SiC Keramik Gabelarm / Endeffektor – Fortgeschratt Präzisiounsbehandlung fir d'Hallefleiterproduktioun

Kuerz Beschreiwung:

De SiC Keramik Gabelarm, dacks als Keramik Enn Effektor bezeechent, ass eng héich performant Präzisiounsbehandlungskomponent, déi speziell fir den Wafertransport, d'Ausriichtung an d'Positionéierung an High-Tech-Industrien entwéckelt gouf, besonnesch an der Hallefleeder- a Photovoltaikproduktioun. Dës Komponent, déi aus héichreinem Siliziumcarbid-Keramik hiergestallt gëtt, kombinéiert aussergewéinlech mechanesch Stäerkt, ultra-niddreg thermesch Expansioun an iwwerleeën Widderstandsfäegkeet géint Wärmeschock a Korrosioun.

Schéckt eis eng E-Mail

Fonctiounen

Detailéiert Diagramm

Produkt Iwwersiicht

Am Géigesaz zu traditionellen Endeffektoren aus Aluminium, Edelstol oder souguer Quarz bidden SiC Keramik Endeffektoren eng ongeëwennt Leeschtung a Vakuumkammeren, Cleanrooms an haarde Veraarbechtungsëmfeld, wat se zu engem Schlësseldeel vun de Wafer-Handhabungsroboter vun der nächster Generatioun mécht. Mat der wuessender Nofro fir kontaminatiounsfräi Produktioun a méi enken Toleranzen an der Chipproduktioun gëtt d'Benotzung vu Keramik Endeffektoren séier zum Industriestandard.

Produktiounsprinzip

D'Fabrikatioun vunSiC Keramik Enneffektorenëmfaasst eng Serie vun héichpräzisen, héichreine Prozesser, déi souwuel Leeschtung wéi och Haltbarkeet garantéieren. Zwee Haaptprozesser ginn typescherweis benotzt:

Reaktiounsgebonnen Siliziumkarbid (RB-SiC)

An dësem Prozess gëtt eng Virform aus Siliziumcarbidpulver a Bindemittel bei héijen Temperaturen (~1500°C) mat geschmolltem Silizium infiltréiert, wat mat Reschtkuelestoff reagéiert fir e dichten, steife SiC-Si-Komposit ze bilden. Dës Method bitt eng exzellent Dimensiounskontroll an ass kosteneffektiv fir eng grouss Produktioun.

Drocklos gesintert Siliziumkarbid (SSiC)

SSiC gëtt hiergestallt andeems ultrafein, héichreine SiC-Pulver bei extrem héijen Temperaturen (>2000°C) ouni Zousätz oder eng Bindephas gesintert gëtt. Dëst resultéiert an engem Produkt mat bal 100% Dicht an den héchste mechaneschen an thermeschen Eegeschafte vun alle SiC-Materialien. Et ass ideal fir ultrakritesch Waferbehandlungsapplikatiounen.

Noveraarbechtung

Präzisiouns-CNC-BearbechtungErreecht eng héich Flaachheet a Parallelitéit.
UewerflächenveraarbechtungDiamantpoléierung reduzéiert d'Uewerflächenrauheet op <0,02 µm.
InspektiounOptesch Interferometrie, CMM an net-destruktiv Tester ginn benotzt fir all Stéck ze verifizéieren.

Dës Schrëtt garantéieren, datt deSiC-Endeffektorliwwert eng konsequent Wafer-Placementgenauegkeet, exzellent Planaritéit a minimal Partikelgeneratioun.

Schlësselmerkmale a Virdeeler

Fonktioun	Beschreiwung
Ultrahéich Häert	Vickers-Härte > 2500 HV, resistent géint Verschleiung a Splitterung.
Niddreg thermesch Expansioun	CTE ~4,5×10⁻⁶/K, wat eng dimensional Stabilitéit am thermesche Zyklus erméiglecht.
Chemesch Inertitéit	Resistent géint HF, HCl, Plasmagaser an aner korrosiv Agenten.
Excellent Widderstandsfäegkeet géint thermesch Schock	Gëeegent fir séier Erhëtzen/Ofkillen a Vakuum- an Uewensystemer.
Héich Steifheet a Stäerkt	Ënnerstëtzt laang auskragende Gabeläerm ouni Oflenkung.
Niddreg Ausgasung	Ideal fir Ultrahochvakuum (UHV) Ëmfeld.
ISO Klass 1 Cleanroom-Ready	Partikelfräi Operatioun garantéiert d'Integritéit vun der Wafer.

