Produkter
-
4H-N 4 Zoll SiC Substrat wafer Silicon Carbide Production Dummy Research grade
-
Héich Präzisioun Dia50x5mmt Saphir Windows Héich Temperatur Resistenz an héich hardness
-
6 Zoll 150 mm Silicon Carbide SiC Wafers 4H-N Typ fir MOS oder SBD Produktiounsfuerschung an Dummy Grad
-
Schrëtt Lächer Dia25.4 × 2.0mmt Saphir optesch Lens Fënsteren
-
2 Zoll 50,8 mm Single Wafer Carrier Box vu PC a PP
-
Saphir Fënster opteschen Elementer Beschichtete Multi-Gréisst Spezifikatioune Optesch Infraroutstrahlung Fënster
-
2 Zoll 50.8mm Germanium Wafer Substrat Single Kristallsglas produzéiert 1SP 2SP
-
3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll LiNbO3 Wafer Substrat Single Kristallmaterial
-
2 Zoll 50,8 mm Single Wafer Carrier Box vu PC a PP
-
8 Zoll Lithium Niobate Wafer LiNbO3 LN wafer
-
50,8 mm 2 Zoll GaN op Saphir Epi-Layer wafer
-
2 Zoll 50,8 mm Saphir Wafer C-Plane M-Plane R-Plane A-Plane Dicke 350um 430um 500um