SiC Keramik Schachtplack Grafit mat CVD SiC Beschichtung fir Ausrüstung

Siliziumcarbid Keramik ginn net nëmmen an der Dënnfilmdepositiounsstadium benotzt, wéi Epitaxie oder MOCVD, oder an der Waferveraarbechtung, am Häerz vun deem d'Wafer Carrier Schacht fir MOCVD fir d'éischt dem Oflagerungsëmfeld ënnerworf ginn, a sinn dofir héich resistent géint Hëtzt a Korrosioun.SiC-beschichtete Träger hunn och eng héich thermesch Konduktivitéit an exzellent thermesch Verdeelungseigenschaften.

Pure Chemical Vapor Deposition Silicon Carbide (CVD SiC) Wafer Carrier fir héich Temperatur Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) Veraarbechtung.

Pure CVD SiC Wafer Carriers si wesentlech besser wéi déi konventionell Wafer Carriers déi an dësem Prozess benotzt ginn, déi Grafit sinn a mat enger Schicht CVD SiC beschichtet sinn. dës Beschichtete GRAPHITE-baséiert Träger kann net déi héich Temperaturen widderstoen (1100 ze 1200 Grad Celsius) néideg fir GaN Oflagerung vun haut d'héich Hellegkeet blo a wäiss gefouert. Déi héich Temperaturen verursaachen d'Beschichtung fir kleng Pinholes z'entwéckelen, duerch déi Prozesschemikalien d'Grafit drënner erodéieren. D'Graphitpartikelen flécken dann of a kontaminéieren de GaN, wat verursaacht datt de beschichtete Wafer Carrier ersat gëtt.

CVD SiC huet eng Rengheet vun 99,999% oder méi an huet héich thermesch Leit an thermesch Schock Resistenz. Dofir kann et déi héich Temperaturen an haart Ëmfeld vun der LED-Fabrikatioun mat héijer Hellegkeet widderstoen. Et ass e zolidd monolithescht Material dat theoretesch Dicht erreecht, minimal Partikel produzéiert a ganz héich Korrosiouns- an Erosiounsbeständegkeet weist. D'Material kann d'Opazitéit an d'Konduktivitéit änneren ouni metallesch Gëftstoffer aféieren. Wafer Carrier sinn typesch 17 Zoll Duerchmiesser a kënne bis zu 40 2-4 Zoll Wafere halen.