Saphirkristallwachstumsuewen KY Kyropoulos Method fir d'Produktioun vu Saphirwaferen an optesche Fënsteren

Saphirkristall-Wuesstumsuewen KY Kyropoulos Method fir d'Produktioun vu Saphirwaferen an optesche Fënsteren Ausgewielt Bild

Kuerz Beschreiwung:

Dës Ausrüstung fir d'Wuesstum vu Saphirkristaller benotzt déi international féierend Kyropoulos (KY) Method, speziell fir d'Wuesstum vu Saphir-Eenkristaller mat groussen Duerchmiesser a wéineg Defekter entwéckelt. D'KY-Method erméiglecht eng präzis Kontroll vum Zuch vun de Keimkristaller, der Rotatiounsgeschwindegkeet an den Temperaturgradienten, wouduerch d'Wuesstum vu Saphirkristaller bis zu engem Duerchmiesser vun 12 Zoll (300 mm) bei héijen Temperaturen (2000–2200°C) méiglech ass. D'KY-Method-Systemer vun XKH gi wäit verbreet an der industrieller Produktioun vu 2–12-Zoll C/A-Plane Saphirwaferen an optesche Fënsteren agesat, wouduerch eng monatlech Produktioun vun 20 Eenheeten erreecht gëtt. D'Ausrüstung ënnerstëtzt Dotierungsprozesser (z. B. Cr³⁰-Dotierung fir d'Rubinsynthese) a liwwert Kristallqualitéit mat:

Verrécklungsdicht <100/cm²

Transmittanz >85% @ 400–5500 nm

Schéckt eis eng E-Mail

Fonctiounen

Aarbechtsprinzip

De Kärprinzip vun der KY-Method besteet doran, héichreine Al₂O₃-Rohmaterialien an engem Wolfram/Molybdän-Tigel bei 2050°C ze schmëlzen. E Keimkristall gëtt an d'Schmëlz erofgesat, gefollegt vun engem kontrolléierten Ofzuch (0,5–10 mm/h) an enger Rotatioun (0,5–20 rpm), fir e geriichtete Wuesstum vun den α-Al₂O₃-Eenkristaller z'erreechen. Schlësselmerkmale sinn:

• Groussdimensionéiert Kristaller (max. Φ400 mm × 500 mm)
• Saphir vun optescher Qualitéit mat gerénger Belaaschtung (Wellenfrontverzerrung <λ/8 @ 633 nm)
• Dotiert Kristaller (z.B. Ti³⁰-Dotierung fir Stärsaphir)

Kär Systemkomponenten

1. Héichtemperatur-Schmelzsystem
• Wolfram-Molybdän-Komposit-Tichel (max. Temperatur 2300°C)
• Multizonen-Graphitheizung (±0,5°C Temperaturkontroll)

2. Kristallwuesstemssystem
• Servo-gedriwwenen Zéimechanismus (±0,01 mm Präzisioun)
• Magnéitesch Flëssegkeetsdichtung (0–30 rpm stufenlos Geschwindegkeetsreguléierung)

3. Thermesch Feldkontroll
• 5-Zonen onofhängeg Temperaturkontroll (1800–2200°C)
• Verstellbare Hëtzeschëld (±2°C/cm Gradient)
• Vakuum- & Atmosphärsystem
• 10⁻⁴ Pa Héichvakuum
• Ar/N₂/H₂ Gemëschgaskontroll

4. Intelligent Iwwerwaachung
• CCD Echtzäit Kristallduerchmiesser Iwwerwaachung
• Multispektral Schmelzniveaudetektioun

Methodvergläich tëscht KY a CZ

Parameter	KY-Method	CZ-Method
Maximal Kristallgréisst	Φ400 mm	Φ200 mm
Wuestumsquote	5–15 mm/h	20–50 mm/h
Defektdicht	<100/cm²	500–1000/cm²
Energieverbrauch	80–120 kWh/kg	50–80 kWh/kg
Typesch Uwendungen	Optesch Fënsteren/grouss Waferen	LED-Substrater/Bijouen

Schlësselapplikatiounen

1. Optoelektronesch Fënsteren
• Militäresch IR-Kuppelen (Transmittanz >85%@3–5 μm)
• UV-Laserfënsteren (bestinn géint eng Leeschtungsdicht vun 200 W/cm²)

2. Hallefleitersubstrater
• GaN epitaktesch Waferen (2–8 Zoll, TTV <10 μm)
• SOI-Substrater (Uewerflächenrauheet <0,2 nm)

3. Konsumentelektronik
• Deckelglas vun der Smartphone-Kamera (Mohs-Härkeet 9)
• Smartwatch-Displays (10x Verbesserung vun der Kratzbeständegkeet)

