N-Typ SiC Kompositsubstrater Dia6 Zoll Héichqualitativt monokristallint a Substrat vun niddereger Qualitéit
N-Typ SiC Kompositsubstrater Gemeinsam Parametertabell
| 项目Artikelen | 指标Spezifikatioun | 项目Artikelen | 指标Spezifikatioun |
| 直径Duerchmiesser | 150±0,2mm | 正 面 (硅 面) 粗 糙 度 Frontrauheet (Si-Fläch) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) |
| 晶型Polytyp | 4H | Kantenabschlag, Kratzer, Rëss (visuell Inspektioun) | Keen |
| 电阻率Widderstandsfäegkeet | 0,015-0,025 Ohm ·cm | 总厚度变化TTV | ≤3μm |
| Déckt vun der Transferschicht | ≥0,4μm | 翘曲度Ketten | ≤35μm |
| 空洞Eidel | ≤5 Stéck/Wafer (2mm>D>0.5mm) | 总厚度Déckt | 350±25μm |
D'Bezeechnung "N-Typ" bezitt sech op d'Aart vun Dotierung, déi a SiC-Materialien benotzt gëtt. An der Hallefleederphysik ëmfaasst Dotierung d'absichtlech Aféierung vun Ongereinheeten an en Hallefleeder fir seng elektresch Eegeschaften ze änneren. N-Typ Dotierung féiert Elementer an, déi en Iwwerschoss u fräien Elektronen ubidden, wouduerch dem Material eng negativ Ladungsträgerkonzentratioun gëtt.
D'Virdeeler vun N-Typ SiC-Kompositsubstrater sinn ënner anerem:
1. Héichtemperaturleistung: SiC huet eng héich thermesch Leetfäegkeet a ka bei héijen Temperaturen funktionéieren, wouduerch et fir elektronesch Uwendungen mat héijer Leeschtung an héijer Frequenz gëeegent ass.
2. Héich Duerchbrochspannung: SiC-Materialien hunn eng héich Duerchbrochspannung, déi et hinnen erméiglecht, héijen elektresche Felder ouni elektreschen Duerchbroch standzehalen.
3. Chemesch a Ëmweltbeständegkeet: SiC ass chemesch resistent a kann haarde Ëmweltbedingungen aushalen, wouduerch et fir d'Benotzung an usprochsvollen Uwendungen gëeegent ass.
4. Reduzéierte Stroumverloscht: Am Verglach mat traditionelle Materialien op Siliziumbasis erméiglechen SiC-Substrater eng méi effizient Stroumkonversioun a reduzéieren de Stroumverloscht an elektroneschen Apparater.
5. Grouss Bandlück: SiC huet eng grouss Bandlück, wat d'Entwécklung vun elektroneschen Apparater erlaabt, déi bei méi héijen Temperaturen a méi héijer Leeschtungsdicht funktionéiere kënnen.
Am Allgemengen bidden N-Typ SiC-Komposit-Substrater bedeitend Virdeeler fir d'Entwécklung vun héichperformante elektroneschen Apparater, besonnesch an Uwendungen, wou Héichtemperaturbetrieb, héich Leeschtungsdicht an effizient Leeschtungskonversioun entscheedend sinn.