Semi-isoléierend SiC op Si Composite Substraten
| Artikelen | Spezifizéierung | Artikelen | Spezifizéierung |
| Duerchmiesser | 150 ± 0,2 mm | Orientéierung | <111>/<100>/<110> a sou weider |
| Polytyp | 4H | Typ | P/N |
| Resistivitéit | ≥1 E8ohm·cm | Flaachheet | Flaach / Notch |
| Transfer Layer Dicke | ≥0.1μm | Edge Chip, Scratch, Crack (visuell Inspektioun) | Keen |
| Void | ≤5ea/wafer (2mm>D>0.5mm) | TTV | ≤5 μm |
| Front Rauhegkeet | Ra ≤ 0,2 nm (5μm*5μm) | Dicke | 500/625/675 ± 25μm |
Dës Kombinatioun bitt eng Rei Virdeeler an der Elektronikfabrikatioun:
Kompatibilitéit: D'Benotzung vun engem Silizium-Substrat mécht et kompatibel mat Standard Silizium-baséiert Veraarbechtungstechniken an erlaabt Integratioun mat existéierende Hallefleeder-Fabrikatiounsprozesser.
Héichtemperaturleistung: SiC huet exzellent thermesch Konduktivitéit a kann bei héijen Temperaturen operéieren, sou datt et gëeegent ass fir héich Kraaft an Héichfrequenz elektronesch Uwendungen.
Héich Decompte Spannung: SiC Materialien hunn eng héich Decompte Volt a kënnen héich elektresch Felder ouni elektresch Decompte widderstoen.
Reduzéiert Kraaftverloscht: SiC Substrater erlaben méi effizient Kraaftkonversioun a manner Kraaftverloscht an elektroneschen Apparater am Verglach mat traditionelle Silizium-baséiert Materialien.
Breet Bandbreedung: SiC huet eng breet Bandbreedung, wat d'Entwécklung vun elektroneschen Apparater erlaabt, déi bei méi héijen Temperaturen a méi héijer Kraaftdichte funktionéiere kënnen.
Also semi-isoléierend SiC op Si Composite Substrater kombinéiert d'Kompatibilitéit vu Silizium mat de superieure elektreschen an thermesche Eegeschafte vu SiC, sou datt et gëeegent ass fir High-Performance Elektronik Uwendungen.
Verpakung a Liwwerung
1. Mir benotze Schutzplastik a personaliséiert Këschte fir ze packen. (Ëmweltfrëndlecht Material)
2. Mir kéinte personaliséiert Verpakung no der Quantitéit maachen.
3. DHL / Fedex / UPS Express dauert normalerweis ongeféier 3-7 Aarbechtsdeeg op d'Destinatioun.
Detailléiert Diagramm
