LT Lithiumtantalat (LiTaO3) Kristall 2 Zoll/3 Zoll/4 Zoll/6 Zoll Orientéierung Y-42°/36°/108° Déckt 250-500µm

Kuerz Beschreiwung:

LiTaO₃-Wafere stellen e wichtegt piezoelektrescht a ferroelektrescht Materialsystem duer, dat aussergewéinlech piezoelektresch Koeffizienten, thermesch Stabilitéit an optesch Eegeschafte weist, wat se onentbierlech fir Uewerflächenakustesch Wellenfilter (SAW), Bulk-Akustesch Wellenresonatoren (BAW), optesch Modulatoren an Infraroutdetektoren mécht. XKH spezialiséiert sech op d'Fuerschung an Entwécklung a Produktioun vu qualitativ héichwäertege LiTaO₃-Wafere mat fortgeschrattene Czochralski (CZ) Kristallwuesstums- a Flëssegkeetsphase-Epitaxie (LPE) Prozesser fir eng iwwerleeën kristallin Homogenitéit mat Defektdichten vu <100/cm² ze garantéieren.

XKH liwwert 3-Zoll, 4-Zoll an 6-Zoll LiTaO₃-Waferen mat verschiddene kristallographeschen Orientéierungen (X-Schnëtt, Y-Schnëtt, Z-Schnëtt), déi personaliséiert Dotierungs- (Mg, Zn) a Polungsbehandlungen ënnerstëtzen, fir spezifesch Uwendungsufuerderungen ze erfëllen. Déi dielektresch Konstant vum Material (ε~40-50), de piezoelektresche Koeffizient (d₃₃~8-10 pC/N) an d'Curie-Temperatur (~600°C) maachen LiTaO₃ zum bevorzugten Substrat fir Héichfrequenzfilter a Präzisiounssensoren.

Eis vertikal integréiert Produktioun ëmfaasst Kristallwuesstum, Wafering, Polieren an Dënnschichtoflagerung, mat enger monatlecher Produktiounskapazitéit vu méi wéi 3.000 Waferen fir 5G-Kommunikatioun, Konsumentelektronik, Photonik a Verteidegungsindustrie. Mir bidden ëmfaassend technesch Berodung, Proufcharakteriséierung a Prototyping-Servicer a klenge Volumen, fir optiméiert LiTaO₃-Léisungen ze liwweren.

Schéckt eis eng E-Mail

Fonctiounen

Technesch Parameteren

Numm	Optesch Qualitéit LiTaO3	Schalltischniveau LiTaO3
Axial	Z-Schnëtt + / - 0,2 °	36° Y-Schnëtt / 42° Y-Schnëtt / X-Schnëtt(+ / - 0,2°)
Duerchmiesser	76,2mm + / - 0,3mm/100±0,2mm	76,2 mm + /- 0,3 mm100mm + /-0.3mm 0r 150±0.5mm
Datum-Ebene	22mm + / - 2mm	22mm + /-2mm32mm + /-2mm
Déckt	500µm + /-5mm1000µm + /-5mm	500µm + /-20mm350µm +/-20mm
TTV	≤ 10µm	≤ 10µm
Curie-Temperatur	605 °C + / - 0,7 °C (DTA-Method)	605 °C + / -3 °C (DTA-Method
Uewerflächenqualitéit	Duebelsäiteg Polieren	Duebelsäiteg Polieren
Ofgeschrägte Kanten	Kantenabrundung	Kantenabrundung

Schlësselcharakteristiken

1. Kristallstruktur an elektresch Leeschtung

· Kristallographesch Stabilitéit: 100% 4H-SiC Polytyp-Dominanz, null multikristallin Inklusiounen (z.B. 6H/15R), mat XRD-Schaukelkurve voller Breet um Hallefmaximum (FWHM) ≤32,7 Bogensekonnen.
· Héich Trägermobilitéit: Elektronemobilitéit vu 5.400 cm²/V·s (4H-SiC) a Lächermobilitéit vu 380 cm²/V·s, wat Héichfrequenz-Apparatdesignen erméiglecht.
·Stralungshärte: Hält enger Neutronenbestrahlung vun 1 MeV mat engem Verrécklungsschuedschwellwäert vun 1×10¹⁵ n/cm² stand, ideal fir Loftfaart- an Nuklearanwendungen.

2. Thermesch a mechanesch Eegeschaften

· Aussergewéinlech thermesch Leetfäegkeet: 4,9 W/cm·K (4H-SiC), dräimol sou vill wéi Silizium, ënnerstëtzt e Betrib iwwer 200°C.
· Niddrege thermeschen Ausdehnungskoeffizient: CTE vun 4,0 × 10⁻⁶/K (25–1000 °C), wat d'Kompatibilitéit mat Siliziumbaséierte Verpackungen garantéiert an d'thermesch Belaaschtung miniméiert.

3. Defektkontroll a Veraarbechtungspräzisioun

· Mikropäifdicht: <0,3 cm⁻² (8-Zoll-Waferen), Dislokatiounsdicht <1.000 cm⁻² (verifizéiert duerch KOH-Ätzen).
· Uewerflächenqualitéit: CMP-poléiert op Ra <0,2 nm, entsprécht den Ufuerderunge fir d'Flaachheet vum EUV-Lithographiegrad.

