Produkter
-
Galliumnitrid op Siliziumwafer 4 Zoll 6 Zoll Moossgeschneidert Si-Substrat Orientéierung, Widderstand an N-Typ/P-Typ Optiounen
-
Personnaliséiert GaN-op-SiC epitaxial Waferen (100mm, 150mm) – Verschidde SiC Substratoptiounen (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)
-
GaN-op-Diamant-Waferen 4 Zoll 6 Zoll Gesamt Epi-Déckt (Mikron) 0,6 ~ 2,5 oder personaliséiert fir Héichfrequenzapplikatiounen
-
FOSB Wafer-Tragkëscht 25 Schlitzer fir 12 Zoll Wafer Präzisiounsofstand fir automatiséiert Operatiounen Ultra-propper Materialien
-
12 Zoll (300 mm) Versandkëscht mat Frontöffnung FOSB Wafer-Tragkëscht Kapazitéit 25 Stéck fir Waferbehandlung a Versand Automatiséiert Operatiounen
-
Präzisiouns-monokristallin Silizium (Si)-Lënsen – Benotzerdefinéiert Gréissten a Beschichtungen fir Optoelektronik an Infraroutbildgebung
-
Personnaliséiert héichreine Singlekristall Silizium (Si) Lënsen – Moossgeschneidert Gréissten a Beschichtungen fir Infrarout- an THz-Applikatiounen (1,2-7µm, 8-12µm)
-
Personnaliséiert Saphir Stufenoptescht Fënster, Al2O3 Eenzelkristall, héich Rengheet, Duerchmiesser 45mm, Déckt 10mm, Lasergeschnidden a poléiert
-
Héichleistungs-Saphir-Schrëttfenster, Al2O3-Eenkristall, transparent beschichtet, personaliséiert Formen a Gréissten fir präzis optesch Uwendungen
-
Héichleistungs-Saphir-Liftpin, puren Al2O3-Eenkristall fir Wafertransfersystemer – personaliséiert Gréissten, héich Haltbarkeet fir Präzisiounsapplikatiounen
-
Industriell Saphir-Liftstang a -Stift, héichhärteg Al2O3 Saphir-Stift fir Waferbehandlung, Radarsystem a Hallefleiterveraarbechtung – Duerchmiesser 1,6 mm bis 2 mm
-
Personnaliséiert Saphir Lift Pin, héichhärteg Al2O3 Eenkristall optesch Deeler fir Wafertransfer - Duerchmiesser 1,6 mm, 1,8 mm, personaliséierbar fir industriell Uwendungen