Hallefleiterlaser-Lift-Off-Ausrüstung revolutionéiert d'Verdënnung vu Barren

Kuerz Beschreiwung:

D'Semiconductor Laser Lift-Off Equipment ass eng héich spezialiséiert industriell Léisung, déi fir präzis an kontaktlos Verdënnung vu Hallefleiterbarren duerch laserinduzéiert Lift-off-Techniken entwéckelt gouf. Dëst fortgeschratt System spillt eng zentral Roll a modernen Hallefleiter-Wafering-Prozesser, besonnesch bei der Fabrikatioun vun ultradënne Waferen fir héich performant Leeschtungselektronik, LEDs an HF-Geräter. Indem et d'Trennung vun dënne Schichten vu Bulk-Barren oder Donorsubstrater erméiglecht, revolutionéiert d'Semiconductor Laser Lift-Off Equipment d'Barrenverdënnung andeems mechanesch Sägen, Schleifen a chemesch Ätzschrëtt eliminéiert ginn.

Schéckt eis eng E-Mail

Fonctiounen

Detailéiert Diagramm

Produktintroduktioun vun der Hallefleiterlaser-Lift-Off-Ausrüstung

Traditionell Verdënnung vu Hallefleiterbarren, wéi Galliumnitrid (GaN), Siliziumcarbid (SiC) a Saphir, ass dacks arbeitsintensiv, verschwenderesch a ufälleg fir Mikrorëss oder Uewerflächeschued. Am Géigesaz dozou bitt Semiconductor Laser Lift-Off Equipment eng net-destruktiv, präzis Alternativ, déi Materialverloscht a Uewerflächenbelaaschtung miniméiert an d'Produktivitéit erhéicht. Et ënnerstëtzt eng breet Palette vu kristalline a verbonnene Materialien a kann nahtlos an Front-End- oder Midstream-Halbleiterproduktiounslinnen integréiert ginn.

Mat konfiguréierbare Laserwellenlängten, adaptiven Fokussystemer a vakuumkompatiblen Wafer-Chucks ass dës Ausrüstung besonnesch gutt geegent fir d'Schneiden vu Barren, d'Erstelle vu Lamellen an d'Ofschneiden vun ultradënne Filmer fir vertikal Apparatstrukturen oder heteroepitaxialen Schichttransfer.

Parameter vun der Hallefleiterlaser-Lift-Off-Ausrüstung

Wellelängt	IR/SHG/THG/FHG
Pulsbreet	Nanosekonn, Pikosekonn, Femtosekonn
Optescht System	Fest optescht System oder galvano-optescht System
XY-Bühn	500 mm × 500 mm
Veraarbechtungsberäich	160 mm
Bewegungsgeschwindegkeet	Max. 1.000 mm/Sekonn
Widderhuelbarkeet	±1 μm oder manner
Absolut Positiounsgenauegkeet:	±5 μm oder manner
Wafergréisst	2–6 Zoll oder personaliséiert
Kontroll	Windows 10, 11 a PLC
Stroumversuergungsspannung	AC 200 V ±20 V, Eenphasig, 50/60 kHz
Extern Dimensiounen	2400 mm (B) × 1700 mm (T) × 2000 mm (H)
Gewiicht	1.000 kg

Funktionsprinzip vun enger Hallefleiterlaser-Lift-Off-Ausrüstung

De Kärmechanismus vum Semiconductor Laser Lift-Off Equipment baséiert op selektiver photothermescher Zersetzung oder Ablatioun op der Grenzfläch tëscht dem Donorbarren an der epitaktischer oder Zilschicht. En héichenergeteschen UV-Laser (typesch KrF bei 248 nm oder Festkierper-UV-Laseren ëm 355 nm) gëtt duerch en transparenten oder semitransparenten Donormaterial fokusséiert, wou d'Energie selektiv an enger virbestëmmter Déift absorbéiert gëtt.

Dës lokaliséiert Energieabsorptioun erstellt eng Gasphas- oder thermesch Expansiounsschicht ënner héijem Drock op der Grenzfläch, déi d'propper Delaminatioun vun der ieweschter Wafer- oder Apparatschicht vun der Basis vum Barren initiéiert. De Prozess gëtt fein ofgestëmmt andeems Parameter wéi Pulsbreet, Laserfluenz, Scangeschwindegkeet a Brennwäit vun der Z-Achs ugepasst ginn. D'Resultat ass eng ultradënn Scheif - dacks am Beräich vun 10 bis 50 µm - déi propper vum Ursprungsbarr getrennt ass ouni mechanesch Ofdreiwung.

Dës Method vum Laser-Lift-Off fir d'Verdënnung vu Barren vermeit de Schnëttverloscht an d'Uewerflächeschued, déi mam Diamant-Drotsägen oder mechanesche Läppen verbonne sinn. Si erhält och d'Kristallintegritéit a reduzéiert d'Ufuerderunge fir d'Poléierung no ënnen, wat d'Hallefleiter-Laser-Lift-Off-Ausrüstung zu engem revolutionären Tool fir d'Waferproduktioun vun der nächster Generatioun mécht.

