Saphir Eenkristall Ingot Ky Method Al2O3

Kuerz Beschreiwung:

Saphirkristall ass en héichwäertegen Eenzelkristall, deen aus héichreinegem Aluminiumoxid (Al₂O₃) mat Hëllef vun der Kyropoulos (KY) Method oder aner fortgeschrattenen Zuchtechniken gewuess ass. De resultéierende zylindreschen oder konischen Ingot huet eng glat, dicht Uewerfläch a minimal intern Defekter. Mat aussergewéinleche opteschen, mechaneschen a chemeschen Eegeschaften ass Saphir zu engem Schlësselmaterial fir Optoelektronik, Hallefleeder a Premium Konsumentelektronik ginn.

Schéckt eis eng E-Mail

Fonctiounen

Detailéiert Diagramm

py19sapphire_ingot_al2o3_monocrystal_ky_method_led_semiconductor_Energieversuergung

Saphir_Barre_al2o3_Monokristall_ky_Method_led_Hallefleiter_Engineerment

Iwwersiicht

800-Saphir_Barre_99_999_al2o3_Monokristall_KY_Method_LED_Hallefleiter_Energieversuergung

801-Saphir_Ingot_99_999_al2o3_Monokristall_KY_Method_LED_Hallefleiter_Energieversuergung

7414798-Saphir_Ingot_99_999_al2o3_Monokristall_KY_Method_LED_Hallefleiter_Energieversuergung

Schlësseleigenschaften

Extrem Häert
- Mohs-Härkeet vun 9, nëmmen zweet nom Diamant.
- Aussergewéinlech Kratzer- a Verschleißbeständegkeet garantéiert eng laang Liewensdauer.
Excellent optesch Leeschtung
- Héich Transmittanz (≥85%) vun ultraviolett bis infrarout Wellelängten (ongeféier 190 nm–5 µm).
- Stabile Breechungsindex vu ronn 1,76, wat eng präzis optesch Bildgebung an Transmissioun erméiglecht.
Aussergewéinlech thermesch Charakteristiken
- Den héije Schmelzpunkt vun ~2050 °C erméiglecht e verlässleche Betrib an Ëmfeld mat héijen Temperaturen.
- Eng gutt Wärmeleitfäegkeet (≈35 W/m·K bei Raumtemperatur) ënnerstëtzt eng effizient Wärmeofleedung.
Iwwerleeën chemesch Stabilitéit
- Resistent géint Säuren, Alkalien, Salzspray a meescht organesch Léisungsmëttel.
- Bleift chemesch inert am Vakuum, Inertgaser a staark oxidéierenden oder reduzéierenden Atmosphären.
Veraarbechtbarkeet an Uniformitéit
- KY-gewuess Kristaller weisen en eenheetlechen Duerchmiesser a geréng intern Spannung op.
- Kann no Clientspezifikatioune geschnidden, poléiert a beschichtet ginn, mat enger Uewerflächenrauheet vun esou niddreg wéi Ra ≤ 0,2 nm.

Typesch Uwendungen

LED & Hallefleitersubstrater
- Ideal Basis fir GaN, AlGaN an aner epitaktesch Materialien an héichhellegen LEDs, Laserdioden an Energieversuergungsapparater.
- Stabil Kristallqualitéit garantéiert eng héich Ausbezuelung an eng laang Liewensdauer vum Apparat.
Optesch an Infraroutfenster
- Gëeegent fir Infraroutkameraen, LiDAR-Systemer a Sensorfënsteren aus der Loftfaart.
- Funktionéiert zouverlässeg a rauen Ëmfeld wéi héijen Drock, Sand oder Mieresalzspray.
Konsumentelektronik
- Premium Auerhüllen, Smartphone Kameralënsenschutz a Fangerofdrocksensorhüllen.
- Kombinéiert ästhetesch Kloerheet mat aussergewéinlecher Kratzfestigkeit.
Industriell & wëssenschaftlech Ausrüstung
- Präzisiounslager, verschleißbeständeg Düsen, Héichdrock-Blüftungen.
- Komponenten fir héichleistungslaseren a fortgeschratt optesch Fuerschung.

Standard Spezifikatiounen (personaliséierbar)

Parameter	Typesch Gamme / Spezifikatioun
Chemesch Rengheet	≥99,99% Al₂O₃
Kristall Orientéierung	C-Fläch (0001), A-Fläch oder R-Fläch
Duerchmiesser	2–8 Zoll oder op Ufro vum Client
Längt/Déckt	20–200 mm personaliséierbar
Optesch Transmissioun	≥85% (sichtbar-IR-Beräich)
Biegfestigkeit	≥350 MPa
Uewerflächenrauheet	Ra ≤ 0,2 nm (poléiert Waferen)

FAQ

Q1. Aus wat ass e Saphir-Eenzelkristall gemaach?
A1. Et besteet aus héichreinegem Aluminiumoxid (Al₂O₃), dat mat der Kyropoulos (KY) Method zu enger Eenkristallstruktur gewuess ass.

Q2. Wéi eng Kristallorientéierunge gëtt et?
A2. Allgemeng Orientéierunge sinn d'C-Plan (0001), d'A-Plan an d'R-Plan. Mir kënnen d'Orientéierung no den Ufuerderunge vun Ärem Apparat upassen.

Q3. Wat sinn déi typesch Gréissten oder Duerchmiesser, déi Dir liwwere kënnt?
A3. Standardduerchmiesser reechen vun 2 bis 8 Zoll, mat Längt vun 20 bis 200 mm. Méi grouss oder speziell Gréissten kënnen op Ufro produzéiert ginn.

Q4. Kann de Saphir als Substrat fir LED- oder GaN-Wuesstum benotzt ginn?
A4. Jo. Eis zu Kentucky gewuess Saphirbarren hunn eng niddreg Dislokatiounsdicht an eng héich thermesch Stabilitéit, wat se zu ideale Substrate fir GaN-baséiert LEDs, Laserdioden an aner Hallefleederapplikatioune mécht.

Q5. Wéi eng optesch Eegeschafte bitt Saphir?
A5. Saphir léisst iwwer 85% vum Liicht vun ongeféier 190 nm am UV bis ongeféier 5 µm am Infrarout duerch, mat engem Breechungsindex vu ronn 1,76.

Iwwer eis

XKH spezialiséiert sech op High-Tech-Entwécklung, Produktioun a Verkaf vu speziellem optesche Glas a neie Kristallmaterialien. Eis Produkter si fir optesch Elektronik, Konsumentelektronik a fir d'Militär geduecht. Mir bidden optesch Komponenten fir Saphir, Lënsenofdeckungen fir Handyen, Keramik, LT, Siliziumcarbid SIC, Quarz a Hallefleederkristallwaferen. Mat qualifizéierter Expertise a moderner Ausrüstung exceléiere mir an der Veraarbechtung vu Produkter ouni Standard, mat dem Zil, e féierend High-Tech-Entreprise fir optoelektronesch Materialien ze sinn.