Hallefisoléierend SiC op Si-Kompositsubstrater
| Artikelen | Spezifikatioun | Artikelen | Spezifikatioun |
| Duerchmiesser | 150±0,2mm | Orientéierung | <111>/<100>/<110> a sou weider |
| Polytyp | 4H | Typ | Artikelnummer |
| Widderstandsfäegkeet | ≥1E8ohm·cm | Flaachheet | Flaach/Kerb |
| Déckt vun der Transferschicht | ≥0,1μm | Kantenabschlag, Kratzer, Rëss (visuell Inspektioun) | Keen |
| Eidel | ≤5 Stéck/Wafer (2mm>D>0.5mm) | TTV | ≤5μm |
| Frontrauheet | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | Déckt | 500/625/675±25μm |
Dës Kombinatioun bitt eng Rei Virdeeler an der Elektronikproduktioun:
Kompatibilitéit: D'Benotzung vun engem Siliziumsubstrat mécht et kompatibel mat Standard-Silizium-baséierte Veraarbechtungstechniken an erméiglecht d'Integratioun mat existente Hallefleederherstellungsprozesser.
Héichtemperaturleistung: SiC huet eng exzellent thermesch Leetfäegkeet a ka bei héijen Temperaturen funktionéieren, wouduerch et fir elektronesch Uwendungen mat héijer Leeschtung an héijer Frequenz gëeegent ass.
Héich Duerchbrochspannung: SiC-Materialien hunn eng héich Duerchbrochspannung a kënnen héijen elektresche Felder ouni elektreschen Duerchbroch standhalen.
Reduzéierte Stroumverloscht: SiC-Substrater erlaben eng méi effizient Stroumkonversioun a manner Stroumverloscht an elektroneschen Apparater am Verglach mat traditionelle Siliziumbaséierte Materialien.
Breet Bandbreet: SiC huet eng breet Bandbreet, wat d'Entwécklung vun elektroneschen Apparater erlaabt, déi bei méi héijen Temperaturen a méi héijer Leeschtungsdicht funktionéiere kënnen.
Hallefisoléierend SiC op Si-Komposit-Substrater kombinéiert also d'Kompatibilitéit vu Silizium mat den iwwerleeënen elektreschen an thermesche Eegeschafte vu SiC, wouduerch et fir héichperformant Elektronikapplikatioune gëeegent ass.
Verpackung a Liwwerung
1. Mir benotzen Schutzplastik an eng personaliséiert Verpackung fir d'Verpakung. (Ëmweltfrëndlecht Material)
2. Mir kéinten personaliséiert Verpackungen no der Quantitéit maachen.
3. DHL/Fedex/UPS Express brauch normalerweis ongeféier 3-7 Aarbechtsdeeg fir op d'Destinatioun ze kommen.
Detailéiert Diagramm
