen Polytyp un, ënnerscheet se vun anere SiC Polytypen wéi 6H oder 3C.

Q： Wat ass d'thermesch Konduktivitéit vu 4H-SiC?
A: D'thermesch Konduktivitéit vu 4H-SiC (Silicon Carbide) ass ongeféier 490-500 W/m·K bei Raumtemperatur. Dës héich thermesch Konduktivitéit mécht et ideal fir Uwendungen a Kraaftelektronik an Héichtemperaturëmfeld, wou effizient Wärmevergëftung entscheedend ass.

virdrun: Saphir Röhre Präzisioun Fabrikatioun transparent Röhre Al2O3 Kristall verschleißbeständeg Héichhärt EFG / KY verschidde Duerchmiesser Polieren Benotzerdefinéiert

Nächste:

Schreift äre Message hei a schéckt en un eis