Hallefleiterausrüstung
-
12 Zoll Vollautomatesch Präzisiouns-Würfelsäge-Ausrüstung Wafer-Schneidsystem fir Si/SiC & HBM (Al)
-
Vollautomatesch Waferring-Schneidgeräter Aarbechtsgréisst 8 Zoll/12 Zoll Waferringschneiden
-
Laser Anti-Fälschungsmarkéierungsausrüstung Saphir Wafer Markéierung
-
Laser Anti-Fälschungsmarkéierungssystem fir Saphirsubstrater, Auerzifferblieder, Luxusbijouen
-
SiC Kristallwuesstumsuewen SiC Barrenwuesstum 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll PTV Lely TSSG LPE Wuesstumsmethod
-
Kleng Dëschlaser-Stanzmaschinn 1000W-6000W Mindestapertur 0,1MM kann fir Metallglaskeramikmaterialien benotzt ginn
-
Héichpräzisiounslaserbuermaschinn fir Saphirkeramikmaterial Edelsteenlagerdüsbuerung
-
Saphir-Eenkristall-Al2O3-Wuesstumsuewen KY-Method Kyropoulos-Produktioun vu qualitativ héichwäertege Saphirkristaller
-
Monokristallin Silizium-Wuesstumsuewen Monokristallin Silizium-Barren-Wuesstumssystem Ausrüstung Temperatur bis zu 2100 ℃
-
Saphirkristallwachstumsuewen Czochralski-Eenkristalluewen CZ-Method fir héichqualitativ Saphirwafer ze wuessen