LiNbO₃ Waferen 2 Zoll-8 Zoll Déckt 0,1 ~ 0,5 mm TTV 3µm Benotzerdefinéiert

Kuerz Beschreiwung:

LiNbO₃-Waferen representéieren de Goldstandard an der integréierter Photonik a Präzisiounsakustik a liwweren eng onvergläichlech Leeschtung a modernen optoelektronesche Systemer. Als féierende Produzent hu mir d'Konscht vun der Produktioun vun dësen entwéckelte Substrater duerch fortgeschratt Damptransport-Gläichgewiichtstechniken perfektionéiert, wouduerch mir eng brancheféierend kristallin Perfektioun mat Defektdichten ënner 50/cm² erreechen.

D'XKH-Produktiounskapazitéite reechen Duerchmiesser vu 75 mm bis 150 mm, mat präziser Orientéierungskontroll (X/Y/Z-Schnëtt ±0,3°) a spezialiséierten Dotieroptiounen, dorënner och selten Äerdmetaller. Déi eenzegaarteg Kombinatioun vun Eegeschafte vu LiNbO₃-Waferen – dorënner hire bemierkenswäerte r₃₃-Koeffizient (32 ± 2 pm/V) a breet Transparenz vu bal UV bis Mëtt-IR – mécht se onentbierlech fir photonesch Schaltkreesser an Héichfrequenz-akustesch Geräter vun der nächster Generatioun.

Schéckt eis eng E-Mail

Fonctiounen

Technesch Parameteren

Material	Optesch LiNbO3-Waffen
Curie-Temperatur	1142±2,0℃
Schnëttwénkel	X/Y/Z etc.
Duerchmiesser/Gréisst	2"/3"/4"/6"/8"
Tol(±)	<0,20 mm
Déckt	0,1 ~ 0,5 mm oder méi
Haaptwunneng	16mm/22mm/32mm
TTV	<3µm
Béi	-30
Ketten	<40µm
Orientéierung flaach	Alles verfügbar
Uewerflächentyp	Eenzel Säit poléiert / Duebel Säiten poléiert
Poléiert Säit Ra	<0,5 nm
S/D	20/10
Randkriterien	R=0,2 mm oder Bullnose
Optesch dotiert	Fe/Zn/MgO etc. fir optesch LN<-Waferen
Critèren fir d'Uewerfläch vum Wafer	Breechungsindex	Nee=2,2878/Ne=2,2033 @ 632nm Wellelängt
	Kontaminatioun,	Keen
	Partikelen ￠>0,3 µm	<= 30
	Kratzer, Ofsplitterungen	Keen
	Defekt	Keng Kantrëss, Kratzer, Sägemarken, Flecken
Verpackung	Quantitéit/Wafer-Këscht	25 Stéck pro Këscht

Kärattributer vun eise LiNbO₃-Waferen

1. Photonesch Leeschtungseigenschaften

Eis LiNbO₃-Waferen weisen aussergewéinlech Liicht-Matière-Interaktiounsfäegkeeten op, mat netlinearen optesche Koeffizienten, déi 42 pm/V erreechen - wat effizient Wellelängtenkonversiounsprozesser erméiglecht, déi fir d'Quantephotonik entscheedend sinn. D'Substrater behalen >72% Transmissioun iwwer 320-5200 nm, mat speziell entwéckelte Versiounen, déi e Verbreedungsverloscht vun <0,2 dB/cm bei Telekommunikatiounswellelängten erreechen.

2. Akustesch Wellentechnik

Déi kristallin Struktur vun eise LiNbO₃-Waferen ënnerstëtzt Uewerflächenwellengeschwindegkeete vu méi wéi 3800 m/s, wat e Resonatorbetrieb bis zu 12 GHz erméiglecht. Eis propriétaire Poliertechnike liwweren Uewerflächenakusteschwellen (SAW)-Geräter mat Insertiounsverloschter ënner 1,2 dB, wärend d'Temperaturstabilitéit bannent ±15 ppm/°C bäibehale gëtt.

3. Ëmweltresilienz

Eis LiNbO₃-Wafere si konzipéiert fir extremen Bedéngungen ze standzehalen an erhalen hir Funktionalitéit vu kryogenen Temperaturen bis zu 500°C Betribsëmfeld. D'Material weist eng aussergewéinlech Stralungshärkeet op a kann eng total ioniséierend Dosis vun iwwer 1 Mrad standhalen, ouni bedeitend Leeschtungsverschlechterung.

4. Applikatiounsspezifesch Konfiguratiounen

Mir bidden domain-enginéiert Varianten un, dorënner:
Periodesch gepolte Strukturen mat 5-50μm Domänperioden
Ionengeschnidden Dënnschichten fir Hybridintegratioun
Metamaterial-verbessert Versioune fir spezialiséiert Uwendungen

