Produkter
-
SiC Keramik Spannfutterschacht Keramik-Saugnäppchen Präzisiounsbearbechtung personaliséiert
-
Saphirfaserduerchmiesser 75-500μm LHPG-Method kann fir Saphirfaser-Héichtemperatursensor benotzt ginn
-
Saphirfaser Eenkristall Al₂O₃ mat héijem opteschen Transmittanzschmëlzpunkt vun 2072℃ kann fir Laserfënstermaterialien benotzt ginn
-
Gemustert Saphir-Substrat PSS 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll ICP Drécheätzung kann fir LED-Chips benotzt ginn
-
Kleng Dëschlaser-Stanzmaschinn 1000W-6000W Mindestapertur 0,1MM kann fir Metallglaskeramikmaterialien benotzt ginn
-
Saphir-Thermoelement-Schutzröhrchenprodukter fir industriell Notzung Eenkristall Al2O3
-
Héichpräzisiounslaserbuermaschinn fir Saphirkeramikmaterial Edelsteenlagerdüsbuerung
-
Saphir-Eenkristall-Al2O3-Wuesstumsuewen KY-Method Kyropoulos-Produktioun vu qualitativ héichwäertege Saphirkristaller
-
2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Gemustert Saphir Substrat (PSS), op deem GaN Material ugebaut gëtt, kann fir LED Beliichtung benotzt ginn
-
4H-N/6H-N SiC Wafer Reasearch Produktioun Dummy Grade Dia 150mm Siliziumkarbidsubstrat
-
Monokristallin Silizium-Wuesstumsuewen Monokristallin Silizium-Barren-Wuesstumssystem Ausrüstung Temperatur bis zu 2100 ℃
-
Saphirkristallwachstumsuewen Czochralski-Eenkristalluewen CZ-Method fir héichqualitativ Saphirwafer ze wuessen