p-Typ 4H/6H-P 3C-N TYP SIC Substrat 4 Zoll 〈111〉± 0,5°Null MPD

Kuerz Beschreiwung:

De P-Typ 4H/6H-P 3C-N SiC-Substrat, 4 Zoll mat enger 〈111〉± 0,5° Orientéierung an Zero MPD (Micro Pipe Defect) Qualitéit, ass en héichperformant Hallefleitermaterial, dat fir d'Fabrikatioun vun fortgeschrattenen elektroneschen Apparater entwéckelt gouf. Bekannt fir seng exzellent Wärmeleitfäegkeet, héich Duerchbrochspannung a staark Resistenz géint héich Temperaturen a Korrosioun, ass dëst Substrat ideal fir Leeschtungselektronik an HF-Applikatiounen. De Zero MPD-Qualitéit garantéiert minimal Defekter a garantéiert Zouverlässegkeet a Stabilitéit an Héichperformant-Apparater. Seng präzis 〈111〉± 0,5° Orientéierung erlaabt eng präzis Ausriichtung während der Fabrikatioun, wouduerch et fir grouss Produktiounsprozesser gëeegent ass. Dëst Substrat gëtt wäit verbreet an Héichtemperatur-, Héichspannungs- an Héichfrequenz-elektroneschen Apparater, wéi Stroumwandler, Inverter an HF-Komponenten, benotzt.

Schéckt eis eng E-Mail

Produktdetailer

Produkt Tags

4H/6H-P Typ SiC Kompositsubstrater Gemeinsam Parametertabell

4 Zoll Duerchmiesser SiliziumKarbid (SiC) Substrat Spezifikatioun

Grad			Null MPD Produktioun Klass (Z Grad)	Standardproduktioun Grad (P Grad)	Dummy-Klass (D Grad)
Duerchmiesser			99,5 mm~100,0 mm
Déckt			350 μm ± 25 μm
Wafer Orientéierung			Off-axis: 2,0°-4,0° Richtung [11]2(-)0] ± 0,5° fir 4H/6H-P, On-Achs: 〈111〉± 0,5° fir 3C-N
Mikropäifdicht			0 cm-2
Widderstandsfäegkeet	p-Typ 4H/6H-P		≤0,1 Ωꞏcm		≤0,3 Ωꞏcm
	n-Typ 3C-N		≤0,8 mΩꞏcm		≤1 m Ωꞏcm
Primär flaach Orientéierung		4H/6H-P	- {1010} ± 5,0°
		3C-N	- {110} ± 5,0°
Primär flaach Längt			32,5 mm ± 2,0 mm
Sekundär flaach Längt			18,0 mm ± 2,0 mm
Sekundär flaach Orientéierung			Silikon-Uewerfläch no uewen: 90° mat der rietser Säit vun der Prime-Flaach±5,0°
Randausgrenzung			3 mm		6 mm
LTV/TTV/Béi/Verzerrung			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rauheet			Polnesch Ra≤1 nm
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra≤0,5 nm
Kantrëss duerch héichintensivt Liicht			Keen		Kumulativ Längt ≤ 10 mm, eenzel Längt ≤ 2 mm
Sechseckplacken duerch héichintensivt Liicht			Kumulativ Fläch ≤0,05%		Kumulativ Fläch ≤0,1%
Polytypberäicher duerch héichintensivt Liicht			Keen		Kumulativ Fläch ≤3%
Visuell Kuelestoffinklusiounen			Kumulativ Fläch ≤0,05%		Kumulativ Fläch ≤3%
Siliziumoberfläche kraazt duerch héichintensivt Liicht			Keen		Kumulativ Längt ≤1 × Waferduerchmiesser
Kantchips mat héijer Intensitéit vum Liicht			Keen erlaabt ≥0,2 mm Breet an Déift		5 erlaabt, ≤1 mm all
Siliziumoberflächenkontaminatioun duerch héich Intensitéit			Keen
Verpackung			Multi-Wafer-Kassett oder Eenzelwafer-Behälter

Notizen:

※D'Defektlimitte gëllen fir déi ganz Waferuewerfläch, ausser fir de Randausschlussberäich. # D'Kratzer solle just op der Si-Uewerfläch iwwerpréift ginn.

De P-Typ 4H/6H-P 3C-N Typ 4-Zoll SiC Substrat mat enger Orientéierung vun 〈111〉± 0,5° an Null MPD Qualitéit gëtt wäit verbreet an héichperformante elektroneschen Uwendungen agesat. Seng exzellent Wärmeleitfäegkeet a seng héich Duerchbrochspannung maachen et ideal fir Leeschtungselektronik, wéi Héichspannungsschalter, Inverter a Stroumwandler, déi ënner extremen Bedéngungen funktionéieren. Zousätzlech garantéiert d'Resistenz vum Substrat géint héich Temperaturen a Korrosioun eng stabil Leeschtung an haarden Ëmfeld. Déi präzis Orientéierung vun 〈111〉± 0,5° verbessert d'Produktiounsgenauegkeet, wouduerch et fir RF-Geräter an Héichfrequenzapplikatiounen, wéi Radarsystemer a drahtlos Kommunikatiounsausrüstung, gëeegent ass.

D'Virdeeler vun N-Typ SiC-Kompositsubstrater sinn ënner anerem:

1. Héich thermesch Konduktivitéit: Effizient Wärmeverdeelung, wouduerch en fir Héichtemperaturumfeld an Uwendungen mat héijer Leeschtung gëeegent ass.
2. Héich Duerchschlagspannung: Garantéiert eng zouverlässeg Leeschtung an Héichspannungsapplikatiounen wéi Stroumwandler an Inverter.
3. Null MPD (Micro Pipe Defect) Grad: Garantéiert minimal Defekter, bitt Stabilitéit an héich Zouverlässegkeet a kriteschen elektroneschen Apparater.
4. Korrosiounsbeständegkeet: Haltbar a rauen Ëmfeld, garantéiert laangfristeg Funktionalitéit a schwieregen Konditiounen.
5. Präzis 〈111〉± 0,5° Orientéierung: Erlaabt eng präzis Ausriichtung während der Fabrikatioun, wat d'Leeschtung vum Apparat an Héichfrequenz- an HF-Applikatiounen verbessert.

Insgesamt ass de P-Typ 4H/6H-P 3C-N Typ 4-Zoll SiC Substrat mat enger Orientéierung vun 〈111〉± 0,5° an Null-MPD-Qualitéit e performante Material, dat ideal fir fortgeschratt elektronesch Uwendungen ass. Seng exzellent Wärmeleitfäegkeet a seng héich Duerchbrochspannung maachen et perfekt fir Leeschtungselektronik wéi Héichspannungsschalter, Inverter a Konverter. De Null-MPD-Qualitéit garantéiert minimal Defekter a bitt Zouverlässegkeet a Stabilitéit a kriteschen Apparater. Zousätzlech garantéiert d'Resistenz vum Substrat géint Korrosioun an héich Temperaturen Haltbarkeet a rauen Ëmfeldbedingungen. Déi präzis Orientéierung vun 〈111〉± 0,5° erlaabt eng präzis Ausriichtung während der Fabrikatioun, wat et héich gëeegent mécht fir HF-Apparater an Héichfrequenzapplikatiounen.