Hallefleiterausrüstung
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SiC Kristallwuesstumsuewen SiC Barrenwuesstum 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll PTV Lely TSSG LPE Wuesstumsmethod
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Kleng Dëschlaser-Stanzmaschinn 1000W-6000W Mindestapertur 0,1MM kann fir Metallglaskeramikmaterialien benotzt ginn
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Héichpräzisiounslaserbuermaschinn fir Saphirkeramikmaterial Edelsteenlagerdüsbuerung
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Saphir-Eenkristall-Al2O3-Wuesstumsuewen KY-Method Kyropoulos-Produktioun vu qualitativ héichwäertege Saphirkristaller
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Monokristallin Silizium-Wuesstumsuewen Monokristallin Silizium-Barren-Wuesstumssystem Ausrüstung Temperatur bis zu 2100 ℃
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Saphirkristallwachstumsuewen Czochralski-Eenkristalluewen CZ-Method fir héichqualitativ Saphirwafer ze wuessen