SiC Keramiktablett fir Waferträger mat Héichtemperaturbeständegkeet
Siliziumkarbid Keramiktablett (SiC-Tablett)
Eng héichperformant Keramikkomponent op Basis vu Siliziumkarbid (SiC), entwéckelt fir fortgeschratt industriell Uwendungen wéi Hallefleederproduktioun an LED-Produktioun. Zu senge Kärfunktioune gehéiert d'Déngscht als Waferträger, Ätzprozessplattform oder Héichtemperaturprozessënnerstëtzung, andeems se aussergewéinlech thermesch Leetfäegkeet, Héichtemperaturbeständegkeet a chemesch Stabilitéit notze kann, fir Prozessuniformitéit an Produktausbezuelung ze garantéieren.
Schlësselmerkmale
1. Thermesch Leeschtung
- Héich thermesch Konduktivitéit: 140–300 W/m·K, wat traditionellt Graphit (85 W/m·K) däitlech iwwertrëfft, wat eng séier Hëtzofleedung a reduzéiert thermesch Belaaschtung erméiglecht.
- Niddrege thermeschen Ausdehnungskoeffizient: 4,0 × 10⁻⁶/℃ (25–1000 ℃), enk mam Silizium iwwereneestëmmend (2,6 × 10⁻⁶/℃), wat d'Risike vun der thermescher Deformatioun miniméiert.
2. Mechanesch Eegeschaften
- Héich Festigkeit: Biegefestigkeit ≥320 MPa (20℃), resistent géint Kompressioun a Schlag.
- Héich Häert: Mohs-Häert 9,5, déi zweetgréisst nom Diamant, a bitt eng iwwerleeën Verschleißbeständegkeet.
3. Chemesch Stabilitéit
- Korrosiounsbeständegkeet: Bestänneg géint staark Säuren (z.B. HF, H₂SO₄), gëeegent fir Ätzprozessumfeld.
- Net-magnetesch: Intrinsesch magnetesch Suszeptibilität <1×10⁻⁶ emu/g, sou datt Interferenzen mat Präzisiounsinstrumenter vermeit ginn.
4. Extrem Ëmwelttoleranz
- Héichtemperaturhaltbarkeet: Laangzäitbetriebstemperatur bis zu 1600–1900 ℃; kuerzfristeg Resistenz bis zu 2200 ℃ (sauerstofffräi Ëmfeld).
- Thermeschockbeständegkeet: Widderstänn géint abrupt Temperaturännerungen (ΔT >1000 ℃) ouni Rëssbildung.
Uwendungen
| Applikatiounsberäich | Spezifesch Szenarien | Technesche Wäert |
| Hallefleiterproduktioun | Waferätzen (ICP), Dënnschichtoflagerung (MOCVD), CMP-Polierung | Héich thermesch Konduktivitéit garantéiert eenheetlech Temperaturfelder; niddreg thermesch Expansioun miniméiert Wafer-Verzerrung. |
| LED Produktioun | Epitaktesch Wuesstem (z.B. GaN), Wafer-Dëschveraarbechtung, Verpackung | Ënnerdréckt verschidde Defekter, verbessert d'Liichteffizienz an d'Liewensdauer vun LEDs. |
| Photovoltaikindustrie | Siliziumwafer-Sinteruewen, PECVD-Ausrüstungsënnerstëtzungen | Héichtemperatur- a Wärmeschockbeständegkeet verlängert d'Liewensdauer vun den Ausrüstungen. |
| Laser & Optik | Héichleistungs-Laser-Kühlsubstrate, optesch Systemënnerstëtzungen | Héich thermesch Konduktivitéit erméiglecht eng séier Hëtzofleedung a stabiliséiert optesch Komponenten. |
| Analytesch Instrumenter | TGA/DSC-Proufhalter | Déi niddreg Hëtzkapazitéit an déi séier thermesch Reaktioun verbesseren d'Miessgenauegkeet. |
Produktvirdeeler
- Ëmfangräich Leeschtung: Wärmeleitfäegkeet, Stäerkt a Korrosiounsbeständegkeet iwwerschreiden d'Aluminiumoxid- a Siliziumnitrid-Keramik wäit a erfëllen extremen operationellen Ufuerderungen.
- Liicht Design: Dicht vun 3,1–3,2 g/cm³ (40% vum Stol), wat d'Inertialbelaaschtung reduzéiert an d'Beweegungspräzisioun verbessert.
