P-Typ SiC-Substrat SiC-Wafer Dia2inch neit Produkt

P-Typ Siliziumcarbid-Substrater ginn dacks benotzt fir Energieversuergungsapparater ze maachen, wéi zum Beispill Insulate-Gate Bipolartransistoren (IGBTs).

IGBT= MOSFET+BJT, wat en On-Off-Schalter ass. MOSFET=IGFET (Metalloxid-Hallefleiter-Feldeffektröhre oder isoléierte Gate-Typ Feldeffekttransistor). BJT (Bipolare Junction Transistor, och bekannt als Transistor), bipolar bedeit, datt et zwou Zorte vun Elektronen- an Lachträger am Leetungsprozess bedeelegt sinn, allgemeng gëtt et eng PN-Jüngung, déi un der Leetung bedeelegt ass.

De 2-Zoll p-Typ Siliziumcarbid (SiC) Wafer ass am 4H oder 6H Polytyp. En huet ähnlech Eegeschafte wéi n-Typ Siliziumcarbid (SiC) Waferen, wéi héich Temperaturbeständegkeet, héich thermesch Leetfäegkeet an héich elektresch Leetfäegkeet. p-Typ SiC Substrate ginn dacks bei der Fabrikatioun vu Stroumversuergungskomponenten benotzt, besonnesch fir d'Fabrikatioun vun isoléierte-Gate bipolare Transistoren (IGBTs). Den Design vun IGBTs involvéiert typescherweis PN-Verbindungen, wou p-Typ SiC virdeelhaft ass fir d'Verhale vum Komponent ze kontrolléieren.