LiTaO3 Lithiumtantalatbarren mat Fe/Mg Dotierung personaliséiert 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll fir industriell Detektioun

LiTaO3 Lithiumtantalatbarren mat Fe/Mg Dotierung personaliséiert 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll fir industriell Sensorik Featured Image

Kuerz Beschreiwung:

LiTaO3-Barren (Lithiumtantalat-Barren), als Kärmaterialien fir Hallefleeder an Optoelektronik mat breeder Bandlück vun der drëtter Generatioun, notzen hir héich Curie-Temperatur (607°C), e breede Transparenzberäich (400–5.200 nm), en exzellenten elektromechanesche Kopplungskoeffizient (Kt² >15%), an e niddrege dielektresche Verloscht (tanδ <2%), fir d'5G-Kommunikatioun, d'Quantecomputerverwaltung an d'photonesch Integratioun ze revolutionéieren. Duerch fortgeschratt Fabrikatiounstechnologien wéi physikaleschen Dampftransport (PVT) a chemesch Dampfoflagerung (CVD) liwwere mir X/Y/Z-geschnidden, 42°Y-geschnidden a periodesch gepolt (PPLT) Barren a Spezifikatioune vun 3–8 Zoll, mat enger Mikroleitungsdicht vun <0,1 cm⁻² an enger Verrécklungsdicht vun <500 cm⁻². Eis Servicer ëmfaassen Fe/Mg-Dotierung, Protonenaustausch-Wellenleiter an heterogen Integratioun (POI) op Siliziumbaséiert, mat Héichleistungsoptikfilter, Quante-Liichtquellen an Infraroutdetektoren. Dëst Material dréit zu Duerchbréch an der Miniaturiséierung, dem Héichfrequenzbetrieb an der thermescher Stabilitéit bäi, wat d'Substitutioun an den technologesche Fortschrëtt beschleunegt.

Schéckt eis eng E-Mail

Fonctiounen

Technesch Parameteren

Spezifikatioun	Konventionell	Héich Präzisioun
Materialien	LiTaO3(LT)/LiNbO3-Wafer	LiTaO3(LT)/LiNbO3-Wafer
Orientéierung	X-112°Y, 36°Y, 42°Y ± 0,5°	X-112°Y, 36°Y, 42°Y ± 0,5°
Parallel	30″	10''
Senkrecht	10′	5'
Uewerflächenqualitéit	40/20	20/10
Wellefrontverzerrung	λ/4@632nm	λ/8@632nm
Uewerflächenflaachheet	λ/4@632nm	λ/8@632nm
Kloer Blend	>90%	>90%
Fassung	<0,2×45°	<0,2×45°
Toleranz vun der Déckt/Duerchmiesser	±0,1 mm	±0,1 mm
Maximal Dimensiounen	Duerchmiesser 150 × 50 mm	Duerchmiesser 150 × 50 mm

XKH Servicer

1. Groussskaleg Ingotfabrikatioun

Gréisst a Schnëtt: 3–8-Zoll Barren mat X/Y/Z-Schnëtt, 42°Y-Schnëtt a personaliséierte Wénkelschnëtt (±0,01° Toleranz).

Dopingkontroll: Fe/Mg Ko-Doting iwwer d'Czochralski-Method (Konzentratiounsberäich 10¹⁶–10¹⁹ cm⁻³) fir de photorefraktive Widderstand an d'thermesch Stabilitéit ze optimiséieren.

2. Fortgeschratt Prozesstechnologien

Heterogen Integratioun: LiTaO3-Kompositwaferen (POI) op Siliziumbasis mat Décktkontroll (300–600 nm) an enger Wärmeleitfäegkeet vu bis zu 8,78 W/m·K fir Héichfrequenz-SAW-Filter.

Wellenleiterfabrikatioun: Protonenaustausch- (PE) an ëmgedréinte Protonenaustausch- (RPE) Techniken, fir Submikron-Wellenleiter (Δn >0,7) fir héichgeschwindeg elektrooptesch Modulatoren (Bandbreet >40 GHz) z'erreechen.

3. Qualitéitsmanagementsystemer

End-to-End Tester: Raman-Spektroskopie (Polytypverifizéierung), XRD (Kristallinitéit), AFM (Uewerflächenmorphologie) an optesch Uniformitéitstester (Δn <5×10⁻⁵).

4. Global Ënnerstëtzung vun der Liwwerketten

Produktiounskapazitéit: Méintlech Produktioun >5.000 Barren (8-Zoll: 70%), Ënnerstëtzung fir Noutliwwerungen bannent 48 Stonnen.

Logistiknetz: Ofdeckung an Europa, Nordamerika an Asien-Pazifik iwwer Loft-/Séifracht mat temperaturkontrolléierter Verpackung.

5. Technesch Zesummenaarbecht

Gemeinsam Fuerschungs- an Entwécklungslaboratoiren: Zesummenaarbecht op photoneschen Integratiounsplattformen (z.B. SiO2-Schichtbindung mat geréngem Verloscht).

Resumé

LiTaO3-Barren déngen als strategesch Materialien, déi d'Optoelektronik an d'Quantetechnologien nei gestalten. Duerch Innovatiounen am Kristallwuesstum (z.B. PVT), Defektmitigatioun an heterogener Integratioun (z.B. POI) liwwere mir héich zouverlässeg a kosteneffektiv Léisunge fir 5G/6G-Kommunikatioun, Quantecomputer an industriell IoT. Den Engagement vun XKH fir d'Reduktioun vu Barrendefekter ze fërderen an d'Produktioun vun 8-Zoll ze skaléieren, garantéiert datt d'Clienten a globale Versuergungsketten féieren an domat déi nächst Ära vun Halbleiter-Ökosystemer mat breeder Bandlück virukommen.