- Laang Liewensdauer & Zouverlässegkeet: D'Liewensdauer ass méi wéi 5 Joer bei 1600 ℃, wat d'Ausfallzäit reduzéiert an d'Betribskäschten ëm 30% senkt.
- Personnalisatioun: Ënnerstëtzt komplex Geometrien (z.B. poréis Saugnäppchen, Méischicht-Schachten) mat engem Flaachheetsfehler vun <15 μm fir Präzisiounsapplikatiounen.
Technesch Spezifikatiounen
| Parameterkategorie | Indikator |
| Physikalesch Eegeschaften | |
| Dicht | ≥3,10 g/cm³ |
| Biegefestigkeit (20℃) | 320–410 MPa |
| Wärmeleitfäegkeet (20℃) | 140–300 W/(m·K) |
| Thermeschen Ausdehnungskoeffizient (25–1000 ℃) | 4,0 × 10⁻⁶/℃ |
| Chemesch Eegeschaften | |
| Säurebeständegkeet (HF/H₂SO₄) | Keng Korrosioun no 24 Stonnen Tauchen |
| Präzisioun vun der Bearbeitung | |
| Flaachheet | ≤15 μm (300×300 mm) |
| Uewerflächenrauheet (Ra) | ≤0,4 μm |
D'Servicer vun XKH
XKH bitt ëmfaassend industriell Léisungen, déi individuell Entwécklung, Präzisiounsbearbechtung a rigoréis Qualitéitskontroll ëmfaassen. Fir individuell Entwécklung bitt et héichreine (>99,999%) a poréis (30–50% Porositéit) Materialléisungen, gepaart mat 3D-Modelléierung a Simulatioun fir komplex Geometrien fir Uwendungen wéi Hallefleeder an Loftfaart ze optimiséieren. D'Präzisiounsbearbechtung follegt engem streamlinede Prozess: Pulververaarbechtung → isostatesch/dréchen Pressen → 2200°C Sinteren → CNC/Diamantschleifen → Inspektioun, wat Nanometerpoléierung an ±0,01 mm Dimensiounstoleranz garantéiert. D'Qualitéitskontroll ëmfaasst komplett Prozesstester (XRD-Zesummesetzung, SEM-Mikrostruktur, 3-Punkt-Béien) an techneschen Support (Prozesoptimiséierung, 24/7 Berodung, 48-Stonne Proufliwwerung), wat zouverlässeg, héich performant Komponenten fir fortgeschratt industriell Bedierfnesser liwwert.
Dacks gestallte Froen (FAQ)
1. Q: Wéi eng Industrien benotzen Siliziumkarbid-Keramiktabletten?
A: Vill benotzt an der Hallefleiterfabrikatioun (Waferbehandlung), Solarenergie (PECVD-Prozesser), medizinescher Ausrüstung (MRI-Komponenten) an an der Loftfaart (Héichtemperaturdeeler) wéinst hirer extremer Hëtzebeständegkeet a chemescher Stabilitéit.
2. Q: Wéi iwwertrëfft Siliziumkarbid Quarz-/Glastabletten?
A: Méi héich Widderstandsfäegkeet géint Wärmeschock (bis zu 1800 °C am Verglach zu 1100 °C bei Quarz), keng magnetesch Stéierungen a méi laang Liewensdauer (5+ Joer am Verglach zu 6-12 Méint bei Quarz).
3. Q: Kënnen Siliziumkarbid-Schachte sauer Ëmfeld verkraften?
A: Jo. Beständeg géint HF, H2SO4 an NaOH mat <0,01 mm Korrosioun/Joer, wat se ideal fir chemesch Ätzen a Waferreinigung mécht.
4. Q: Sinn Siliziumkarbid-Schachte mat der Automatiséierung kompatibel?
A: Jo. Entworf fir Vakuumopnahm a robotergestëtzte Behandlung, mat enger Uewerflächenflaachheet vu <0,01 mm fir Partikelkontaminatioun an automatiséierte Fabriken ze vermeiden.
5. Q: Wéi ass de Präisvergläich mat traditionelle Materialien?
A: Méi héich Ufankskäschten (3-5x Quarz), awer 30-50% méi niddregen TCO wéinst der verlängerter Liewensdauer, reduzéierter Ausfallzäit an Energieerspuernisser duerch eng iwwerleeën Wärmeleitfäegkeet.
