Saphir-Eenkristall-Al2O3-Wuesstumsuewen KY-Method Kyropoulos-Produktioun vu qualitativ héichwäertege Saphirkristaller
Produktvirstellung
D'Kyropoulos-Method ass eng Technik fir d'Zucht vun héichwäertege Saphirkristaller, där hiren Haaptzweck et ass, e gläichméissegt Wuesstum vu Saphirkristaller z'erreechen, andeems d'Temperaturfeld an d'Kristallwuesstumsbedingungen präzis kontrolléiert ginn. Folgend ass den spezifeschen Effekt vun der KY-Schäummethod op Saphirbarren:
1. Héichqualitativ Kristallwuesstem:
Niddreg Defektdicht: D'KY-Blasenwuesstumsmethod reduzéiert Verrécklungen a Defekter am Kristall duerch lues Ofkillung a präzis Temperaturkontroll, a wiisst héichwäerteg Saphirbarren.
Héich Uniformitéit: E uniformt thermescht Feld a Wuestumsquote garantéieren eng konsequent chemesch Zesummesetzung a physikalesch Eegeschafte vun de Kristaller.
2. Produktioun vu grousse Kristaller:
Groussduerchmiesserbarren: D'KY-Blasenwuesstumsmethod ass gëeegent fir de Wuesstum vu grousse Saphirbarren mat engem Duerchmiesser vun 200 mm bis 300 mm, fir den Ufuerderunge vun der Industrie u grousse Substrater gerecht ze ginn.
Kristallbarren: Duerch d'Optimiséierung vum Wuessprozess kënne méi laang Kristallbarren ugebaut ginn, fir d'Materialauslastungsquote ze verbesseren.
3. Héich optesch Leeschtung:
Héich Liichttransmissioun: KY-Wuesstums-Saphirkristallbarren hunn exzellent optesch Eegeschaften, héich Liichttransmissioun, gëeegent fir optesch an optoelektronesch Uwendungen.
Niddreg Absorptiounsquote: Reduzéiert den Absorptiounsverloscht vu Liicht am Kristall, verbessert d'Effizienz vun opteschen Apparater.
4. Excellent thermesch a mechanesch Eegeschaften:
Héich thermesch Konduktivitéit: Déi héich thermesch Konduktivitéit vu Saphirbarren ass gëeegent fir d'Ufuerderunge fir d'Hëtztofleedung vun Apparater mat héijer Leeschtung.
Héich Häert a Verschleißbeständegkeet: Saphir huet eng Mohs-Häert vun 9, déi nëmmen no Diamant iwwerschratt gëtt, an ass dofir gëeegent fir d'Fabrikatioun vu verschleißbeständege Stécker.
D'Kyropoulos-Method ass eng Technik fir d'Zucht vun héichwäertege Saphirkristaller, där hiren Haaptzweck et ass, e gläichméissegt Wuesstum vu Saphirkristaller z'erreechen, andeems d'Temperaturfeld an d'Kristallwuesstumsbedingungen präzis kontrolléiert ginn. Folgend ass den spezifeschen Effekt vun der KY-Schäummethod op Saphirbarren:
1. Héichqualitativ Kristallwuesstem:
Niddreg Defektdicht: D'KY-Blasenwuesstumsmethod reduzéiert Verrécklungen a Defekter am Kristall duerch lues Ofkillung a präzis Temperaturkontroll, a wiisst héichwäerteg Saphirbarren.
Héich Uniformitéit: E uniformt thermescht Feld a Wuestumsquote garantéieren eng konsequent chemesch Zesummesetzung a physikalesch Eegeschafte vun de Kristaller.
2. Produktioun vu grousse Kristaller:
Groussduerchmiesserbarren: D'KY-Blasenwuesstumsmethod ass gëeegent fir de Wuesstum vu grousse Saphirbarren mat engem Duerchmiesser vun 200 mm bis 300 mm, fir den Ufuerderunge vun der Industrie u grousse Substrater gerecht ze ginn.
Kristallbarren: Duerch d'Optimiséierung vum Wuessprozess kënne méi laang Kristallbarren ugebaut ginn, fir d'Materialauslastungsquote ze verbesseren.
3. Héich optesch Leeschtung:
Héich Liichttransmissioun: KY-Wuesstums-Saphirkristallbarren hunn exzellent optesch Eegeschaften, héich Liichttransmissioun, gëeegent fir optesch an optoelektronesch Uwendungen.
Niddreg Absorptiounsquote: Reduzéiert den Absorptiounsverloscht vu Liicht am Kristall, verbessert d'Effizienz vun opteschen Apparater.
