p-Typ 4H/6H-P 3C-N TYPE SIC Substrat 4 Zoll 〈111〉± 0,5° Zero MPD

p-Typ 4H/6H-P 3C-N TYPE SIC Substrat 4inch 〈111〉± 0.5°Zero MPD Featured Image

Kuerz Beschreiwung:

De P-Typ 4H/6H-P 3C-N Typ SiC Substrat, 4-Zoll mat enger 〈111〉± 0,5° Orientéierung an Zero MPD (Micro Pipe Defect) Grad, ass en High-Performance Halbleitermaterial entworf fir fortgeschratt elektronesch Apparater Fabrikatioun. Bekannt fir seng exzellent thermesch Konduktivitéit, héich Decomptespannung, a staark Resistenz géint héich Temperaturen a Korrosioun, ass dëse Substrat ideal fir Kraaftelektronik a RF Uwendungen. Den Zero MPD Grad garantéiert minimale Mängel, garantéiert Zouverlässegkeet a Stabilitéit an High-Performance-Geräter. Seng präzis 〈111〉 ± 0,5 ° Orientéierung erlaabt eng präzis Ausrichtung wärend der Fabrikatioun, sou datt et gëeegent ass fir grouss Skala Fabrikatiounsprozesser. Dëse Substrat gëtt wäit an Héichtemperatur-, Héichspannungs- an Héichfrequenz elektronesch Geräter benotzt, sou wéi Stroumkonverter, Inverter, a RF Komponenten.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

4H / 6H-P Typ SiC Komposit Substraten Gemeinsam Parameter Dësch

4 Zoll Duerchmiesser SiliconCarbide (SiC) Substrat Spezifizéierung

Grad			Null MPD Produktioun Grad (Z Grad)	Standard Produktioun Grad (P Grad)	Dummy Grad (D Grad)
Duerchmiesser			99,5 mm ~ 100,0 mm
Dicke			350 μm ± 25 μm
Wafer Orientatioun			Off Achs: 2.0°-4.0° Richtung [112(-)0] ± 0,5° fir 4H/6H-P, On Achs:〈111〉± 0,5° fir 3C-N
Mikropipe Dicht			0 cm-2
Resistivitéit	p-Typ 4H/6H-P		≤0,1 Ωꞏcm		≤0,3 Ωꞏcm
	n-Typ 3C-N		≤0,8 mΩꞏcm		≤1 m Ωꞏcm
Primär flaach Orientéierung		4H/6H-P	- {1010} ± 5,0°
		3C-N	- {110} ± 5,0°
Primär flaach Längt			32,5 mm ± 2,0 mm
Sekundär flaach Längt			18,0 mm ± 2,0 mm
Secondary Flat Orientation			Silicon Gesiicht erop: 90 ° CW. aus Prime Appartement±5,0°
Rand Ausgrenzung			3 mm		6 mm
LTV/TTV/Bow/Warp			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rauhegkeet			Polnesch Ra≤1 nm
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra≤0,5 nm
Edge Cracks Vun High Intensity Light			Keen		Kumulativ Längt ≤ 10 mm, eenzeg Längt ≤ 2 mm
Hex Placke Vun High Intensity Light			Kumulativ Fläch ≤0,05%		Kumulativ Fläch ≤0,1%
Polytype Beräicher Vun High Intensitéit Light			Keen		Kumulative Beräich ≤3%
Visual Carbon Inklusiounen			Kumulativ Fläch ≤0,05%		Kumulativ Beräich ≤3%
Silicon Surface Scratches Duerch High Intensity Light			Keen		Kumulativ Längt ≤1 × wafer Duerchmiesser
Edge Chips High By Intensity Light			Keen erlaabt ≥0.2mm Breet an Déift		5 erlaabt, ≤1 mm all
Silicon Surface Kontaminatioun Duerch Héich Intensitéit			Keen
Verpakung			Multi-wafer Kassett oder Single Wafer Container

Notizen:

※ Mängelgrenzen gëllen op déi ganz Waferfläch ausser fir d'Randausgrenzungsberäich. # D'Kratzen sollen nëmmen op Si Gesiicht gepréift ginn.

De P-Typ 4H / 6H-P 3C-N Typ 4-Zoll SiC-Substrat mat 〈111〉± 0,5 ° Orientéierung an Zero MPD-Grad gëtt wäit an héich performant elektronesch Uwendungen benotzt. Seng exzellent thermesch Konduktivitéit an héich Decomptespannung maachen et ideal fir Kraaftelektronik, wéi Héichspannungsschalter, Inverter, a Kraaftkonverter, déi an extremen Bedéngungen funktionnéieren. Zousätzlech garantéiert d'Resistenz vum Substrat géint héich Temperaturen a Korrosioun eng stabil Leeschtung an haarden Ëmfeld. Déi präzis 〈111〉± 0,5 ° Orientéierung verbessert d'Fabrikatiounsgenauegkeet, sou datt et gëeegent ass fir RF-Geräter an Héichfrequenz Uwendungen, wéi Radarsystemer a drahtlose Kommunikatiounsausrüstung.

D'Virdeeler vun N-Typ SiC Komposit Substrate enthalen:

1. High Thermal Conductivity: Effizient Wärmevergëftung, sou datt et gëeegent ass fir héich Temperaturen Ëmfeld a High-Power Uwendungen.
2. High Breakdown Volt: Assuréiert zouverlässeg Leeschtung an Héichspannungsapplikatiounen wéi Stroumkonverter an Inverter.
3. Zero MPD (Micro Pipe Defect) Grad: Garantéiert minimal Mängel, bitt Stabilitéit an héich Zouverlässegkeet an kriteschen elektroneschen Apparater.
4. Korrosiounsbeständegkeet: Haltbar an härten Ëmfeld, garantéiert laangfristeg Funktionalitéit an usprochsvollen Konditiounen.
5. Genau 〈111〉± 0,5 ° Orientéierung: Erlaabt eng präzis Ausrichtung während der Fabrikatioun, d'Verbesserung vun der Geräterleistung an Héichfrequenz- a RF-Applikatiounen.

Insgesamt ass de P-Typ 4H / 6H-P 3C-N Typ 4-Zoll SiC-Substrat mat 〈111〉± 0,5 ° Orientéierung an Zero MPD Grad e High-Performance Material ideal fir fortgeschratt elektronesch Uwendungen. Seng exzellent thermesch Konduktivitéit an héich Decomptespannung maachen et perfekt fir Kraaftelektronik wéi Héichspannungsschalter, Inverter a Konverter. Den Zero MPD Grad garantéiert minimal Mängel, bitt Zouverlässegkeet a Stabilitéit a kriteschen Apparater. Zousätzlech garantéiert d'Resistenz vum Substrat géint Korrosioun an héich Temperaturen Haltbarkeet an haarden Ëmfeld. Déi präzis 〈111〉 ± 0,5 ° Orientéierung erlaabt eng präzis Ausrichtung wärend der Fabrikatioun, sou datt et héich gëeegent ass fir RF Apparater an Héichfrequenz Uwendungen.