SiC Keramik Enneffektor Handarm fir Wafertransport

SiC Keramik Enn Effektor Handling Aarm fir Wafer Transport Featured Image

Kuerz Beschreiwung:

LiNbO₃-Waferen representéieren de Goldstandard an der integréierter Photonik a Präzisiounsakustik a liwweren eng onvergläichlech Leeschtung a modernen optoelektronesche Systemer. Als féierende Produzent hu mir d'Konscht vun der Produktioun vun dësen entwéckelte Substrater duerch fortgeschratt Damptransport-Gläichgewiichtstechniken perfektionéiert, wouduerch mir eng brancheféierend kristallin Perfektioun mat Defektdichten ënner 50/cm² erreechen.

D'XKH-Produktiounskapazitéite reechen Duerchmiesser vu 75 mm bis 150 mm, mat präziser Orientéierungskontroll (X/Y/Z-Schnëtt ±0,3°) a spezialiséierten Dotieroptiounen, dorënner och selten Äerdmetaller. Déi eenzegaarteg Kombinatioun vun Eegeschafte vu LiNbO₃-Waferen – dorënner hire bemierkenswäerte r₃₃-Koeffizient (32 ± 2 pm/V) a breet Transparenz vu bal UV bis Mëtt-IR – mécht se onentbierlech fir photonesch Schaltkreesser an Héichfrequenz-akustesch Geräter vun der nächster Generatioun.

Schéckt eis eng E-Mail

Fonctiounen

SiC Keramik Enneffektor Resumé

Den SiC (Siliziumkarbid) Keramik-Endeffektor ass eng kritesch Komponent an héichpräzise Wafer-Handhabungssystemer, déi an der Hallefleederproduktioun an an fortgeschrattene Mikrofabrikatiounsëmfeld benotzt ginn. Dësen spezialiséierten Endeffektor ass entwéckelt fir den héijen Ufuerderunge vun ultra-propperen, héijen Temperaturen an héich stabilen Ëmfeld gerecht ze ginn, a garantéiert en zouverléissegen an kontaminatiounsfräien Transport vu Waferen während wichtege Produktiounsschritte wéi Lithographie, Ätzen an Oflagerung.

Duerch d'Notzung vun den iwwerleeënen Materialeigenschaften vu Siliziumkarbid - wéi héich Wärmeleitfäegkeet, extrem Häert, exzellent chemesch Inertitéit a minimal Wärmeausdehnung - bitt de SiC-Keramik-Endeffektor eng ongeëwen mechanesch Steifheet a dimensional Stabilitéit, och bei schnelle Wärmezyklen oder a korrosive Prozesskammeren. Seng niddreg Partikelgeneratioun a Plasmawiderstandscharakteristike maachen en besonnesch gëeegent fir Cleanroom- a Vakuumveraarbechtungsapplikatiounen, wou d'Erhalen vun der Integritéit vun der Waferoberfläche an d'Reduzéierung vun der Partikelkontaminatioun vun essentiellen Bedeitung sinn.

SiC Keramik Endeffektor Uwendung

1. Ëmgang mat Hallefleiterwaferen

SiC Keramik Endeffektoren gi wäit verbreet an der Hallefleiterindustrie fir d'Handhabung vu Siliziumwaferen während der automatiséierter Produktioun benotzt. Dës Endeffektoren sinn typescherweis op Roboteräerm oder Vakuumtransfersystemer montéiert a si fir Waferen a verschiddene Gréissten, wéi 200 mm an 300 mm, entwéckelt. Si si wesentlech a Prozesser wéi chemesch Dampfoflagerung (CVD), physikalesch Dampfoflagerung (PVD), Ätzen an Diffusioun - wou héich Temperaturen, Vakuumbedingungen a korrosiv Gase üblech sinn. Déi aussergewéinlech thermesch Resistenz a chemesch Stabilitéit vu SiC maachen et zu engem ideale Material fir sou haart Ëmfeld ouni Degradatioun standzehalen.

