SiC Keramik-Tablett aus Grafit mat CVD SiC Beschichtung fir Ausrüstung

Siliziumkarbidkeramik gëtt net nëmmen an der Dënnschichtoflagerungsphase, wéi Epitaxie oder MOCVD, oder an der Waferveraarbechtung benotzt, wou d'Waferträgertablette fir MOCVD als éischt der Oflagerungsëmfeld ausgesat sinn a dofir héich resistent géint Hëtzt a Korrosioun sinn. SiC-beschichtete Träger hunn och eng héich thermesch Konduktivitéit an exzellent thermesch Verdeelungseigenschaften.

Siliziumcarbid (CVD SiC) Waferträger fir d'Veraarbechtung vu metallorganesche chemesche Vaporoflagerungen (MOCVD) bei héijen Temperaturen.

Reng CVD SiC Waferträger si wesentlech besser wéi déi konventionell Waferträger, déi an dësem Prozess benotzt ginn, déi aus Graphit sinn a mat enger Schicht CVD SiC beschichtet sinn. Dës beschichtete Graphit-baséiert Träger kënnen den héijen Temperaturen (1100 bis 1200 Grad Celsius) net aushalen, déi fir d'GaN-Oflagerung vun den haitegen héichhellegen bloen a wäissen LEDen erfuerderlech sinn. Déi héich Temperaturen verursaachen, datt an der Beschichtung kleng Lächer entstinn, duerch déi Prozesschemikalien de Graphit drënner erodéieren. D'Graphitpartikelen briechen dann of a kontaminéieren de GaN, wouduerch de beschichtete Waferträger ersat muss ginn.

CVD SiC huet eng Rengheet vun 99,999% oder méi an huet eng héich Wärmeleitfäegkeet a Wärmeschockbeständegkeet. Dofir kann et den héijen Temperaturen an den haarde Ëmfeld vun der Produktioun vun héichhellegen LEDs standhalen. Et ass e massivt monolithescht Material, dat eng theoretesch Dicht erreecht, minimal Partikelen produzéiert a ganz héich Korrosiouns- a Erosiounsbeständegkeet weist. D'Material kann d'Opazitéit an d'Leetfäegkeet änneren, ouni metallesch Ongereinheeten anzeféieren. Waferträger hunn typescherweis en Duerchmiesser vun 17 Zoll a kënnen bis zu 40 2-4 Zoll Waferen halen.