Sic optesch Lëns 6SP 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI Benotzerdefinéiert Gréisst

Kuerz Beschreiwung:

D'SiC-optesch Lëns stellt eng optesch Komponent vun héchster Qualitéit duer, déi op Siliziumkarbid (SiC) baséiert, mat voll personaliséierbaren Dimensiounen a Geometrien. Duerch d'Notzung vun de superieure opteschen Eegeschafte vu SiC - dorënner breet Transmissiounsfënsteren, héije Breechungsindex a staark netlinear optesch Koeffizienten - fannen dës Lënsen extensiv Uwendungen an der Photonik, Quanteinformatiounssystemer an integréierter Photonik.
ZMSH liwwert héichperformant SiC optesch Lënsen (Siliziumkarbid optesch Lënsen) mat personaliséierbaren Dimensiounen a Geometrien, fir verschidden optesch Systemufuerderungen ze erfëllen. Dës Lënsen, déi aus héichreinem Siliziumkarbidmaterial hiergestallt sinn, weisen eng aussergewéinlech thermesch Stabilitéit, mechanesch Stäerkt an optesch Leeschtung, wat se ideal fir fortgeschratt Uwendungen mécht, dorënner Héichleistungslaseren, Loftfaartsystemer an Infraroutoptik.
Wéinst hirer aussergewéinlecher Héichtemperaturbeständegkeet, Stralungshärkeet a aussergewéinlecher mechanescher Robustheet gi SiC-optesch Lënsen wäit verbreet an Loft- a Raumfaartsystemer, LiDAR-Technologien an ultraviolett optesche Systemer agesat. Hir eenzegaarteg Kombinatioun vu Materialeegeschafte erméiglecht e verlässleche Betrib an extremen Ëmfeld, wärend gläichzäiteg eng iwwerleeën optesch Leeschtung behalen gëtt.

Schéckt eis eng E-Mail

Produktdetailer

Produkt Tags

Schlësselcharakteristiken

Chemesch Zesummesetzung	Al2O3
Häert	9Mohs
Optesch Natur	Uniaxial
Breechungsindex	1,762-1,770
Duebelbrechung	0,008-0,010
Dispersioun	Niddreg, 0,018
Glanz	Glaskierper
Pleochroismus	Mëttel bis staark
Duerchmiesser	0,4 mm - 30 mm
Duerchmiesser Toleranz	0,004 mm - 0,05 mm
Längt	2mm-150mm
Längtetoleranz	0,03 mm - 0,25 mm
Uewerflächenqualitéit	40/20
Uewerflächenronnheet	RZ0,05
Benotzerdefinéiert Form	béid Enden flaach, een Enn rout, béid Enden rout, Sattelstiften a speziell Formen

Schlësselmerkmale

1. Héije Breechungsindex & breet Transmissiounsfenster: SiC-optesch Lënsen weisen eng aussergewéinlech optesch Leeschtung mat engem Breechungsindex vun ongeféier 2,6-2,7 iwwer hiert operationellt Spektrum. Dëst breet Transmissiounsfenster (600-1850 nm) ëmfaasst souwuel siichtbar wéi och noen Infraroutberäicher, wat se besonnesch wäertvoll fir multispektral Bildgebungssystemer a Breitbandoptikapplikatiounen mécht. De niddrege Absorptiounskoeffizient vum Material an dëse Beräicher garantéiert eng minimal Signaldämpfung, och bei héichleeschtungsfäege Laserapplikatiounen.

2. Aussergewéinlech netlinear optesch Eegeschaften: Déi eenzegaarteg kristallin Struktur vu Siliziumkarbid gëtt et bemierkenswäert netlinear optesch Koeffizienten (χ(2) ≈ 15 pm/V, χ(3) ≈ 10-20 m2/V2), wat effizient Frequenzkonversiounsprozesser erméiglecht. Dës Eegeschafte ginn aktiv a modernen Uwendungen ausgenotzt, wéi z. B. optesch parametresch Oszillatoren, ultraschnelle Lasersystemer an volloptesch Signalveraarbechtungsapparater. Den héije Schuedschwellwäert vum Material (>5 GW/cm2) verbessert seng Gëeegentheet fir héichintensiv Uwendungen.

3. Mechanesch & thermesch Stabilitéit: Mat engem Elastizitéitsmodul vun ongeféier 400 GPa an enger Wärmeleitfäegkeet vu méi wéi 300 W/m·K behalen optesch SiC-Komponenten eng aussergewéinlech Stabilitéit ënner mechanescher Belaaschtung an thermesche Zyklen. Den ultra-niddrege Koeffizient vun der thermescher Ausdehnung (4,0 × 10⁻⁶/K) garantéiert eng minimal Brennwäitverschiebung mat Temperaturschwankungen, e wichtege Virdeel fir präzis optesch Systemer, déi a schwankenden thermeschen Ëmfeld wéi Weltraumapplikatiounen oder industriell Laserveraarbechtungsausrüstung funktionéieren.

4. Quanteeigenschaften: D'Faarfzentren Siliziumvakanz (VSi) an Divakanz (VSiVC) a 4H-SiC- a 6H-SiC-Polytypen weisen optesch adresséierbar Spinzoustänn mat laangen Kohärenzzäiten bei Raumtemperatur op. Dës Quantenemitter ginn a skalierbar Quantennetzwierker integréiert a si besonnesch villverspriechend fir d'Entwécklung vu Raumtemperatur-Quantesensoren a Quantespeichergeräter a photonesche Quantecomputerarchitekturen.

