SiC Ingot 4H Typ Dia 4inch 6inch Dicke 5-10mm Fuerschung / Dummy Grad

SiC Ingot 4H Typ Dia 4inch 6inch Thickness 5-10mm Research / Dummy Grade Featured Image

Kuerz Beschreiwung:

Silicon Carbide (SiC) ass entstanen als Schlësselmaterial an fortgeschratt elektroneschen an optoelektroneschen Uwendungen wéinst senge superieure elektresch, thermesch a mechanesch Eegeschaften. Den 4H-SiC Ingot, verfügbar an Duerchmiesser vu 4-Zoll a 6-Zoll mat enger Dicke vu 5-10 mm, ass e Fundamentalprodukt fir Fuerschungs- an Entwécklungszwecker oder als Dummy-Grad Material. Dësen Ingot ass entwéckelt fir Fuerscher an Hiersteller mat héichqualitativen SiC-Substrate ze bidden, déi gëeegent sinn fir Prototyp-Apparatfabrikatioun, experimentell Studien oder Kalibrierungs- an Testprozeduren. Mat senger eenzegaarteger sechseckegen Kristallstruktur bitt de 4H-SiC Ingot breet Applikatioun an der Kraaftelektronik, Héichfrequenz Geräter a Stralungsbeständeg Systemer.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Eegeschaften

1. Kristallstruktur an Orientatioun
Polytyp: 4H (hexagonal Struktur)
Gitter Konstanten:
a = 3,073 Å
c = 10,053 Å
Orientéierung: Typesch [0001] (C-Fliger), awer aner Orientéierungen wéi [11\overline{2}0] (A-Fliger) sinn och op Ufro verfügbar.

2. Kierperlech Dimensiounen
Duerchmiesser:
Standardoptiounen: 4 Zoll (100 mm) a 6 Zoll (150 mm)
Dicke:
Verfügbar an der Gamme vu 5-10 mm, personaliséierbar ofhängeg vun der Applikatiounsufuerderung.

3. Elektresch Eegeschafte
Doping Typ: Verfügbar an intrinsesch (semi-isoléierend), n-Typ (dotéiert mat Stickstoff), oder p-Typ (dotéiert mat Aluminium oder Bor).

4. Thermesch a mechanesch Properties
Thermesch Konduktivitéit: 3,5-4,9 W / cm · K bei Raumtemperatur, erméiglecht eng exzellent Wärmevergëftung.
Hardness: Mohs Skala 9, mécht SiC zweet nëmmen Diamanten an hardness.

Parameter	Detailer	Eenheet
Wuesstem Method	PVT (Physical Vapor Transport)
Duerchmiesser	50,8 ± 0,5 / 76,2 ± 0,5 / 100,0 ± 0,5 / 150 ± 0,5	mm
Polytyp	4H / 6H (50,8 mm), 4H (76,2 mm, 100,0 mm, 150 mm)
Uewerfläch Orientatioun	0.0˚ / 4.0˚ / 8.0˚ ± 0.5˚ (50.8 mm), 4.0˚ ± 0.5˚ (aner)	Grad
Typ	N-Typ
Dicke	5-10 / 10-15 / > 15	mm
Primär flaach Orientéierung	(10-10) ± 5,0˚	Grad
Primär flaach Längt	15,9 ± 2,0 (50,8 mm), 22,0 ± 3,5 (76,2 mm), 32,5 ± 2,0 (100,0 mm), 47,5 ± 2,5 (150 mm)	mm
Secondary Flat Orientation	90˚ CCW aus Orientéierung ± 5,0˚	Grad
Sekundär flaach Längt	8,0 ± 2,0 (50,8 mm), 11,2 ± 2,0 (76,2 mm), 18,0 ± 2,0 (100,0 mm), Keen (150 mm)	mm
Grad	Fuerschung / Dummy

Uwendungen

1. Fuerschung an Entwécklung

De Fuerschungsgrad 4H-SiC Ingot ass ideal fir akademesch an industriell Laboe fokusséiert op SiC-baséiert Apparatentwécklung. Seng super kristallin Qualitéit erméiglecht präzis Experimenter op SiC Eegeschaften, sou wéi:
Carrier Mobilitéit Studien.
Mängel Charakteriséierung a Miniméierungstechniken.
Optimisatioun vun epitaxial Wuesstem Prozesser.

