Produkter
-
p-Typ 4H/6H-P 3C-N TYPE SIC Substrat 4 Zoll 〈111〉± 0,5° Zero MPD
-
SiC Substrat P-Typ 4H/6H-P 3C-N 4 Zoll mat enger Dicke vun 350um Produktiounsgrad Dummy Grad
-
4H/6H-P 6inch SiC wafer Zero MPD grade Production Grade Dummy Grade
-
P-Typ SiC Wafer 4H/6H-P 3C-N 6 Zoll Dicke 350 μm mat Primär Flat Orientatioun
-
Alumina Keramik Arm Benotzerdefinéiert Keramik Roboter Arm
-
Saphir Tube KY Method all transparent Customizable
-
Al2O3 99.999% Saphir Custom Blade transparent verschleißbeständeg 38×4.5×0.3mmt
-
Saphir Blade Hoer Transplantatioun kann fir medizinesch Zwecker personaliséiert ginn
-
Flieder YAG Rohmaterial Pudder purpur op Lager
-
TVG Prozess op Quarz Saphir BF33 wafer Glas wafer punching
-
Single Crystal Silicon Wafer Si Substrat Typ N / P Optional Silicon Carbide Wafer
-
N-Type SiC Komposit Substrat Dia6inch Héich Qualitéit Monokristallin a geréng Qualitéit Substrat