SiC-Barren 4H-Typ Duerchmiesser 4 Zoll 6 Zoll Déckt 5-10 mm Fuerschungs- / Dummy-Qualitéit

Kuerz Beschreiwung:

Siliziumkarbid (SiC) huet sech wéinst senge superieure elektreschen, thermeschen a mechaneschen Eegeschaften als Schlësselmaterial an fortgeschrattenen elektroneschen an optoelektroneschen Uwendungen erausgestallt. De 4H-SiC-Barr, deen an Duerchmiesser vu 4 Zoll an 6 Zoll mat enger Déckt vu 5-10 mm verfügbar ass, ass e Grondprodukt fir Fuerschungs- an Entwécklungszwecker oder als Dummy-Qualitéitsmaterial. Dëse Barr ass entwéckelt fir Fuerscher a Produzenten héichqualitativ SiC-Substrater ze bidden, déi fir d'Fabrikatioun vu Prototypen, experimentell Studien oder Kalibrierungs- a Testprozeduren gëeegent sinn. Mat senger eenzegaarteger hexagonaler Kristallstruktur bitt de 4H-SiC-Barr eng breet Uwendungsfäegkeet an der Leeschtungselektronik, Héichfrequenzgeräter a strahlungsbeständege Systemer.

Schéckt eis eng E-Mail

Produktdetailer

Produkt Tags

Eegeschaften

1. Kristallstruktur an Orientéierung
Polytyp: 4H (hexagonal Struktur)
Gitterkonstanten:
a = 3,073 Å
c = 10,053 Å
Orientéierung: Typesch [0001] (C-Fläch), awer aner Orientéierungen wéi [11\overline{2}0] (A-Fläch) sinn och op Ufro verfügbar.

2. Physikalesch Dimensiounen
Duerchmiesser:
Standardoptiounen: 4 Zoll (100 mm) an 6 Zoll (150 mm)
Déckt:
Verfügbar am Beräich vun 5-10 mm, personaliséierbar jee no Uwendungsufuerderungen.

3. Elektresch Eegeschaften
Dotierungstyp: Verfügbar an intrinsesch (hallefisoléierend), n-Typ (mat Stéckstoff dotiert) oder p-Typ (mat Aluminium oder Bor dotiert).

4. Thermesch a mechanesch Eegeschaften
Wärmeleitfäegkeet: 3,5-4,9 W/cm·K bei Raumtemperatur, wat eng exzellent Wärmeofleedung erméiglecht.
Häert: Mohs-Skala 9, wouduerch SiC nëmmen no Diamanten déi zweethärtegst ass.

Parameter	Detailer	Eenheet
Wuesstemsmethod	PVT (Physikaleschen Damptransport)
Duerchmiesser	50,8 ± 0,5 / 76,2 ± 0,5 / 100,0 ± 0,5 / 150 ± 0,5	mm
Polytyp	4H / 6H (50,8 mm), 4H (76,2 mm, 100,0 mm, 150 mm)
Uewerflächenorientéierung	0,0˚ / 4,0˚ / 8,0˚ ± 0,5˚ (50,8 mm), 4,0˚ ± 0,5˚ (anerer)	Grad
Typ	N-Typ
Déckt	5-10 / 10-15 / >15	mm
Primär flaach Orientéierung	(10-10) ± 5,0˚	Grad
Primär flaach Längt	15,9 ± 2,0 (50,8 mm), 22,0 ± 3,5 (76,2 mm), 32,5 ± 2,0 (100,0 mm), 47,5 ± 2,5 (150 mm)	mm
Sekundär flaach Orientéierung	90˚ géint d'Kuerzwénkel vun der Orientéierung ± 5,0˚	Grad
Sekundär flaach Längt	8,0 ± 2,0 (50,8 mm), 11,2 ± 2,0 (76,2 mm), 18,0 ± 2,0 (100,0 mm), Keen (150 mm)	mm
Grad	Fuerschung / Dummy

Uwendungen

1. Fuerschung an Entwécklung

De 4H-SiC-Barr a Fuerschungsqualitéit ass ideal fir akademesch an industriell Labore, déi sech op d'Entwécklung vu SiC-baséierten Apparater konzentréieren. Seng iwwerleeën kristallin Qualitéit erméiglecht präzis Experimenter mat SiC-Eegeschaften, wéi zum Beispill:
Studien iwwer d'Mobilitéit vun den Träger.
Techniken fir d'Charakteriséierung an d'Minimiséierung vu Feeler.
Optimiséierung vun epitaktischen Wuestumsprozesser.

