SiC
-
12 Zoll SIC-Substrat Siliziumkarbid-Prime-Grad Duerchmiesser 300 mm grouss Gréisst 4H-N Gëeegent fir Hëtzofleedung duerch héich Leeschtungsgeräter
-
8 Zoll SiC Siliziumkarbidwafer 4H-N Typ 0,5 mm Produktiounsqualitéit Fuerschungsqualitéit personaliséiert poléiert Substrat
-
HPSI SiC Wafer Duerchmiesser: 3 Zoll Déckt: 350µm ± 25 µm fir Leeschtungselektronik
-
3 Zoll Héichreinheets-Hallefisolatioun (HPSI) SiC-Wafer 350µm Dummy-Grad Prime Grad
-
P-Typ SiC-Substrat SiC-Wafer Dia2inch neit Produkt
-
8 Zoll 200 mm Siliziumcarbid SiC Waferen Typ 4H-N Produktiounsqualitéit 500µm Déckt
-
2 Zoll 6H-N Siliziumcarbid-Substrat Sic Wafer Duebelpoléiert Leetfäeg Prime Grad Mos Grad
-
Siliziumkarbid (SiC) Eenkristallsubstrat – 10×10mm Wafer
-
4H-N HPSI SiC Wafer 6H-N 6H-P 3C-N SiC Epitakzialwafer fir MOS oder SBD
-
SiC Epitaxialwafer fir Stroumversuergungsapparater – 4H-SiC, N-Typ, niddreg Defektdicht
-
4H-N Typ SiC epitaxial Wafer Héichspannung Héichfrequenz
-
3 Zoll héichreine (ondotéiert) Siliziumcarbidwaferen hallefisoléierend Sic-Substrater (HPSl)