2. Dummy Substrat
Den Dummy-Grad Ingot gëtt wäit an Testen, Kalibrierung a Prototyping Uwendungen benotzt. Et ass eng kosteneffektiv Alternativ fir:
Prozessparameter Kalibrierung a Chemeschen Dampdepositioun (CVD) oder Physical Vapor Deposition (PVD).
Evaluéieren Ätz- a Polierprozesser an Fabrikatiounsëmfeld.

3. Power Electronics
Duerch seng breet Bandgap an héich thermesch Konduktivitéit ass 4H-SiC e Grondsteen fir Kraaftelektronik, sou wéi:
Héich-Volt MOSFETs.
Schottky Barrier Diodes (SBDs).
Junction Field-Effect Transistors (JFETs).
Uwendungen enthalen elektresch Gefierer Inverter, Solar Inverter, a Smart Gitter.

4. Héich-Frequenz Apparater
D'Material héich Elektronen Mobilitéit an niddreg Kapazitéit Verloschter maachen et gëeegent fir:
Radio Frequenz (RF) Transistoren.
Wireless Kommunikatiounssystemer, dorënner 5G Infrastruktur.
Raumfaart- a Verteidegungsapplikatiounen déi Radarsystemer erfuerderen.

5. Stralung-resistent géint Systemer
Dem 4H-SiC seng inherent Resistenz géint Stralungsschued mécht et onverzichtbar an haarden Ëmfeld wéi:
Space Exploration Hardware.
Atomkraaftwierk Iwwerwaachungsausrüstung.
Militäresch-Schouljoer elektronesch.

6. Entstanen Technologien
Wéi d'SiC Technologie fortgeschratt, wuessen seng Uwendungen weider a Felder wéi:
Photonik a Quantecomputer Fuerschung.
Entwécklung vun High-Power LEDs an UV Sensoren.
Integratioun a breet Bandgap Halbleiter Heterostrukturen.
Virdeeler vun 4H-SiC Ingot
Héich Puritéit: Hiergestallt ënner strenge Bedéngungen fir Gëftstoffer a Mängeldicht ze minimiséieren.
Skalierbarkeet: Verfügbar a béid 4-Zoll a 6-Zoll Duerchmiesser fir Industriestandard a Fuerschungsskala Bedierfnesser z'ënnerstëtzen.
Villsäitegkeet: Upassbar fir verschidden Dopingtypen an Orientatiounen fir spezifesch Uwendungsufuerderungen z'erreechen.
Robust Leeschtung: Superior thermesch a mechanesch Stabilitéit ënner extremen Operatiounsbedingungen.

Conclusioun

Den 4H-SiC Ingot, mat sengen aussergewéinlechen Eegeschaften a breeträichen Uwendungen, steet un der Spëtzt vun der Materialinnovatioun fir d'nächst Generatioun Elektronik an Optoelektronik. Egal ob fir akademesch Fuerschung, industriell Prototyping oder fortgeschratt Geräterproduktioun benotzt ginn, dës Ingots bidden eng zouverléisseg Plattform fir d'Grenze vun der Technologie ze drécken. Mat personaliséierbaren Dimensiounen, Doping, an Orientatiounen, ass den 4H-SiC Ingot geschnidde fir déi evoluéierend Ufuerderunge vun der Hallefleitindustrie z'erreechen.
Wann Dir interesséiert sidd fir méi ze léieren oder eng Bestellung ze maachen, fillt Iech gratis fir detailléiert Spezifikatioune an technesch Berodung z'erreechen.