2. Kompatibilitéit mat proppere Raim a Vakuum

A Cleanroom- a Vakuumëmfeld, wou d'Partikelkontaminatioun miniméiert muss ginn, bitt SiC-Keramik bedeitend Virdeeler. Déi dicht, glat Uewerfläch vum Material widderstëtzt d'Partikelbildung an hëlleft d'Integritéit vun de Wafer beim Transport ze erhalen. Dëst mécht SiC-Endeffektoren besonnesch gutt geegent fir kritesch Prozesser wéi Extrem Ultraviolet Lithographie (EUV) an Atomic Layer Deposition (ALD), wou d'Propretéit entscheedend ass. Ausserdeem garantéieren déi niddreg Ausgasung an déi héich Plasmawiderstand vu SiC eng zouverlässeg Leeschtung a Vakuumkammeren, verlängert d'Liewensdauer vun Tools an reduzéiert d'Ënnerhaltsfrequenz.

3. Héichpräzis Positionéierungssystemer

Präzisioun a Stabilitéit si wichteg a fortgeschrattene Wafer-Handhabungssystemer, besonnesch a Metrologie-, Inspektiouns- an Ausriichtungsausrüstung. SiC-Keramik huet en extrem niddrege thermesche Expansiounskoeffizient an eng héich Steifheet, wat et dem Endeffektor erlaabt, seng strukturell Genauegkeet och ënner thermesche Zyklen oder mechanescher Belaaschtung ze behalen. Dëst garantéiert, datt d'Waferen beim Transport präzis ausgeriicht bleiwen, wat de Risiko vu Mikrokratzer, Fehlausriichtung oder Miessfeeler miniméiert - Faktoren, déi ëmmer méi kritesch bei Prozessknueten ënner 5nm ginn.

Eegeschafte vun der SiC-Keramik-Endeffektor

1. Héich mechanesch Stäerkt an Häert

SiC-Keramik huet eng aussergewéinlech mechanesch Stäerkt, mat enger Biegefestigkeit, déi dacks 400 MPa iwwerschreit, a Vickers-Härtewäerter vun iwwer 2000 HV. Dëst mécht se héich resistent géint mechanesch Belaaschtung, Schlag a Verschleiung, och no längerem operationellem Gebrauch. Déi héich Steifheet vum SiC miniméiert och d'Oflenkung bei Héichgeschwindegkeets-Wafertransferen, wat eng korrekt a widderhuelbar Positionéierung garantéiert.

2. Excellent thermesch Stabilitéit

Eng vun de wäertvollste Eegeschafte vu SiC-Keramik ass hir Fäegkeet, extrem héijen Temperaturen – dacks bis zu 1600 °C an inerten Atmosphären – standzehalen, ouni hir mechanesch Integritéit ze verléieren. Hire niddrege Koeffizient vun der thermescher Ausdehnung (~4,0 x 10⁻⁶ /K) garantéiert eng dimensional Stabilitéit bei thermesche Zyklen, wat se ideal fir Uwendungen wéi CVD, PVD an Héichtemperaturglühen mécht.

Froen an Äntwerten iwwer SiC-Keramik-Endeffektor

Q: Wat fir e Material gëtt am Wafer-End-Effektor benotzt?

A:Wafer-End-Effektore gi meeschtens aus Materialien hiergestallt, déi héich Festigkeit, thermesch Stabilitéit a geréng Partikelbildung bidden. Dorënner ass Siliziumcarbid (SiC) Keramik ee vun de fortgeschrattsten a bevorzugtste Materialien. SiC Keramik ass extrem haart, thermesch stabil, chemesch inert a resistent géint Verschleiung, wat se ideal mécht fir d'Handhabung vu empfindleche Siliziumwaferen a Cleanroom- a Vakuumëmfeld. Am Verglach mat Quarz oder beschichtete Metaller bitt SiC eng iwwerleeën Dimensiounsstabilitéit bei héijen Temperaturen a stellt keng Partikelen of, wat hëlleft Kontaminatioun ze vermeiden.