P-Typ SiC Substrat SiC wafer Dia2inch neit Produkt

Kuerz Beschreiwung:

2 Zoll P-Typ Silicon Carbide (SiC) Wafer an entweder 4H oder 6H polytype. Et huet ähnlech Eegeschafte wéi d'N-Typ Silicon Carbide (SiC) wafer, wéi héich Temperatur Resistenz, héich thermesch Leit, héich elektresch Leit, etc. P-Typ SiC Substrat gëtt allgemeng fir d'Fabrikatioun vun Muecht Apparater benotzt, besonnesch d'Fabrikatioun vun Isoléiert Gate Bipolar Transistoren (IGBT). Den Design vun IGBT implizéiert dacks PN Kräizungen, wou P-Typ SiC kann avantagéis sinn fir d'Behuele vun den Apparater ze kontrolléieren.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

P-Typ Siliziumkarbidsubstrater ginn allgemeng benotzt fir Kraaftapparater ze maachen, sou wéi Insulate-Gate Bipolar Transistoren (IGBTs).

IGBT = MOSFET + BJT, wat en On-Off Schalter ass. MOSFET = IGFET (Metalloxid Hallefleeder Feldeffektröhre, oder isoléiert Gate Typ Feldeffekttransistor). BJT (Bipolar Junction Transistor, och bekannt als Transistor), bipolar heescht datt et zwou Aarte vun Elektronen a Lachträger am Leedungsprozess op der Aarbecht involvéiert sinn, allgemeng gëtt et PN Kräizung an der Leedung involvéiert.

Den 2-Zoll p-Typ Siliziumcarbid (SiC) Wafer ass a 4H oder 6H Polytyp. Et huet ähnlech Eegeschafte wéi n-Typ Siliziumkarbid (SiC) Wafere, sou wéi héich Temperaturresistenz, héich thermesch Konduktivitéit an héich elektresch Konduktivitéit. p-Typ SiC Substrate ginn allgemeng an der Fabrikatioun vu Kraaftapparater benotzt, besonnesch fir d'Fabrikatioun vun isoléierte Gate bipolare Transistoren (IGBTs). den Design vun IGBTs beinhalt typesch PN Kräizungen, wou p-Typ SiC avantagéis ass fir d'Behuele vum Apparat ze kontrolléieren.