Uwendungen

De SiC Keramik Gabelarm / Endeffektor gëtt wäit verbreet an Industrien agesat, déi extrem Präzisioun, Rengheet a chemesch Resistenz erfuerderen. Schlëssel Uwendungsszenarie sinn:

Hallefleiterproduktioun

Wafer Belueden/Entlueden an Depositiouns- (CVD, PVD), Ätzen (RIE, DRIE) a Reinigungssystemer.
Roboteriséierte Wafertransport tëscht FOUPs, Kassetten a Prozessinstrumenter.
Héichtemperaturbehandlung während der thermescher Veraarbechtung oder dem Glühen.

Produktioun vu Photovoltaikzellen

Delikaten Transport vu fragilen Siliziumwaferen oder Solarsubstrater an automatiséierte Linnen.

Flaachbildschiermindustrie (FPD)

Grouss Glaspanneauen oder Substrater an OLED/LCD-Produktiounsëmfeld beweegen.

Compound-Hallefleiter / MEMS

Benotzt a GaN-, SiC- a MEMS-Fabrikatiounslinnen, wou Kontaminatiounskontroll a Positionéierungsgenauegkeet entscheedend sinn.

Seng Roll als Endeffektor ass besonnesch entscheedend fir e defektfräien, stabile Handling bei sensiblen Operatiounen ze garantéieren.

Personnalisatiounsméiglechkeeten

Mir bidden eng ëmfangräich Upassung fir déi verschidden Ufuerderunge vun Ausrüstung a Prozesser gerecht ze ginn:

GabeldesignZwee-Punkt-, Multi-Finger- oder Split-Level-Layouts.
Kompatibilitéit vu WafergréisstenVun 2" bis 12" Waferen.
Montage-SchnittstellenKompatibel mat OEM Roboteräerm.
Déckt & UewerflächentoleranzenFlaachheet a Kantenofrondung op Mikronniveau verfügbar.
Anti-Rutsch-FunktiounenOptional Uewerflächentexturen oder Beschichtungen fir e séchere Wafergrëff.

JiddereenKeramik-Endeffektorgëtt zesumme mat Clienten entwéckelt fir eng präzis Anpassung mat minimale Werkzeugwiessel ze garantéieren.

Dacks gestallte Froen (FAQ)

Q1: Wéi ass SiC besser wéi Quarz fir eng Endeffektorapplikatioun?
A1:Obwuel Quarz dacks wéinst senger Rengheet benotzt gëtt, feelt et u mechanescher Zähegkeet a kann ënner Belaaschtung oder Temperaturschock briechen. SiC bitt eng iwwerleeën Stäerkt, Verschleißbeständegkeet a thermesch Stabilitéit, wat de Risiko vun Ausfallzäiten a Waferschued däitlech reduzéiert.

Q2: Ass dëse Keramikgabelarm kompatibel mat all robotesche Wafer-Handler?
A2:Jo, eis Keramik-Endeffektoren si kompatibel mat de meeschte grousse Wafer-Handhabungssystemer a kënnen mat präzisen Ingenieurszeechnunge un Är spezifesch Robotermodeller ugepasst ginn.

Q3: Kann et 300 mm Waferen ouni Verzerrung handhaben?
A3:Absolut. Déi héich Steifheet vum SiC erlaabt et souguer dënnen, laangen Gabeläerm, 300 mm Wafer sécher ze halen, ouni sech während der Bewegung ze duerchhängen oder ofzebéien.

Q4: Wat ass déi typesch Liewensdauer vun engem SiC-Keramik-Endeffektor?
A4:Bei richteger Benotzung kann en SiC-Endeffektor 5 bis 10 Mol méi laang halen wéi traditionell Quarz- oder Aluminiummodeller, dank senger exzellenter Resistenz géint thermesch a mechanesch Belaaschtung.

Q5: Bitt Dir Ersatzdeeler oder séier Prototyping-Servicer un?
A5:Jo, mir ënnerstëtzen eng séier Proufproduktioun a bidden Ersatzservicer op Basis vun CAD-Zeechnungen oder reverse-engineered Deeler aus existéierenden Ausrüstung.

Iwwer eis

XKH spezialiséiert sech op High-Tech-Entwécklung, Produktioun a Verkaf vu speziellem optesche Glas a neie Kristallmaterialien. Eis Produkter si fir optesch Elektronik, Konsumentelektronik a fir d'Militär geduecht. Mir bidden optesch Komponenten fir Saphir, Lënsenofdeckungen fir Handyen, Keramik, LT, Siliziumcarbid SIC, Quarz a Hallefleederkristallwaferen. Mat qualifizéierter Expertise a moderner Ausrüstung exceléiere mir an der Veraarbechtung vu Produkter ouni Standard, mat dem Zil, e féierend High-Tech-Entreprise fir optoelektronesch Materialien ze sinn.