Implementatiounsszenarien fir LiNbO₃-Waferen

1. Optesch Netzwierker vun der nächster Generatioun
LiNbO₃-Waferen déngen als Réckgrat fir optesch Transceiver am Terabit-Skala a erméiglechen eng kohärent Iwwerdroung vun 800 Gbps duerch fortgeschratt geschachtelt Modulatorendesignen. Eis Substrate ginn ëmmer méi fir Co-packaged Optik-Implementatiounen an AI/ML-Beschleunigersystemer benotzt.
2.6G RF Frontends
Déi lescht Generatioun vu LiNbO₃-Waferen ënnerstëtzt Ultra-Breitbandfilterung bis zu 20 GHz, wat de Spektrumbedürfnisser vun den neien 6G-Standarden gerecht gëtt. Eis Materialien erméiglechen nei akustesch Resonatorenarchitekturen mat Q-Faktoren, déi 2000 iwwerschreiden.
3. Quanteninformatiounssystemer
Präzisiounsgepolte LiNbO₃-Waferen bilden d'Basis fir entangled Photonquellen mat enger Paargeneratiounseffizienz vu méi wéi 90%. Eis Substrate erméiglechen Duerchbréch am photonesche Quanteberechnungssystem a sécheren Kommunikatiounsnetzwierker.
4. Fortgeschratt Sensorléisungen
Vum LiDAR am Automobilberäich, deen op 1550 nm funktionéiert, bis hin zu ultraempfindleche gravimetresche Sensoren, bidden LiNbO₃-Wafers déi entscheedend Transduktiounsplattform. Eis Materialien erméiglechen Sensoropléisungen bis op d'Niveaue vun der Detektioun vun eenzelne Molekülen.

Schlësselvirdeeler vu LiNbO₃Waferen

1. Onvergleichlech elektrooptesch Leeschtung
Aussergewéinlech héijen elektrooptesche Koeffizient (r₃₃~30-32 pm/V): Representéiert de Branchenbenchmark fir kommerziell Lithiumniobat-Waferen, wat Héichgeschwindegkeetsoptikmodulatoren vun iwwer 200 Gbps erméiglecht, déi d'Leeschtungslimite vu Siliziumbaséierten oder Polymerléisungen wäit iwwerschreiden.

Ultra-niddrege Insertion Loss (<0,1 dB/cm): Erreecht duerch Nanoskala-Poléieren (Ra<0,3 nm) an Antireflexbeschichtungen (AR), wat d'Energieeffizienz vun optesche Kommunikatiounsmoduler däitlech verbessert.

2. Iwwerleeën piezoelektresch & akustesch Eegeschaften
Ideal fir Héichfrequenz-SAW/BAW-Geräter: Mat akustesche Geschwindegkeete vun 3500-3800 m/s ënnerstëtzen dës Wafer 6G mmWave (24-100 GHz) Filterdesignen mat Insertiounsverloschter vu <1,0 dB.

Héije elektromechanesche Kopplungskoeffizient (K²~0,25%): Verbessert d'Bandbreet an d'Signalselektivitéit an RF-Frontend-Komponenten, wouduerch se fir 5G/6G-Basisstatiounen a Satellittekommunikatioun gëeegent sinn.

3. Breitbandtransparenz & netlinear optesch Effekter
Ultrabreet optescht Transmissiounsfenster (350-5000 nm): Deckt UV- bis Mëtt-IR-Spektren of, wat Uwendungen wéi:

Quanteoptik: Periodesch gepolte (PPLN) Konfiguratiounen erreechen eng Effizienz vun >90% bei der Generatioun vu verstränkte Photonenpaaren.

Lasersystemer: Optesch parametresch Oszillatioun (OPO) liwwert eng ofstëmmend Wellelängteausgang (1-10 μm).

Aussergewéinleche Laserschuedschwell (>1 GW/cm²): Erfëllt déi streng Ufuerderunge fir héichleeschtungsfäeg Laserapplikatiounen.

4. Extrem Ëmweltstabilitéit
Héichtemperaturbeständegkeet (Curie-Punkt: 1140°C): Erhält eng stabil Leeschtung tëscht -200°C an +500°C, ideal fir:

Automobilelektronik (Motorraumsensoren)

Raumschëff (optesch Komponenten fir déif Weltraum)

Stralungshärkeet (>1 Mrad TID): Entsprécht de MIL-STD-883 Normen, gëeegent fir Nuklear- an Defensive-Elektronik.

5. Personaliséierung & Integratiounsflexibilitéit
Kristallorientéierung & Dopingoptimiséierung:

X/Y/Z-geschnidden Waferen (±0,3° Präzisioun)

MgO-Dotierung (5 Mol%) fir verbessert optesch Schiedsbeständegkeet

Ënnerstëtzung vun heterogener Integratioun:

Kompatibel mat Dënnfilm-LiNbO₃-on-Insulator (LNOI) fir Hybridintegratioun mat Siliziumphotonik (SiPh)

Erméiglecht Wafer-Level Bonding fir Co-packaged Optics (CPO)

6. Skalierbar Produktioun & Käschteeffizienz
6-Zoll (150mm) Wafer-Masseproduktioun: Reduzéiert d'Eenheetskäschten ëm 30% am Verglach mat traditionelle 4-Zoll-Prozesser.

Schnell Liwwerung: Standardprodukter ginn an 3 Wochen verschéckt; Prototypen a klenge Chargen (minimum 5 Waferen) ginn an 10 Deeg geliwwert.

XKH Servicer

1. Materialinnovatiounslaboratoire
Eis Kristallwuesstumsexperten schaffen mat Clienten zesummen, fir applikatiounsspezifesch LiNbO₃-Waferformuléierungen z'entwéckelen, dorënner:

Varianten mat geréngem optesche Verloscht (<0,05 dB/cm)

Konfiguratiounen fir héich Leeschtung

Stralungstolerant Kompositioune

2. Pipeline fir séier Prototyping
Vum Design bis zur Liwwerung an 10 Aarbechtsdeeg fir:

Benotzerdefinéiert Orientéierungswaferen

Gemustert Elektroden

Vircharakteriséiert Proben

3. Leeschtungszertifizéierung
All LiNbO₃ Wafer-Liwwerung enthält:

Voll spektroskopesch Charakteriséierung

Verifizéierung vun der kristallografescher Orientéierung

Zertifizéierung vun der Uewerflächenqualitéit

4. Versécherung vun der Versuergungskette