LiTaO3 Wafer 2 Zoll-8 Zoll 10x10x0,5 mm 1sp 2sp fir 5G/6G Kommunikatioun

Kuerz Beschreiwung:

LiTaO3-Wafer (Lithiumtantalat-Wafer), e wichtegt Material an den Hallefleeder an der Optoelektronik vun der drëtter Generatioun, notzt seng héich Curie-Temperatur (610 °C), säi breede Transparenzberäich (0,4–5,0 μm), säi ieweschte piezoelektresche Koeffizient (d33 > 1.500 pC/N) a säi niddrege dielektresche Verloscht (tanδ < 2 %), fir 5G-Kommunikatioun, photonesch Integratioun a Quantebauelementer ze revolutionéieren. Mat Hëllef vun fortgeschrattene Fabrikatiounstechnologien wéi physikaleschem Dampftransport (PVT) a chemescher Dampfoflagerung (CVD) liwwert XKH X/Y/Z-geschnidden, 42 °Y-geschnidden a periodesch gepolte (PPLT) Waferen a Formater vun 2–8 Zoll, mat enger Uewerflächenrauheet (Ra) <0,5 nm an enger Mikropipe-Dicht <0,1 cm⁻². Eis Servicer ëmfaassen Fe-Dotierung, chemesch Reduktioun an Smart-Cut heterogen Integratioun, a behandelen héichperformant optesch Filteren, Infraroutdetekteren a Quante-Liichtquellen. Dëst Material dréit zu Duerchbréch an der Miniaturiséierung, dem Héichfrequentbetrieb an der thermescher Stabilitéit bäi, wouduerch d'Ersatzstatioun an den häusleche Beräicher a kriteschen Technologien beschleunegt gëtt.

Schéckt eis eng E-Mail

Fonctiounen

Technesch Parameteren

Numm	Optesch Qualitéit LiTaO3	Schalltischniveau LiTaO3
Axial	Z-Schnëtt + / - 0,2 °	36° Y-Schnëtt / 42° Y-Schnëtt / X-Schnëtt (+ / - 0,2°)
Duerchmiesser	76,2mm + / - 0,3mm/ 100±0,2mm	76,2 mm + /- 0,3 mm 100mm + /-0.3mm 0r 150±0.5mm
Datum-Ebene	22mm + / - 2mm	22mm + /-2mm 32mm + /-2mm
Déckt	500µm + /-5mm 1000µm + /-5mm	500µm + /-20mm 350µm +/-20mm
TTV	≤ 10µm	≤ 10µm
Curie-Temperatur	605 °C + / - 0,7 °C (DTA-Method)	605 °C + / -3 °C (DTA-Method
Uewerflächenqualitéit	Duebelsäiteg Polieren	Duebelsäiteg Polieren
Ofgeschrägte Kanten	Kantenabrundung	Kantenabrundung

Schlësselcharakteristiken

1. Elektresch an optesch Leeschtung
· Elektrooptesche Koeffizient: r33 erreecht 30 pm/V (X-Cut), 1,5x méi héich wéi LiNbO3, wat eng ultrabreetbandeg elektrooptesch Modulatioun (>40 GHz Bandbreet) erméiglecht.
· Breet spektral Äntwert: Transmissiounsberäich 0,4–5,0 μm (8 mm Déckt), mat enger UV-Absorptiounskant vun nëmmen 280 nm, ideal fir UV-Laseren a Quantepunkt-Geräter.
· Niddrege pyroelektresche Koeffizient: dP/dT = 3,5×10⁻⁴ C/(m²·K), wat d'Stabilitéit an Héichtemperatur-Infraroutsensoren garantéiert.

2. Thermesch a mechanesch Eegeschaften
· Héich thermesch Konduktivitéit: 4,6 W/m·K (X-Cut), véierfach sou vill wéi Quarz, hält en thermesche Zyklësch vun -200–500°C stand.
· Niddrege thermeschen Ausdehnungskoeffizient: CTE = 4,1 × 10⁻⁶/K (25–1000 °C), kompatibel mat Siliziumverpackungen fir d'thermesch Belaaschtung ze minimiséieren.
3. Defektkontroll a Veraarbechtungspräzisioun
· Mikropäifdicht: <0,1 cm⁻² (8-Zoll-Waferen), Dislokatiounsdicht <500 cm⁻² (verifizéiert duerch KOH-Ätzen).
· Uewerflächenqualitéit: CMP-poléiert op Ra <0,5 nm, entsprécht den Ufuerderunge fir d'Flaachheet vum EUV-Lithographiegrad.

Schlësselapplikatiounen

Domain	Applikatiounsszenarien	Technesch Virdeeler
Optesch Kommunikatioun	100G/400G DWDM-Laseren, Silizium-Photonikhybridmoduler	Déi breet spektral Transmissioun an de niddrege Wellenleiterverloscht (α <0,1 dB/cm) vu LiTaO3-Wafer erméiglechen eng Expansioun vum C-Band.
5G/6G Kommunikatioun	SAW-Filter (1,8–3,5 GHz), BAW-SMR-Filter	42°Y-geschniddene Wafer erreechen e Kt² vun >15%, wat zu engem niddregen Insertion-Verloscht (<1,5 dB) an engem héije Roll-off (>30 dB) féiert.
Quantentechnologien	Eenzelphotondetektoren, parametresch Down-Conversion-Quellen	En héije netlineare Koeffizient (χ(2)=40 pm/V) an eng niddreg Däischterzuelquote (<100 Zuelen/s) verbesseren d'Quantequalitéit.
Industriell Sensorik	Héichtemperaturdrocksensoren, Stroumtransformatoren	Déi piezoelektresch Äntwert (g33 >20 mV/m) an d'Héichtemperaturtoleranz (>400°C) vun de LiTaO3-Wafer si gëeegent fir extrem Ëmfeldbedingungen.

XKH Servicer

1. Benotzerdefinéiert Waferfabrikatioun

· Gréisst a Schnëtt: 2–8-Zoll-Waferen mat X/Y/Z-Schnëtt, 42°Y-Schnëtt a personaliséierte Wénkelschnëtt (±0,01° Toleranz).

· Dotierungskontroll: Fe, Mg Dotierung iwwer d'Czochralski-Method (Konzentratiounsberäich 10¹⁶–10¹⁹ cm⁻³) fir elektrooptesch Koeffizienten an thermesch Stabilitéit ze optimiséieren.

2. Fortgeschratt Prozesstechnologien

· Periodesch Polung (PPLT): Smart-Cut Technologie fir LTOI-Waferen, déi eng Domänperiodpräzisioun vun ±10 nm an eng quasi-phase-matched (QPM) Frequenzkonversioun erreecht.

· Heterogen Integratioun: Si-baséiert LiTaO3-Kompositwaferen (POI) mat Décktkontroll (300–600 nm) an enger Wärmeleitfäegkeet vu bis zu 8,78 W/m·K fir Héichfrequenz-SAW-Filter.

3. Qualitéitsmanagementsystemer

· End-to-End Tester: Raman-Spektroskopie (Polytypverifizéierung), XRD (Kristallinitéit), AFM (Uewerflächenmorphologie) an optesch Uniformitéitstester (Δn <5×10⁻⁵).

4. Global Ënnerstëtzung vun der Liwwerketten

· Produktiounskapazitéit: Méintlech Produktioun >5.000 Waferen (8-Zoll: 70%), mat Noutliwwerung bannent 48 Stonnen.

· Logistiknetz: Ofdeckung an Europa, Nordamerika an Asien-Pazifik iwwer Loft-/Séifracht mat temperaturkontrolléierter Verpackung.