Hallefleiterlaser-Lift-Off-Ausrüstung revolutionéiert d'Barrverdënnung 2

Uwendungen vun Hallefleiterlaser-Lift-Off-Ausrüstung

Hallefleiterlaser-Lift-Off-Ausrüstung fënnt eng breet Uwendungsbereich beim Verdënnen vu Barren iwwer eng Rei vun fortgeschrattene Materialien an Apparattypen, dorënner:

GaN- a GaAs-Barrverdënnung fir Energieversuergungsapparater
Erméiglecht d'Erstelle vun dënne Waferen fir héicheffizient, niddregwiderstands Leeschtungstransistoren an Dioden.

SiC-Substratregeneratioun a Lamellentrennung
Erlaabt de Lift-off a Wafer-Skala vu Bulk-SiC-Substrater fir vertikal Apparatstrukturen a Wafer-Wiederverwendung.

LED Wafer Schneiden
Erliichtert d'Lift-off vu GaN-Schichten aus décke Saphirbarren fir ultradënn LED-Substrater ze produzéieren.

Fabrikatioun vun RF- a Mikrowellenapparater
Ënnerstëtzt ultradënn HEMT-Strukturen (High-Electron-Mobility Transistor), déi a 5G- a Radarsystemer gebraucht ginn.

Epitaktesch Schichttransfer
Trennt präzis epitaktesch Schichten vu kristalline Barren fir d'Wiederverwendung oder d'Integratioun an Heterostrukturen.

Dënnfilm-Solarzellen a Photovoltaik
Gëtt benotzt fir dënn Absorberschichten fir flexibel oder héicheffizient Solarzellen ze trennen.

An all dësen Domänen bitt Semiconductor Laser Lift-Off Equipment eng ongeëvenaart Kontroll iwwer d'Dickeuniformitéit, d'Uewerflächenqualitéit an d'Schichtintegritéit.

Virdeeler vun der laserbaséierter Ingotverdënnung

Materialverloscht ouni Schnëtt
Am Verglach mat traditionelle Wafer-Schneidmethoden resultéiert de Laserprozess an enger Materialauslastung vu bal 100%.

Minimal Stress a Verzerrung
Kontaktlosen Lift-off eliminéiert mechanesch Schwéngungen, reduzéiert d'Waferbéi an d'Bildung vu Mikrorëss.

Erhaalung vun der Uewerflächenqualitéit
A ville Fäll ass kee läschten oder poléieren nom Ausdënnen néideg, well de Laser-Lift-off d'Integritéit vun der Uewerfläch erhalen kann.

Héich Duerchgangs- a Bereetschaft fir Automatiséierung
Fäeg fir Honnerte vu Substrater pro Schicht mat automatiséierter Belueden/Entlueden ze veraarbechten.

Upassbar un verschidde Materialien
Kompatibel mat GaN, SiC, Saphir, GaAs an nei opkomende III-V Materialien.

Ëmweltfrëndlech méi sécher
Reduzéiert den Asaz vun Abrasiven a schaarfe Chemikalien, déi typesch fir Verdënnungsprozesser op Basis vu Schlamm sinn.

Substrat-Wiederverwendung
Spenderbarren kënne fir verschidde Lift-off-Zyklen recycléiert ginn, wat d'Materialkäschte staark reduzéiert.

Dacks gestallte Froen (FAQ) iwwer Hallefleiterlaser-Lift-Off-Ausrüstung

Q1: Wéi eng Dicke kann d'Hallefleiterlaser-Lift-Off-Ausrüstung fir Waferscheiwen erreechen?
A1:Déi typesch Schnëttdicke läit jee no Material a Konfiguratioun tëscht 10 an 100 µm.

Q2: Kann dës Ausrüstung benotzt ginn fir Barren aus opaken Materialien wéi SiC ze verdënnen?
A2:Jo. Duerch d'Ajustéiere vun der Laserwellenlängt an d'Optimiséierung vun der Grenzflächentechnik (z.B. Afferzwëscheschichten) kënnen och deelweis opak Materialien veraarbecht ginn.

Q3: Wéi gëtt den Donorsubstrat virum Laserlift-off ausgeriicht?
A3:De System benotzt op Submikron-Visioun baséiert Ausriichtungsmoduler mat Feedback vu Fiduzialmarken a Scans vun der Uewerflächenreflexioun.

Q4: Wat ass déi erwaart Zykluszäit fir eng Laser-Lift-off-Operatioun?
A4:Jee no Gréisst a Déckt vun de Waferen daueren typesch Zyklen tëscht 2 an 10 Minutten.

Q5: Erfuerdert de Prozess eng propper Raimlechkeet?
A5:Och wann et net obligatoresch ass, ass d'Integratioun vu Cleanrooms recommandéiert, fir d'Substratreinigung an den Apparaterausbezuelung bei héichpräzisen Operatiounen ze erhalen.

Iwwer eis

XKH spezialiséiert sech op High-Tech-Entwécklung, Produktioun a Verkaf vu speziellem optesche Glas a neie Kristallmaterialien. Eis Produkter si fir optesch Elektronik, Konsumentelektronik a fir d'Militär geduecht. Mir bidden optesch Komponenten fir Saphir, Lënsenofdeckungen fir Handyen, Keramik, LT, Siliziumcarbid SIC, Quarz a Hallefleederkristallwaferen. Mat qualifizéierter Expertise a moderner Ausrüstung exceléiere mir an der Veraarbechtung vu Produkter ouni Standard, mat dem Zil, e féierend High-Tech-Entreprise fir optoelektronesch Materialien ze sinn.