Schlësselapplikatiounen

Domain	Applikatiounsszenarien	Technesch Virdeeler
Optesch Kommunikatioun	100G/400G Laseren, Silizium-Photonikhybridmoduler	InP-Somsubstrater erméiglechen eng direkt Bandlück (1,34 eV) an Si-baséiert Heteroepitaxie, wouduerch de Verloscht vun der optescher Kopplung reduzéiert gëtt.
Nei Energiefahrzeuge	800V Héichspannungswandler, Onboard-Ladegeräter (OBC)	4H-SiC-Substrater standhalen eng Belaaschtung vu méi wéi 1.200 V, wouduerch d'Leetverloschter ëm 50% an de Systemvolumen ëm 40% reduzéiert ginn.
5G Kommunikatioun	Millimeterwellen-HF-Geräter (PA/LNA), Basisstatiouns-Leeschtungsverstärker	Hallefisoléierend SiC-Substrater (Widerstand >10⁵ Ω·cm) erméiglechen eng passiv Integratioun bei héijer Frequenz (60 GHz+).
Industriell Ausrüstung	Héichtemperatursensoren, Stroumtransformatoren, Iwwerwaachungssystemer fir Atomreaktoren	InSb-Somsubstrater (0,17 eV Bandlück) liwweren eng magnetesch Empfindlechkeet vu bis zu 300%@10 T.

LiTaO₃-Wafelen - Schlësselcharakteristiken

1. Iwwerleeën piezoelektresch Leeschtung

· Héich piezoelektresch Koeffizienten (d₃₃~8-10 pC/N, K²~0,5%) erméiglechen héichfrequent SAW/BAW-Geräter mat engem Insertion Loss <1,5dB fir 5G RF-Filter

· Excellent elektromechanesch Kopplung ënnerstëtzt Filterdesignen mat breeder Bandbreet (≥5%) fir Uwendungen ënner 6 GHz an mmWellen.

2. Optesch Eegeschaften

· Breitbandtransparenz (>70% Transmissioun vun 400-5000nm) fir elektrooptesch Modulatoren, déi eng Bandbreet vun >40GHz erreechen

· Eng staark netlinear optesch Suszeptibilität (χ⁽²⁾~30pm/V) erméiglecht eng effizient Generatioun vun zweeten Harmoniken (SHG) a Lasersystemer.

3. Ëmweltstabilitéit

· Héich Curie-Temperatur (600 °C) hält d'piezoelektresch Reaktioun an Automobilumfelder (-40 °C bis 150 °C) oprecht

· Chemesch Inertitéit géint Säuren/Alkalien (pH 1-13) garantéiert Zouverlässegkeet an industriellen Sensorapplikatiounen

4. Personnalisatiounsméiglechkeeten

· Orientéierungstechnik: X-Schnëtt (51°), Y-Schnëtt (0°), Z-Schnëtt (36°) fir personaliséiert piezoelektresch Äntwerten

· Dotierungsoptiounen: Mg-dotiert (optesch Schuedbeständegkeet), Zn-dotiert (verstäerkt d₃₃)

· Uewerflächenbehandlungen: Epitaktesch Polieren (Ra<0,5nm), ITO/Au-Metalliséierung

LiTaO₃-Waferen - Haaptapplikatiounen

1. RF Frontend Moduler

· 5G NR SAW Filteren (Band n77/n79) mat engem Temperaturkoeffizient vun der Frequenz (TCF) <|-15ppm/°C|

· Ultra-Breitband BAW-Resonatoren fir WiFi 6E/7 (5,925-7,125 GHz)

2. Integréiert Photonik

· Héichgeschwindegkeets-Mach-Zehnder-Modulatoren (>100 Gbps) fir kohärent optesch Kommunikatioun

· QWIP-Infraroutdetektoren mat ofstellbare Grenzwellenlängten vun 3-14 μm

3. Automobilelektronik

· Ultraschall-Parksensoren mat enger Betribsfrequenz vun >200kHz

· TPMS piezoelektresch Transduceren, déi vun -40°C bis 125°C thermesche Zyklen iwwerliewen

4. Verteidegungssystemer

· EW-Empfängerfilter mat enger Out-of-Band-Ofleenung vun >60dB

· IR-Fënstere fir Rakéitesicher, déi 3-5μm MWIR-Stralung iwwerdroen

5. Nei Technologien

· Optomechanesch Quantewandler fir d'Konversioun vu Mikrowellen an optesch Signaler

· PMUT-Arrays fir medizinesch Ultraschallbildgebung (Opléisung >20MHz)

LiTaO₃ Waferen - XKH Services

1. Gestioun vun der Versuergungsketten

· Boule-zu-Wafer-Veraarbechtung mat enger Liwwerzäit vu 4 Wochen fir Standardspezifikatiounen

· Käschteoptimiséiert Produktioun mat engem Präisvirdeel vun 10-15% am Verglach mat Konkurrenten

2. Benotzerdefinéiert Léisungen

· Orientéierungsspezifesch Wafering: 36°±0,5° Y-Schnëtt fir optimal SAW-Leeschtung

· Dotiert Zesummesetzungen: MgO (5mol%) Dotierung fir optesch Uwendungen

Metalliséierungsservicer: Cr/Au (100/1000Å) Elektrodenmusterung

3. Techneschen Support

· Materialcharakteriséierung: XRD-Schaukelkurven (FWHM<0,01°), AFM-Uewerflächenanalyse

· Apparatsimulatioun: FEM-Modelléierung fir SAW-Filterdesignoptimiséierung

Conclusioun

LiTaO₃-Wafers erméiglechen weiderhin technologesch Fortschrëtter an der HF-Kommunikatioun, integréierter Photonik a Sensoren fir haart Ëmfeldbedingungen. D'Materialexpertise, d'Produktiounspräzisioun an den Applikatiounsingenieursënnerstëtzung vun XKH hëllefen de Clienten, Design-Erausfuerderungen an elektronesche Systemer vun der nächster Generatioun ze bewältegen.