N-Typ SiC op Si Komposit Substraten Dia6inch

Kuerz Beschreiwung:

N-Typ SiC op Si Kompositsubstrater sinn Hallefleitmaterialien, déi aus enger Schicht vun n-Typ Siliziumkarbid (SiC) op engem Silizium (Si) Substrat deposéiert sinn.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

等级Grad	U 级	P级	D级
	Niddereg BPD Grad	Produktioun Grad	Dummy Grad
直径Duerchmiesser	150,0 mm ± 0,25 mm
厚度Dicke	500 μm ± 25 μm
晶片方向Wafer Orientatioun	Off Achs: 4.0° Richtung < 11-20 > ± 0.5° fir 4H-N Op Achs: <0001> ± 0.5° fir 4H-SI
主定位边方向Primär Flat	{10-10} ± 5,0°
主定位边长度Primär flaach Längt	47,5 mm ± 2,5 mm
边缘Rand Ausgrenzung	3 mm
总厚度变化/弯曲度/翘曲度 TTV/Bow/Warp	≤15μm /≤40μm /≤60μm
微管密度和基面位错MPD & BPD	MPD≤1 cm-2	MPD≤5 cm-2	MPD≤15 cm-2
	BPD≤1000cm-2
电阻率Resistivitéit	≥1E5 Ω·cm
表面粗糙度Rauhegkeet	Polnesch Ra≤1 nm
	CMP Ra≤0,5 nm
裂纹(强光灯观测) #	Keen		Kumulativ Längt ≤10mm, eenzeg Längt≤2mm
Rëss duerch héich Intensitéit Liicht
六方空洞（强光灯观测）*	Kumulative Beräich ≤1%		Kumulativ Beräich ≤5%
Hex Platen duerch héich Intensitéit Liicht
多型(强光灯观测)*	Keen		Kumulative Beräich ≤5%
Polytype Beräicher vun héich Intensitéit Liichtjoer
划痕(强光灯观测)*&	3 kraazt op 1 × wafer Duerchmiesser		5 kraazt bis 1 × wafer Duerchmiesser
Kratzer duerch héich Intensitéit Liicht	kumulative Längt		kumulative Längt
崩边# Edge Chip	Keen		5 erlaabt, ≤1 mm all
表面污染物（强光灯观测）	Keen
Kontaminatioun duerch héich Intensitéit Liicht