P-Typ SiC Wafer 4H/6H-P 3C-N 6 Zoll Dicke 350 μm mat Primär Flat Orientatioun

P-Typ SiC Wafer 4H/6H-P 3C-N 6 Zoll Dicke 350 μm mat Primär flaach Orientéierung Featured Image

Kuerz Beschreiwung:

De P-Typ SiC Wafer, 4H / 6H-P 3C-N, ass e 6-Zoll Hallefleitmaterial mat enger Dicke vun 350 μm a primär flaach Orientéierung, entwéckelt fir fortgeschratt elektronesch Uwendungen. Bekannt fir seng héich thermesch Konduktivitéit, héich Decomptespannung, a Resistenz zu extremen Temperaturen a korrosiven Ëmfeld, ass dëse Wafer gëeegent fir héich performant elektronesch Geräter. D'P-Typ Doping stellt Lächer als primär Ladendréier vir, wat et ideal mécht fir Kraaftelektronik a RF Uwendungen. Seng robust Struktur suergt fir stabil Leeschtung ënner Héichspannungs- an Héichfrequenzbedéngungen, sou datt et gutt gëeegent ass fir Kraaftapparater, Héichtemperaturelektronik, an héicheffizient Energiekonversioun. Déi primär flaach Orientéierung garantéiert eng korrekt Ausrichtung am Fabrikatiounsprozess, bitt Konsistenz bei der Fabrikatioun vum Apparat.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Spezifizéierung4H / 6H-P Typ SiC Komposit Substraten Gemeinsam Parametertabell

6 Zoll Duerchmiesser Silicon Carbide (SiC) Substrat Spezifizéierung

Grad			Null MPD ProduktiounGrad (Z Grad)	Standard ProduktiounGrad (P Grad)	Dummy Grad (D Grad)
Duerchmiesser			145,5 mm ~ 150,0 mm
Dicke			350 μm ± 25 μm
Wafer Orientatioun			-OffAchs: 2.0°-4.0° Richtung [1120] ± 0.5° fir 4H/6H-P, Op der Achs:〈111〉± 0.5° fir 3C-N
Mikropipe Dicht			0 cm-2
Resistivitéit	p-Typ 4H/6H-P		≤0,1 Ωꞏcm		≤0,3 Ωꞏcm
	n-Typ 3C-N		≤0,8 mΩꞏcm		≤1 m Ωꞏcm
Primär flaach Orientéierung		4H/6H-P	-{1010} ± 5,0°
		3C-N	-{110} ± 5,0°
Primär flaach Längt			32,5 mm ± 2,0 mm
Sekundär flaach Längt			18,0 mm ± 2,0 mm
Secondary Flat Orientation			Silicon Gesiicht erop: 90 ° CW. aus Prime flaach ± 5,0°
Rand Ausgrenzung			3 mm		6 mm
LTV/TTV/Bow/Warp			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rauhegkeet			Polnesch Ra≤1 nm
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra≤0,5 nm
Edge Cracks Vun High Intensity Light			Keen		Kumulativ Längt ≤ 10 mm, eenzeg Längt ≤ 2 mm
Hex Placke Vun High Intensity Light			Kumulativ Fläch ≤0,05%		Kumulativ Fläch ≤0,1%
Polytype Beräicher Vun High Intensitéit Light			Keen		Kumulative Beräich ≤3%
Visual Carbon Inklusiounen			Kumulativ Fläch ≤0,05%		Kumulative Beräich ≤3%
Silicon Surface Scratches Duerch High Intensity Light			Keen		Kumulativ Längt ≤1 × wafer Duerchmiesser
Edge Chips High By Intensity Light			Keen erlaabt ≥0.2mm Breet an Déift		5 erlaabt, ≤1 mm all
Silicon Surface Kontaminatioun Duerch Héich Intensitéit			Keen
Verpakung			Multi-wafer Kassett oder Single Wafer Container

Notizen:

※ Mängelgrenzen gëllen op déi ganz Waferfläch ausser fir d'Randausgrenzungsberäich. # D'Kratzen sollen op Si Gesiicht o gepréift ginn

De P-Typ SiC Wafer, 4H / 6H-P 3C-N, mat senger 6-Zoll Gréisst an 350 μm Dicke, spillt eng entscheedend Roll an der industrieller Produktioun vun High-Performance Power Elektronik. Seng exzellent thermesch Konduktivitéit an héich Decomptespannung maachen et ideal fir d'Fabrikatioun vun Komponenten wéi Stroumschalter, Dioden, an Transistoren, déi an héijen Temperaturen Ëmfeld wéi elektresch Gefierer, Stroumnetz an erneierbar Energiesystemer benotzt ginn. D'Kapazitéit vum Wafer fir effizient an haarde Konditiounen ze bedreiwen garantéiert zouverlässeg Leeschtung an industriellen Uwendungen déi héich Kraaftdicht an Energieeffizienz erfuerderen. Zousätzlech hëlleft seng primär flaach Orientéierung a präzis Ausrichtung wärend der Gerätfabrikatioun, verbessert d'Produktiounseffizienz a Produktkonsistenz.

D'Virdeeler vun N-Typ SiC Komposit Substrate enthalen

Héich thermesch Konduktivitéit: P-Typ SiC Wafers dissipéieren effizient Hëtzt, sou datt se ideal sinn fir Héichtemperaturapplikatiounen.
Héich Decompte Volt: Kapabel fir héich Spannungen ze widderstoen, Zouverlässegkeet an der Kraaftelektronik an Héichspannungsapparater ze garantéieren.
Resistenz géint haart Ëmfeld: Exzellent Haltbarkeet an extremen Konditiounen, wéi héich Temperaturen a korrosive Ëmfeld.
Effikass Power Konversioun: D'P-Typ Doping erliichtert effizient Kraaftveraarbechtung, sou datt de Wafer gëeegent ass fir Energiekonversiounssystemer.
Primär flaach Orientéierung: Assuréiert präzis Ausrichtung wärend der Fabrikatioun, verbessert Gerät Genauegkeet a Konsistenz.
Dënn Struktur (350 μm): Déi optimal Dicke vum Wafer ënnerstëtzt d'Integratioun an fortgeschratt, raumbegrenzte elektronesch Apparater.

Insgesamt bitt de P-Typ SiC Wafer, 4H / 6H-P 3C-N, eng Rei vu Virdeeler, déi et héich gëeegent fir industriell an elektronesch Uwendungen maachen. Seng héich thermesch Konduktivitéit an Ënnerbriechungsspannung erméiglechen zouverlässeg Operatioun an héijen Temperaturen an Héichspannungsëmfeld, wärend seng Resistenz géint haart Konditiounen Haltbarkeet garantéiert. De P-Typ Doping erlaabt eng effizient Kraaftkonversioun, sou datt et ideal ass fir Kraaftelektronik an Energiesystemer. Zousätzlech suergt déi primär flaach Orientéierung vum Wafer eng präzis Ausrichtung wärend dem Fabrikatiounsprozess, d'Produktiounskonsistenz verbessert. Mat enger Dicke vun 350 μm ass et gutt gëeegent fir Integratioun an fortgeschratt, kompakt Apparater.