Ionenstrahlpoliermaschinn fir Saphir SiC Si
Detailéiert Diagramm
Produkt Iwwersiicht vun der Ionenstrahlpoliermaschinn
D'Ionenstrahlfiguratiouns- a Poliermaschinn baséiert um Prinzip vum Ionensputteren. An enger Héichvakuumkammer generéiert eng Ionenquell Plasma, dat zu engem héichenergeteschen Ionenstrahl beschleunegt gëtt. Dëse Stral bombardéiert d'Uewerfläch vun der optescher Komponent a läscht Material op atomarer Skala fir eng ultrapräzis Uewerflächenkorrektur an -finish z'erreechen.
Als kontaktlose Prozess eliminéiert d'Ionenstrahlpoléierung mechanesch Belaaschtung a vermeit Schied un der Ënnerfläch, wouduerch se ideal ass fir d'Produktioun vun héichpräzisen Optik, déi an der Astronomie, der Loft- a Raumfaart, am Halbleiterberäich an an fortgeschrattene Fuerschungsapplikatioune benotzt gëtt.
Aarbechtsprinzip vun der Ionenstrahlpoliermaschinn
Ionengeneratioun
Inertgas (z.B. Argon) gëtt an d'Vakuumkammer agefouert an duerch eng elektresch Entladung ioniséiert fir e Plasma ze bilden.
Beschleunigung & Stralebildung
D'Ionen ginn op e puer honnert oder dausend Elektronevolt (eV) beschleunegt a zu engem stabilen, fokusséierte Stralfleck geformt.
Materialentfernung
Den Ionenstrahl sputtert kierperlech Atomer vun der Uewerfläch ouni chemesch Reaktiounen auszeléisen.
Feelerdetektioun & Weeplanung
Ofwäichunge vun den Uewerflächenfiguren ginn mat Interferometrie gemooss. Entfernungsfunktioune ginn ugewannt fir d'Wunnzäiten ze bestëmmen an optiméiert Werkzeugweeër ze generéieren.
Zougemaach-Loop-Korrektur
Iterativ Zyklen vun der Veraarbechtung a Miessung ginn weider, bis d'RMS/PV-Präzisiounsziler erreecht sinn.
Schlësselmerkmale vun der Ionenstrahlpoliermaschinn
Universell Uewerflächenkompatibilitéit– Veraarbecht flaach, sphäresch, asphäresch a fräiformeg Uewerflächen
Ultra-stabil Entfernungsquote– Erméiglecht d'Korrektur vun enger Subnanometerfigur
Schuedfräi Veraarbechtung– Keng Ënnergronddefekter oder strukturell Ännerungen
Konsequent Leeschtung– Funktionéiert gläich gutt op Materialien mat ënnerschiddlecher Häert
Korrektur vun der niddreger/mëtteler Frequenz– Eliminéiert Feeler ouni Mëttel-/Héichfrequenz-Artefakte ze generéieren
Niddreg Ënnerhaltsfuerderung– Laangen onënnerbrachene Betrib mat minimaler Ausfallzäit
Haapttechnesch Spezifikatioune vun der Ionenstrahlpoliermaschinn
| Artikel | Spezifikatioun |
| Veraarbechtungsmethod | Ionensputterung an enger Héichvakuumumgebung |
| Veraarbechtungsart | Kontaktlos Uewerflächenpoléieren a Formen |
| Maximal Gréisst vum Werkstéck | Φ4000 mm |
| Bewegungsachsen | 3-Achs / 5-Achs |
| Stabilitéit vun der Entfernung | ≥95% |
| Uewerflächengenauegkeet | PV < 10 nm; RMS ≤ 0,5 nm (typesch RMS < 1 nm; PV < 15 nm) |
| Frequenzkorrekturfäegkeet | Eliminéiert niddreg-mëttel Frequenzfehler ouni Mëttel-/Héichfrequenzfehler ze verursaachen |
| Kontinuéierleche Betrib | 3–5 Wochen ouni Staubsaugerënnerhalt |
| Ënnerhaltskäschten | Niddreg |
Veraarbechtungsméiglechkeeten vun der Ionenstrahlpoliermaschinn
Ënnerstëtzte Flächentypen
Einfach: Flaach, kugelfërmeg, Prisma
Komplex: Symmetresch/asymmetresch Asphär, Off-Achs Asphär, zylindresch
Spezial: Ultradënn Optik, Lamellenoptik, hallefkugelfërmeg Optik, konform Optik, Phasenplacken, fräiformeg Uewerflächen
Ënnerstëtzte Materialien
Optescht Glas: Quarz, mikrokristallin, K9, etc.