2. Dummy-Substrat
Den Dummy-Grade-Barren gëtt wäit verbreet bei Tester, Kalibrierungen a Prototyping-Uwendungen agesat. Et ass eng käschtegënschteg Alternativ fir:
Prozessparameterkalibrierung an der chemescher Dampfdepositioun (CVD) oder der physescher Dampfdepositioun (PVD).
Evaluatioun vun Ätz- a Polierprozesser a Produktiounsëmfeld.

3. Leeschtungselektronik
Wéinst senger breeder Bandlück a senger héijer Wärmeleitfäegkeet ass 4H-SiC e Grondsteen fir d'Leeschtungselektronik, wéi zum Beispill:
Héichspannungs-MOSFETs.
Schottky-Barrièredioden (SBD).
Junction Field-Effect Transistoren (JFETs).
Zu den Uwendungen gehéieren Inverter fir Elektroautoen, Solarinverter a Smart Grids.

4. Héichfrequenzgeräter
Déi héich Elektronemobilitéit vum Material a seng niddreg Kapazitéitsverloschter maachen et gëeegent fir:
Radiofrequenz (RF) Transistoren.
Drahtlos Kommunikatiounssystemer, dorënner 5G Infrastruktur.
Uwendungen an der Loft- a Raumfaart a Verteidegung, déi Radarsystemer erfuerderen.

5. Stralungsbeständeg Systemer
Déi inherent Resistenz vu 4H-SiC géint Stralungsschued mécht et onverzichtbar an haarden Ëmfeld wéi:
Ausrüstung fir Weltraumfuerschung.
Iwwerwaachungsausrüstung fir Atomkraaftwierker.
Elektronik vu militärescher Qualitéit.

6. Nei Technologien
Mat dem Fortschrëtt vun der SiC-Technologie wuessen hir Uwendungen weider a Beräicher wéi:
Fuerschung am Beräich Photonik a Quantecomputer.
Entwécklung vun Héichleistungs-LEDs an UV-Sensoren.
Integratioun an Heterostrukture vu Hallefleiter mat breeder Bandlück.
Virdeeler vun 4H-SiC-Barren
Héich Rengheet: Hiergestallt ënner strenge Konditiounen fir Ongereinheeten an Defektdichte ze minimiséieren.
Skalierbarkeet: Verfügbar a souwuel 4-Zoll- wéi och 6-Zoll-Duerchmiesser fir Industriestandarden a Fuerschungsbedierfnesser z'ënnerstëtzen.
Vielfältegkeet: Upassungsfäeg un verschidden Dotiertypen an Orientéierungen, fir spezifesch Uwendungsufuerderungen gerecht ze ginn.
Robust Leeschtung: Iwwerleeën thermesch a mechanesch Stabilitéit ënner extremen Operatiounsbedingungen.

Conclusioun

De 4H-SiC-Barr, mat senge aussergewéinleche Eegeschaften a breede Uwendungsberäicher, steet un der Spëtzt vun der Materialinnovatioun fir Elektronik an Optoelektronik vun der nächster Generatioun. Egal ob se fir akademesch Fuerschung, industriell Prototyping oder fortgeschratt Apparatfabrikatioun benotzt ginn, dës Barren bidden eng zouverlässeg Plattform fir d'Grenze vun der Technologie ze verréckelen. Mat personaliséierbaren Dimensiounen, Dotierungen an Orientéierungen ass de 4H-SiC-Barr op déi sech entwéckelnd Ufuerderunge vun der Hallefleederindustrie zougeschnidden.
Wann Dir méi wësse wëllt oder eng Bestellung maache wëllt, zéckt net, eis fir detailléiert Spezifikatiounen an technesch Berodung ze kontaktéieren.