4. Spezialiséiert Materialien
• Héichreine IR-Optik (Absorptiounskoeffizient <10⁻³ cm⁻¹)
• Observatiounsfënstere vum Kärreaktor (Stralungstoleranz: 10¹⁶ n/cm²)

Virdeeler vun der Kyropoulos (KY) Saphirkristall-Wuesstumsausrüstung

D'Ausrüstung fir d'Wuesstum vu Saphirkristaller op Basis vun der Kyropoulos (KY) Method bitt ongegläichten technesch Virdeeler a positionéiert se als eng modern Léisung fir d'Produktioun a industrieller Skala. Schlësselvirdeeler sinn:

1. Fäegkeet fir grouss Duerchmiesser: Fäeg fir Saphirkristaller mat engem Duerchmiesser vu bis zu 300 mm ze wuessen, wat eng héich Ausbezuelungsproduktioun vu Waferen an optesche Komponenten fir fortgeschratt Uwendungen wéi GaN-Epitaxie a Fënstere fir militäresch Zwecker erméiglecht.

2. Ultra-niddreg Defektdicht: Erreecht Verrécklungsdichten <100/cm² duerch optiméierten Thermofelddesign a präzis Temperaturgradientkontroll, wat eng iwwerleeën Kristallintegritéit fir optoelektronesch Apparater garantéiert.

3. Héichqualitativ optesch Leeschtung: Liwwert eng Transmittanz vu méi wéi 85% iwwer siichtbar bis infrarout Liichtspektren (400–5500 nm), entscheedend fir UV-Laserfënsteren an Infraroutoptik.

4. Fortgeschratt Automatiséierung: Mat servogedriwwenen Zéimechanismen (±0,01 mm Präzisioun) a magnetesche Flëssegkeetsrotatiounsdichtung (0–30 rpm stupflos Kontroll), wat de mënschlechen Interventioun miniméiert an d'Konsistenz verbessert.

5. Flexibel Dotierungsoptiounen: Ënnerstëtzt Personnaliséierung mat Dotierungsmëttel wéi Cr³⁰ (fir Rubin) an Ti³⁰ (fir Stärsaphir), fir Nischenmäert an der Optoelektronik a Bijouen.

6. Energieeffizienz: Optiméiert Wärmeisolatioun (Wolfram-Molybdän-Titel) reduzéiert den Energieverbrauch op 80–120 kWh/kg, wat kompetitiv mat alternativen Wuessmethoden ass.

7. Skalierbar Produktioun: Erreecht eng monatlech Produktioun vu méi wéi 5.000 Waferen mat schnelle Zykluszäiten (8–10 Deeg fir 30–40 kg Kristaller), validéiert vu méi wéi 200 weltwäiten Installatiounen.

8. Haltbarkeet a militärescher Qualitéit: Enthält strahlungsbeständeg Designen an hëtzebeständeg Materialien (beständeg fir 10¹⁶ n/cm²), essentiell fir Loftfaart- a Nuklearanwendungen.
Dës Innovatiounen stäerken d'KY-Method als Goldstandard fir d'Produktioun vun héichperformante Saphirkristaller, wat d'Fortschrëtter an der 5G-Kommunikatioun, dem Quantecomputer an den Verteidegungstechnologien ugedriwwen huet.

XKH Servicer

XKH bitt ëmfaassend, schlësselfäerdeg Léisunge fir Saphirkristall-Wuesstumssystemer, déi d'Installatioun, d'Prozesoptimiséierung an d'Personalausbildung ëmfaassen, fir eng nahtlos operationell Integratioun ze garantéieren. Mir liwweren virvalidéiert Wuesstumsrezepter (50+), déi op verschidden industriell Bedierfnesser zougeschnidden sinn, wat d'Fuerschungs- an Entwécklungszäit fir d'Clienten däitlech reduzéiert. Fir spezialiséiert Uwendungen erméiglechen personaliséiert Entwécklungsservicer d'Personaliséierung vun der Kavitéit (Φ200–400 mm) an fortgeschratt Dotiersystemer (Cr/Ti/Ni), déi héich performant optesch Komponenten a strahlungsbeständeg Materialien ënnerstëtzen.

Zu de Wäerterhéijungsdéngschter gehéieren d'Veraarbechtung nom Wuesstum wéi Schneiden, Schleifen a Polieren, ergänzt duerch eng komplett Gamme vu Saphirprodukter wéi Waferen, Réier a Blanke aus Edelsteen. Dës Offeren zielen op Secteuren vun der Konsumentelektronik bis zur Loft- a Raumfaart of. Eise techneschen Support garantéiert eng 24-Méint Garantie an Echtzäit-Ferndiagnostik, wat minimal Ausfallzäiten an eng nohalteg Produktiounseffizienz garantéiert.