5. CMOS-Kompatibilitéit: D'Kompatibilitéit vu SiC mat Standard-Hallefleederfabrikatiounsprozesser erméiglecht eng direkt monolithesch Integratioun mat Silizium-Photonikplattformen. Dëst erméiglecht d'Schafung vun hybride photonesch-elektronesche Systemer, déi d'optesch Virdeeler vu SiC mat der elektronescher Funktionalitéit vu Silizium kombinéieren, wat nei Méiglechkeeten fir System-on-Chip-Designen an optesche Rechen- a Sensorapplikatiounen opmécht.

Primär Uwendungen

1. Photonesch integréiert Schaltkreesser (PICs): A PICs vun der nächster Generatioun erméiglechen optesch SiC-Lënsen eng ongehéiert Integratiounsdicht a Leeschtung. Si si besonnesch wäertvoll fir optesch Verbindungen am Terabit-Skala an Datenzentren, wou hir Kombinatioun vun héijem Breechungsindex a geréngem Verloscht eng kleng Biegradius ouni bedeitend Signalverschlechterung erméiglecht. Rezent Fortschrëtter hunn hir Notzung an neuromorphe photonesche Schaltkreesser fir Uwendungen an der kënschtlecher Intelligenz bewisen, wou netlinear optesch Eegeschafte voll optesch neuronal Netzwierkimplementatioune erméiglechen.

2. Quanteninformatioun & Berechnung: Nieft Faarfzentrum-Uwendungen ginn SiC-Lënsen a Quantekommunikatiounssystemer benotzt wéinst hirer Fäegkeet, Polarisatiounszoustänn ze erhalen an hir Kompatibilitéit mat Eenzelphotonquellen. Déi héich Netlinearitéit vun zweeter Uerdnung vum Material gëtt fir Quantefrequenzkonversiounsinterfaces ausgenotzt, déi essentiell sinn fir verschidde Quantesystemer ze verbannen, déi op verschiddene Wellelängten operéieren.

3. Loft- a Raumfaart & Verdeedegung: D'Stralungshärkeet vu SiC (Dosis >1 MGy aushält) mécht et onentbierlech fir weltraumbaséiert optesch Systemer. Rezent Asätz enthalen Stäretracker fir Satellittennavigatioun an optesch Kommunikatiounsterminaler fir Intersatellittenverbindungen. A Verdeedegungsapplikatioune erméiglechen SiC-Lënsen nei Generatioune vu kompakten, héichleeschtungsfäege Lasersystemer fir geriicht Energieapplikatiounen a fortgeschratt LiDAR-Systemer mat verbesserter Distanzopléisung.

4. UV-Optiksystemer: D'Leeschtung vu SiC am UV-Spektrum (besonnesch ënner 300 nm) a Kombinatioun mat senger Resistenz géint Solariséierungseffekter mécht et zum Material vun der Wiel fir UV-Lithographiesystemer, Ozonmonitoringsinstrumenter an Astrophysik-Observatiounsausrüstung. Déi héich Wärmeleitfäegkeet vum Material ass besonnesch virdeelhaft fir UV-Uwendungen mat héijer Leeschtung, wou thermesch Lënseneffekter konventionell Optik ofbauen.

5. Integréiert photonesch Geräter: Iwwer traditionell Wellenleiterapplikatiounen eraus erméiglecht SiC nei Klassen vun integréierte photoneschen Geräter, dorënner optesch Isolatoren baséiert op magneto-opteschen Effekter, Mikroresonatoren mat ultra-héijen Q-Wäert fir d'Generatioun vu Frequenzkammen an elektrooptesch Modulatoren mat Bandbreeten iwwer 100 GHz. Dës Fortschrëtter féieren Innovatiounen an der optescher Signalveraarbechtung a Mikrowellenphotoniksystemer un.

Den XKH säi Service

XKH-Produkter gi wäit verbreet an High-Tech-Beräicher wéi Spektroskopie-Analyse, Lasersystemer, Mikroskoper an Astronomie benotzt, wouduerch d'Performance an d'Zouverlässegkeet vun optesche Systemer effektiv verbessert ginn. Zousätzlech bitt XKH ëmfaassend Designënnerstëtzung, Ingenieursdéngschter a séier Prototyping, fir sécherzestellen, datt d'Clienten hir Produkter séier validéiere a masseproduzéiere kënnen.

Wann Dir eis SiC optesch Prismen wielt, profitéiert Dir vun:

1. Iwwerleeën Leeschtung: SiC-Materialien bidden eng héich Häert an thermesch Resistenz, wat eng stabil Leeschtung och ënner extremen Bedéngungen garantéiert.
2. Personnaliséiert Servicer: Mir bidden eng komplett Prozessënnerstëtzung vum Design bis zur Produktioun baséiert op de Bedierfnesser vum Client.
3. Effizient Liwwerung: Mat fortgeschrattene Prozesser a räicher Erfahrung kënne mir séier op d'Bedierfnesser vun de Clienten reagéieren a pünktlech liwweren.