N-Typ SiC op Si Kompositsubstrater Duerchmiesser 6 Zoll

等级Grad

U 级

P级

D级

Niddreg BPD Grad

Produktiounsgrad

Dummy-Klass

直径Duerchmiesser

150,0 mm ± 0,25 mm

厚度Déckt

500 μm ± 25 μm

晶片方向Wafer Orientéierung

Off-Achs: 4,0° Richtung < 11-20 > ±0,5° fir 4H-N Op der Achs: <0001> ±0,5° fir 4H-SI

主定位边方向Haaptwunneng

{10-10}±5,0°

主定位边长度Primär flaach Längt

47,5 mm±2,5 mm

边缘Randausgrenzung

3 mm

总厚度变化/弯曲度/翘曲度 TTV/Bow/Warp

≤15μm /≤40μm /≤60μm

微管密度和基面位错MPD&BPD

MPD≤1 cm-2

MPD≤5 cm-2

MPD≤15 cm-2

BPD≤1000cm-2

电阻率Widderstandsfäegkeet

≥1E5 Ω·cm

表面粗糙度Rauheet

Polnesch Ra≤1 nm

CMP Ra≤0,5 nm

裂纹(强光灯观测) #

Keen

Kumulativ Längt ≤10mm, eenzel Längt ≤2mm

Rëss duerch héichintensivt Liicht

六方空洞（强光灯观测）*

Kumulativ Fläch ≤1%

Kumulativ Fläch ≤5%

Sechseckplacken duerch héichintensivt Liicht

多型(强光灯观测)*

Keen

Kumulativ Fläch ≤5%

Polytypgebidder duerch héichintensivt Liicht

划痕(强光灯观测)*&

3 Kratzer op 1×Waferduerchmiesser

5 Kratzer op 1×Waferduerchmiesser

Kratzer duerch héichintensivt Liicht

kumulativ Längt

kumulativ Längt

崩边# Kantchip

Keen

5 erlaabt, ≤1 mm all

表面污染物（强光灯观测）

Keen

Kontaminatioun duerch héichintensivt Liicht