Produkter
-
Saphir Quadrat-Saatkristall – Präzisiounsorientéiert Substrat fir synthetescht Saphirwuesstum
-
Siliziumkarbid (SiC) Eenkristallsubstrat – 10×10mm Wafer
-
Diamant Drot Dräi-Statioun Eenzel-Drot Schneidmaschinn fir Si Wafer/Optesch Glas Material Schneiden
-
Giel Saphir Rohmaterial aus engem Laboratoire fir d'Bijouproduktioun entwéckelt
-
Aluminiumoxid Keramik Endeffektor / Gabelarm fir Wafer- a Substratbehandlung
-
Wafer-Orientéierungssystem fir Kristallorientéierungsmiessung
-
SiC Keramiktablett fir Waferträger mat Héichtemperaturbeständegkeet
-
SiC Keramik Gabelarm / Endeffektor – Fortgeschratt Präzisiounsbehandlung fir d'Hallefleiterproduktioun
-
Siliziumkarbid-Keramiktablett – Haltbar, héich performant Tablette fir thermesch a chemesch Uwendungen
-
Héichleistungs-Aluminiumoxid-Keramik-Endeffektor (Gabelarm) fir Halbleiter- a Cleanroom-Automatiséierung
-
Schmelz Quarzröhren personaliséierbar Gréissten fir industriell a Laborgebrauch
-
SiO₂ Quarzwafer Quarzwaferen SiO₂ MEMS Temperatur 2″ 3″ 4″ 6″ 8″ 12″