Produkter
-
Industriell Saphir-Liftstang a -Stift, héichhärteg Al2O3 Saphir-Stift fir Waferbehandlung, Radarsystem a Hallefleiterveraarbechtung – Duerchmiesser 1,6 mm bis 2 mm
-
Personnaliséiert Saphir Lift Pin, héichhärteg Al2O3 Eenkristall optesch Deeler fir Wafertransfer - Duerchmiesser 1,6 mm, 1,8 mm, personaliséierbar fir industriell Uwendungen
-
Saphir Kugellëns, optesch Qualitéit Al2O3 Material, Transmissiounsberäich 0,15-5,5µm, Duerchmiesser 1mm 1,5mm
-
Saphirkugel Dia 1.0 1.1 1.5 fir optesch Kugellëns héichhärteg Eenzelkristall
-
Saphir Diameter faarweg Saphir Diameter fir Auer, personaliséierbaren Diameter 40 38mm Déckt 350µm 550µm, héich transparent
-
InSb Wafer 2 Zoll 3 Zoll ondotéiert Ntyp P Typ Orientéierung 111 100 fir Infraroutdetektoren
-
Indium Antimonid (InSb) Waferen N Typ P Typ Epi Ready ondotéiert Te dotiert oder Ge dotiert 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll Déckt Indium Antimonid (InSb) Waferen
-
2 Zoll Eenzelwaferkassetten-Wafer-Boxmaterial PP oder PC Benotzt a Wafer-Mënzléisungen 1 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 5 Zoll 6 Zoll 12 Zoll sinn verfügbar
-
SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C Typ 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch
-
KY an EFG Saphir Method Tube Saphirstangen Päif Héichdrock
-
Saphirbarre 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Monokristall CZ KY Method personaliséierbar
-
GaAs Héichleistungs-Epitaxial-Wafer-Substrat Galliumarsenid-Wafer-Leistungslaserwellenlängt 905nm fir Lasermedizinesch Behandlung