SiC Keramikplack/Schacht fir 4 Zoll 6 Zoll Waferhalter fir ICP

Kuerz Beschreiwung:

D'SiC-Keramikplack ass eng héichperformant Komponent aus héichreinem Siliziumcarbid, déi fir den Asaz an extremen thermeschen, chemeschen a mechaneschen Ëmfeld entwéckelt gouf. Bekannt fir hir aussergewéinlech Häert, Wärmeleitfäegkeet a Korrosiounsbeständegkeet, gëtt d'SiC-Plack wäit verbreet als Waferträger, Susceptor oder strukturell Komponent an der Hallefleiter-, LED-, Photovoltaik- a Loftfaartindustrie benotzt.

Schéckt eis eng E-Mail

Fonctiounen

SiC Keramikplack Resumé

Mat aussergewéinlecher thermescher Stabilitéit bis zu 1600°C an exzellenter Resistenz géint reaktiv Gaser a Plasmaëmfeld garantéiert d'SiC-Plack eng konsequent Leeschtung bei Héichtemperatur-Ätzen, Oflagerungen an Diffusiounsprozesser. Seng dicht, net-poréis Mikrostruktur miniméiert d'Partikelbildung, wat se ideal fir ultra-propper Uwendungen am Vakuum oder a proppere Raim mécht.

SiC Keramikplack Applikatioun

1. Hallefleiterproduktioun

SiC-Keramikplacke gi meeschtens als Waferträger, Susceptoren a Sockelplacke an Hallefleederfabrikatiounsausrüstung wéi CVD (Chemical Vapor Deposition), PVD (Physical Vapor Deposition) an Ätzsystemer benotzt. Hir exzellent Wärmeleitfäegkeet an niddreg Wärmeausdehnung erlaben hinnen eng gläichméisseg Temperaturverdeelung ze halen, wat entscheedend fir héichpräzis Waferveraarbechtung ass. D'Resistenz vu SiC géint korrosiv Gasen a Plasmen garantéiert Haltbarkeet a rauen Ëmfeldbedingungen, wat hëlleft d'Partikelkontaminatioun an d'Ënnerhalt vun der Ausrüstung ze reduzéieren.

2. LED Industrie – ICP Ätzung

Am LED-Produktiounssecteur si SiC-Placke Schlësselkomponenten an ICP-Ätzsystemer (Induktiv gekoppelt Plasma). Als Waferhalter bidden si eng stabil an thermesch robust Plattform fir Saphir- oder GaN-Waferen während der Plasmaveraarbechtung z'ënnerstëtzen. Hir exzellent Plasmabeständegkeet, Uewerflächenflaachheet a Dimensiounsstabilitéit hëllefen eng héich Ätzgenauegkeet an Uniformitéit ze garantéieren, wat zu enger erhéichter Ausbezuelung an Apparatleistung an LED-Chips féiert.

3. Photovoltaik (PV) a Solarenergie

SiC-Keramikplacke ginn och an der Produktioun vu Solarzellen agesat, besonnesch bei Héichtemperatur-Sinter- a Glühschrëtt. Hir Inertitéit bei erhéichten Temperaturen an hir Fäegkeet, sech géint Verformung ze wierken, garantéieren eng konsequent Veraarbechtung vu Siliziumwaferen. Zousätzlech ass hiert niddregt Kontaminatiounsrisiko entscheedend fir d'Effizienz vu Photovoltaikzellen z'erhalen.

Eegeschafte vun der SiC-Keramikplack

1. Aussergewéinlech mechanesch Stäerkt an Häert

SiC-Keramikplacke weisen eng ganz héich mechanesch Festigkeit op, mat enger typescher Biegefestigkeit vu méi wéi 400 MPa an enger Vickers-Härkeet vu méi wéi 2000 HV. Dëst mécht se héich resistent géint mechanesch Verschleiung, Abrieb an Deformatioun, wat eng laang Liewensdauer och ënner héijer Belaaschtung oder widderholltem thermesche Zyklen garantéiert.

2. Héich thermesch Konduktivitéit

SiC huet eng exzellent Wärmeleitfäegkeet (typesch 120–200 W/m·K), wat et erlaabt, d'Hëtzt gläichméisseg iwwer seng Uewerfläch ze verdeelen. Dës Eegeschaft ass entscheedend a Prozesser wéi Waferätzen, Oflagerung oder Sintern, wou d'Temperaturuniformitéit direkt den Ausbezuelungs- a Qualitéitswäert vum Produkt beaflosst.

3. Iwwerleeën thermesch Stabilitéit

Mat engem héije Schmelzpunkt (2700 °C) an engem niddrege Koeffizient vun der thermescher Ausdehnung (4,0 × 10⁻⁶/K) behalen SiC Keramikplacken hir dimensional Genauegkeet a strukturell Integritéit ënner schnelle Heiz- a Killzyklen. Dëst mécht se ideal fir Uwendungen an Héichtemperaturuewen, Vakuumkammeren a Plasmaëmfeld.

Technesch Eegeschaften
Index	Eenheet	Wäert
Materialnumm		Reaktiounsgesintert Siliziumcarbid	Drocklos gesintert Siliziumkarbid	Rekristalliséiert Siliziumcarbid
Kompositioun		RBSiC	SSiC	R-SiC
Volumendicht	g/cm3	3	3,15 ± 0,03	2,60-2,70
Biegfestigkeit	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C) 90-100 (1400°C)
Kompressiounsstäerkt	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
Häert	Knoop	2700	2800	/
Zähegkeet briechen	MPa m³	4.5	4	/
Wärmeleitfäegkeet	W/mk	95	120	23
Koeffizient vun der thermescher Expansioun	10^-60,1/°C	5	4	4.7
Spezifesch Hëtzt	Joule/g 0k	0,8	0,67	/
Maximal Temperatur an der Loft	℃	1200	1500	1600
Elastizitéitsmodul	GPA	360	410	240

Froen an Äntwerten iwwer SiC-Keramikplack

Q: Wat sinn d'Eegeschafte vu Siliziumkarbidplacken?

A: Siliziumkarbid (SiC) Placke si bekannt fir hir héich Festigkeit, Häert a thermesch Stabilitéit. Si bidden eng exzellent thermesch Leetfäegkeet an eng niddreg thermesch Expansioun, wat eng zouverlässeg Leeschtung bei extremen Temperaturen garantéiert. SiC ass och chemesch inert, resistent géint Säuren, Alkalien a Plasmaëmfeld, wat et ideal fir d'Hallefleiter- an LED-Veraarbechtung mécht. Seng dicht, glat Uewerfläch miniméiert d'Partikelbildung a garantéiert d'Kompatibilitéit mat Cleanrooms. SiC Placke gi wäit verbreet als Waferträger, Susceptoren a Supportkomponenten an Héichtemperatur- a korrosiven Ëmfeld an der Hallefleiter-, Photovoltaik- a Loftfaartindustrie benotzt.