N-Type SiC Komposit Substrat Dia6inch Héich Qualitéit Monokristallin a geréng Qualitéit Substrat

N-Type SiC Composite Substrate Dia6inch Héichqualitativ monokristallin a geréng Qualitéitssubstrat Featured Image

Kuerz Beschreiwung:

N-Type SiC Composite Substrate sinn e Hallefleitmaterial dat an der Produktioun vun elektroneschen Apparater benotzt gëtt. Dës Substrate ginn aus Siliziumkarbid (SiC) gemaach, eng Verbindung bekannt fir seng exzellent thermesch Konduktivitéit, héich Ofbauspannung a Resistenz géint haart Ëmweltbedéngungen.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

N-Typ SiC Komposit Substraten Gemeinsam Parametertabelle

项目Artikelen	指标Spezifizéierung	项目Artikelen	指标Spezifizéierung
直径Duerchmiesser	150 ± 0,2 mm	正面 (硅面) 粗糙度 Front (Si-Gesiicht) Rauheet	Ra≤0.2nm (5μm*5μm)
晶型Polytyp	4H	Edge Chip, Scratch, Crack (visuell Inspektioun)	Keen
电阻率Resistivitéit	0,015-0,025 Ohm ·cm	总厚度变化TTV	≤3μm
Transfer Layer Dicke	≥0,4μm	翘曲度Warp	≤35 μm
空洞Void	≤5ea/wafer (2mm>D>0.5mm)	总厚度Dicke	350 ± 25 μm

D'Bezeechnung "N-Typ" bezitt sech op d'Aart vun Doping, déi a SiC Materialien benotzt gëtt. An der Halbleiterphysik implizéiert Doping déi virsiichteg Aféierung vun Gëftstoffer an e Hallefleit fir seng elektresch Eegeschaften z'änneren. N-Typ Doping stellt Elementer vir, déi en Iwwerschoss u fräi Elektronen ubidden, wat dem Material eng negativ Ladungsträgerkonzentratioun gëtt.

D'Virdeeler vun N-Typ SiC Komposit Substrate enthalen:

1. Héichtemperaturleistung: SiC huet héich thermesch Konduktivitéit a kann bei héijen Temperaturen operéieren, sou datt et gëeegent ass fir High-Power an High-Frequenz elektronesch Uwendungen.

2. Héich Decompte Spannung: SiC Materialien hunn eng héich Decompte Spannung, wat hinnen erlaabt héich elektresch Felder ouni elektresch Decompte ze widderstoen.

3. Chemesch an Ëmweltresistenz: SiC ass chemesch resistent a kann haart Ëmweltbedéngungen widderstoen, sou datt et gëeegent ass fir an usprochsvollen Uwendungen ze benotzen.

4. Reduzéiert Kraaftverloscht: Am Verglach mat traditionelle Silizium-baséiert Materialien, SiC-Substrate erméiglechen méi effizient Kraaftkonversioun a reduzéieren Kraaftverloscht an elektroneschen Apparater.

5. Breet Bandgap: SiC huet e breet Bandgap, wat d'Entwécklung vun elektronesche Geräter erlaabt, déi bei méi héijen Temperaturen a méi héijer Kraaftdichte funktionnéiere kënnen.

Am Allgemengen, N-Typ SiC Composite Substrate bidden bedeitend Virdeeler fir d'Entwécklung vun héich performant elektroneschen Apparater, besonnesch an Uwendungen, wou Héichtemperaturoperatioun, héich Kraaftdicht an effizient Kraaftkonversioun kritesch sinn.

virdrun: Semi-isoléierend SiC op Si Composite Substraten

Nächste: Single Crystal Silicon Wafer Si Substrat Typ N / P Optional Silicon Carbide Wafer

Schreift Äre Message hei a schéckt en un eis