4. Excellent thermesch a mechanesch Eegeschaften:
Héich thermesch Konduktivitéit: Déi héich thermesch Konduktivitéit vu Saphirbarren ass gëeegent fir d'Ufuerderunge fir d'Hëtztofleedung vun Apparater mat héijer Leeschtung.
Héich Häert a Verschleißbeständegkeet: Saphir huet eng Mohs-Häert vun 9, déi nëmmen no Diamant iwwerschratt gëtt, an ass dofir gëeegent fir d'Fabrikatioun vu verschleißbeständege Stécker.
Technesch Parameteren
| Numm | Donnéeën | Effekt |
| Wuesstemsgréisst | Duerchmiesser 200mm-300mm | Grouss Saphirkristall gëtt ugebueden, fir d'Bedierfnesser vu grousse Substrater gerecht ze ginn, an d'Produktiounseffizienz ze verbesseren. |
| Temperaturberäich | Maximal Temperatur 2100°C, Genauegkeet ±0,5°C | Héichtemperaturëmfeld garantéiert Kristallwuesstum, präzis Temperaturkontroll garantéiert Kristallqualitéit a reduzéiert Mängel. |
| Wuesstemsgeschwindegkeet | 0,5 mm/h - 2 mm/h | Kontrolléiert d'Wuesstumsquote vu Kristaller, optimiséiert d'Kristallqualitéit an d'Produktiounseffizienz. |
| Heizmethod | Wolfram- oder Molybdänheizung | Liwwert e uniformt thermescht Feld fir d'Temperaturkonsistenz während dem Kristallwuesstum ze garantéieren an d'Kristalluniformitéit ze verbesseren. |
| Killsystem | Effizient Waasser- oder Loftkillsystemer | Séchert e stabile Betrib vun der Ausrüstung, verhënnert Iwwerhëtzung an verlängert d'Liewensdauer vun der Ausrüstung. |
| Kontrollsystem | PLC oder Computerkontrollsystem | Erreecht en automatiséierten Operatiouns- a Echtzäit-Iwwerwaachungsprozess fir d'Produktiounsgenauegkeet an d'Effizienz ze verbesseren. |
| Vakuumëmfeld | Héichvakuum- oder Inertgasschutz | Verhënnert d'Oxidatioun vu Kristaller fir d'Reinheet a Qualitéit vum Kristall ze garantéieren. |
Aarbechtsprinzip
De Funktionsprinzip vum Saphirkristalluewen mat der KY-Method baséiert op der Kristallwuesstemstechnologie vun der KY-Method (Bubble Growth Method). De Grondprinzip ass:
1. Schmëlze vum Réistoff: Den Al2O3 Réistoff, deen am Wolfram-Tigel gefëllt ass, gëtt duerch den Heizkierper op de Schmëlzpunkt erhëtzt, fir eng geschmollte Zopp ze bilden.
2. Kontakt vum Somkristall: Nodeems de Flëssegkeetsniveau vun der geschmollte Flëssegkeet stabiliséiert ass, gëtt de Somkristall an déi geschmollte Flëssegkeet getippt, där hir Temperatur vun iwwer der geschmollte Flëssegkeet streng kontrolléiert gëtt, an de Somkristall an déi geschmollte Flëssegkeet fänken un, Kristaller mat der selwechter Kristallstruktur wéi de Somkristall op der Feststoff-Flëssegkeet-Grenzfläche ze wuessen.
3. Kristallhalsbildung: De Keimkristall rotéiert sech mat ganz lueser Geschwindegkeet no uewen a gëtt eng Zäit laang gezunn, fir e Kristallhals ze bilden.
4. Kristallwuesstum: Nodeems d'Erstarrungsquote vun der Grenzfläch tëscht der Flëssegkeet an dem Keimkristall stabil ass, zitt a rotéiert de Keimkristall net méi, a kontrolléiert nëmmen d'Ofkillungsquote, fir datt de Kristall vun uewen no ënnen erstarrt a schliisslech e komplette Saphir-Eenzelkristall wiisst.
Benotzung vu Saphirkristallbarren nom Wuesstum
1. LED-Substrat:
Héichhellegkeets-LED: Nodeems Saphirbarren an e Substrat geschnidden goufen, gëtt se benotzt fir GAN-baséiert LED ze produzéieren, déi wäit verbreet an der Beliichtung, am Display an an der Hannergrondbeliichtung benotzt gëtt.
