SiC Kristallwuesstumsuewen SiC Barrenwuesstum 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll PTV Lely TSSG LPE Wuesstumsmethod

Kuerz Beschreiwung:

Siliziumkarbid (SiC) Kristallwuesstum ass e Schlësselschrëtt an der Virbereedung vun héichperformante Hallefleedermaterialien. Wéinst dem héije Schmelzpunkt vum SiC (ongeféier 2700 °C) an der komplexer polytypescher Struktur (z. B. 4H-SiC, 6H-SiC) huet d'Kristallwuesstumstechnologie e groussen Schwierigkeitsgrad. Am Moment sinn déi wichtegst Wuestumsmethoden d'physikalesch Damptransfermethod (PTV), d'Lely-Method, d'Top Seed Solution Growth Method (TSSG) an d'Flëssegkeetsphase-Epitaxiemethod (LPE). All Method huet hir eege Vir- an Nodeeler a gëeegent fir verschidden Uwendungsufuerderungen.

Schéckt eis eng E-Mail

Produktdetailer

Produkt Tags

Haapt Kristallwuesstumsmethoden an hir Charakteristiken

(1) Method fir d'physikalesch Dampftransfer (PTV)
Prinzip: Bei héijen Temperaturen subliméiert de SiC-Rohmaterial an eng Gasphas, déi duerno um Keimkristall rekristalliséiert gëtt.
Haaptmerkmale:
Héich Wuestumstemperatur (2000-2500°C).
Héichqualitativ, grouss 4H-SiC- a 6H-SiC-Kristaller kënne gezücht ginn.
D'Wuesstumsquote ass lues, awer d'Kristallqualitéit ass héich.
Applikatioun: Haaptsächlech a Kraafthallefleeder, HF-Geräter an aner High-End-Beräicher benotzt.

(2) Lely-Method
Prinzip: Kristaller ginn duerch spontan Sublimatioun a Rekristallisatioun vu SiC-Pulver bei héijen Temperaturen gewuess.
Haaptmerkmale:
De Wuesstumsprozess erfuerdert keng Somen, an d'Kristallgréisst ass kleng.
D'Kristallqualitéit ass héich, awer d'Wuesstumseffizienz ass niddreg.
Gëeegent fir Laborfuerschung a fir d'Produktioun vu klenge Chargen.
Uwendung: Haaptsächlech an der wëssenschaftlecher Fuerschung an der Virbereedung vu klenge SiC-Kristaller benotzt.

(3) Top Seed Léisungswuesstemsmethod (TSSG)
Prinzip: An enger Léisung bei héijen Temperaturen léist sech de SiC-Rohmaterial op a kristalliséiert sech um Keimkristall.
Haaptmerkmale:
D'Wuesstemperatur ass niddreg (1500-1800°C).
Héichqualitativ SiC-Kristaller mat wéineg Defekter kënne gezücht ginn.
D'Wuesstumsquote ass lues, awer d'Kristalluniformitéit ass gutt.
Uwendung: Gëeegent fir d'Virbereedung vun héichwäertege SiC-Kristaller, wéi z. B. optoelektronesch Apparater.

(4) Flëssegphase-Epitaxie (LPE)
Prinzip: An enger flësseger Metallléisung wiisst de SiC-Rohmaterial epitaktesch um Substrat.
Haaptmerkmale:
D'Wuesstemperatur ass niddreg (1000-1500°C).
Schnell Wuesstumsquote, gëeegent fir Filmwuesstum.
D'Kristallqualitéit ass héich, awer d'Déckt ass limitéiert.
Uwendung: Haaptsächlech fir epitaktesch Wuesstem vu SiC-Filmer benotzt, wéi z. B. Sensoren an optoelektronesch Apparater.

Déi wichtegst Uwendungsmethoden vum Siliziumkarbidkristalluewen

E SiC-Kristalluewen ass déi zentral Ausrüstung fir d'Virbereedung vu SIC-Kristaller, an seng Haaptapplikatiounsmethoden enthalen:
Fabrikatioun vu Leeschtungshallefleiter: Gëtt benotzt fir héichqualitativ 4H-SiC- a 6H-SiC-Kristaller als Substratmaterialien fir Leeschtungsapparater (wéi MOSFETs, Dioden) ze wuessen.
Uwendungen: Elektroautoen, Photovoltaik-Inverter, industriell Stroumversuergungen, etc.

Fabrikatioun vun RF-Geräter: Gëtt benotzt fir SiC-Kristaller mat nidderegen Defekter als Substrate fir RF-Geräter ze wuessen, fir den Héichfrequenzbedürfnisser vun der 5G-Kommunikatioun, dem Radar an der Satellittekommunikatioun gerecht ze ginn.

Fabrikatioun vun optoelektroneschen Apparater: Gëtt benotzt fir héichqualitativ SiC-Kristaller als Substratmaterial fir LEDs, Ultraviolettdetekteren a Laser ze wuessen.

Wëssenschaftlech Fuerschung a Produktioun vu klenge Chargen: fir Laborfuerschung an d'Entwécklung vun neie Materialien zur Ënnerstëtzung vun Innovatioun an Optimiséierung vun der SiC-Kristallwuesstemstechnologie.

Fabrikatioun vun Héichtemperaturgeräter: Gëtt benotzt fir héichtemperaturbeständeg SiC-Kristaller als Basismaterial fir Loftfaart- a Raumfaart- a Héichtemperatursensoren ze wuessen.

SiC-Uewenausrüstung a Servicer, déi vun der Firma ugebuede ginn

XKH konzentréiert sech op d'Entwécklung a Produktioun vun SIC-Kristalluewenausrüstung a bitt déi folgend Servicer:

Personnaliséiert Ausrüstung: XKH liwwert personaliséiert Wuestumsuewen mat verschiddene Wuestumsmethoden wéi PTV an TSSG no de Bedierfnesser vum Client.

Techneschen Support: XKH bitt senge Clienten techneschen Support fir de ganze Prozess, vun der Optimiséierung vum Kristallwuesstumsprozess bis zur Ënnerhaltung vun der Ausrüstung.

Trainingsdéngschter: XKH bitt Clienten operationell Trainings an technesch Berodung fir effizient Operatioun vun der Ausrüstung ze garantéieren.

After-Sales-Service: XKH bitt e séieren After-Sales-Service an Upgrades vun Ausrüstung, fir d'Kontinuitéit vun der Produktioun vun de Clienten ze garantéieren.

Siliziumkarbid-Kristallwuesstemstechnologie (wéi PTV, Lely, TSSG, LPE) huet wichteg Uwendungen am Beräich vun der Leeschtungselektronik, HF-Geräter an Optoelektronik. XKH bitt fortgeschratt SiC-Uewenausrüstung an eng komplett Palette vu Servicer fir Clienten an der grousser Produktioun vu qualitativ héichwäertege SiC-Kristaller z'ënnerstëtzen an d'Entwécklung vun der Hallefleederindustrie ze ënnerstëtzen.