Mini/Micro LED: Déi héich Flaachheet an déi niddreg Defektdicht vum Saphirsubstrat si gëeegent fir d'Hierstellung vun héichopléisende Mini/Micro LED-Displays.
2. Laserdiod (LD):
Blo Laser: Saphirsubstrate gi benotzt fir blo Laserdioden fir Datenspeicher, medizinesch an industriell Veraarbechtungsapplikatiounen ze produzéieren.
Ultraviolettlaser: Déi héich Liichttransmittanz a thermesch Stabilitéit vu Saphir si gëeegent fir d'Hierstellung vun ultraviolettlaseren.
3. Optesch Fënster:
Héich Liichttransmissiounsfenster: Saphirbarren ginn benotzt fir optesch Fënsteren fir Laser, Infraroutapparater an High-End Kameraen ze produzéieren.
Verschleißbeständegkeetsfenster: Déi héich Häert a Verschleißbeständegkeet vu Saphir maachen et gëeegent fir den Asaz an haarden Ëmfeld.
4. Epitaktesch Halbleitersubstrat:
GaN epitaktesch Wuesstem: Saphirsubstrate gi benotzt fir GaN epitaktesch Schichten ze wuessen, fir Transistoren mat héijer Elektronenmobilitéit (HEMTs) an HF-Apparater ze produzéieren.
AlN epitaktesch Wuesstem: gëtt benotzt fir déif ultraviolett LEDs a Laser ze produzéieren.
5. Konsumentelektronik:
Smartphone Kamera Deckplack: Saphirbarren ginn benotzt fir eng héichhärteg a kratzbeständeg Kamera Deckplack ze maachen.
Smartwatch-Spigel: Déi héich Verschleißbeständegkeet vu Saphir mécht en gëeegent fir d'Produktioun vun High-End-Smartwatch-Spiegelen.
6. Industriell Uwendungen:
Verschleissdeeler: Saphirbarren ginn benotzt fir Verschleissdeeler fir industriell Ausrüstung ze produzéieren, wéi Lager an Düsen.
Héichtemperatursensoren: Déi chemesch Stabilitéit an Héichtemperatureegeschafte vu Saphir si gëeegent fir d'Hierstellung vun Héichtemperatursensoren.
7. Loft- a Raumfaart:
Héichtemperaturfenster: Saphirbarren ginn benotzt fir Héichtemperaturfenster a Sensoren fir Loftfaartausrüstung ze produzéieren.
Korrosiounsbeständeg Deeler: Déi chemesch Stabilitéit vu Saphir mécht en gëeegent fir d'Fabrikatioun vu korrosiounsbeständegen Deeler.
8. Medizinesch Ausrüstung:
Héichpräzis Instrumenter: Saphirbarren ginn benotzt fir héichpräzis medizinesch Instrumenter wéi Skalpellen an Endoskopen ze produzéieren.
Biosensoren: D'Biokompatibilitéit vu Saphir mécht en gëeegent fir d'Hierstellung vu Biosensoren.
XKH kann hire Clienten eng komplett Palette vun One-Stop-Servicer fir Saphiruewenausrüstung am KY-Prozess ubidden, fir sécherzestellen, datt d'Clienten eng ëmfaassend, fristgerecht an effektiv Ënnerstëtzung am Gebrauchsprozess kréien.
1. Verkaf vun Ausrüstung: Verkafsdéngschter fir Saphiruewenausrüstung no der KY-Method ubidden, inklusiv verschidde Modeller a Spezifikatioune vun der Ausrüstungsauswiel, fir de Produktiounsbedürfnisser vun de Clienten gerecht ze ginn.
2. Techneschen Support: Clienten d'Installatioun, d'Inbetriebsetzung, de Betrib an aner Aspekter vum techneschen Support vun Ausrüstung ze bidden, fir sécherzestellen, datt d'Ausrüstung normal funktionéiere kann an déi bescht Produktiounsresultater erreecht.
3. Trainingsservicer: Fir Clienten de Betrib, d'Ënnerhalt an aner Aspekter vun den Trainingsservicer vun der Ausrüstung ze bidden, fir Clienten ze hëllefen, sech mam Betribsprozess vun der Ausrüstung vertraut ze maachen, an d'Effizienz vun der Notzung vun der Ausrüstung ze verbesseren.
4. Personnaliséiert Servicer: Geméiss de spezielle Bedierfnesser vun de Clienten, personaliséiert Ausrüstungsservicer ubidden, dorënner Ausrüstungsdesign, Fabrikatioun, Installatioun an aner Aspekter vu personaliséierte Léisungen.
Detailéiert Diagramm