Infraroutmaterialien: Silizium, Germanium, etc.
Metaller: Aluminium, Edelstol, Titanlegierung, etc.
Kristaller: YAG, Eenkristall-Siliziumcarbid, etc.
Haart/spruddeg Materialien: Siliziumkarbid, etc.
Uewerflächenqualitéit / Präzisioun
PV < 10 nm
RMS ≤ 0,5 nm
Veraarbechtungsfallstudien vun der Ionenstrahlpoliermaschinn
Fall 1 – Standard flaache Spigel
Werkstück: D630 mm Quarz-Flaach
Resultat: PV 46,4 nm; RMS 4,63 nm
Fall 2 – Röntgenreflektiven Spigel
Werkstéck: 150 × 30 mm Silikon-Flaach
Resultat: PV 8,3 nm; RMS 0,379 nm; Steigung 0,13 µrad
Fall 3 – Off-Axis Spigel
Werkstéck: Spigel ouni Achs D326 mm
Resultat: PV 35,9 nm; RMS 3,9 nm
FAQ iwwer Quarzbrëller
FAQ – Ionenstrahl-Poliermaschinn
Q1: Wat ass Ionenstrahlpoléierung?
A1:Ionenstrahlpoléierung ass e kontaktlose Prozess, deen e fokusséierte Stral vun Ionen (wéi Argonionen) benotzt fir Material vun der Uewerfläch vun engem Werkstéck ze entfernen. D'Ionen ginn beschleunegt a Richtung Uewerfläch geriicht, wouduerch Material op atomarer Ebene ewechgeholl gëtt, wat zu ultra-glatten Uewerflächen féiert. Dëse Prozess eliminéiert mechanesch Belaaschtung a Schied un der Ënnerfläch, wat en ideal fir präzis optesch Komponenten mécht.
Q2: Wéi eng Zorte vun Uewerfläche kann d'Ionenstrahl-Poliermaschinn veraarbechten?
A2:DenIonenstrahl-Poliermaschinnkann eng Vielfalt vun Uewerflächen veraarbechten, dorënner einfach optesch Komponenten wéiFlaache Kugelen, Prismen a Kugelen, souwéi komplex Geometrien wéiAsphären, Asphären ausserhalb vun der Achs, anfräiformeg UewerflächenEt ass besonnesch effektiv op Materialien wéi optescht Glas, Infraroutoptik, Metaller a haart/brécheg Materialien.
Q3: Mat wéi enge Materialien kann d'Ionenstrahl-Poliermaschinn funktionéieren?
A3:DenIonenstrahl-Poliermaschinnkann eng breet Palette vu Materialien poléieren, dorënner:
-
Optescht GlasQuarz, mikrokristallin, K9, etc.
-
InfraroutmaterialienSilizium, Germanium, etc.
-
Metaller: Aluminium, Edelstol, Titanlegierung, etc.
-
KristallmaterialienYAG, Eenkristall-Siliziumcarbid, etc.
-
Aner haart/sprëcheg MaterialienSiliziumkarbid, etc.
Iwwer eis
XKH spezialiséiert sech op High-Tech-Entwécklung, Produktioun a Verkaf vu speziellem optesche Glas a neie Kristallmaterialien. Eis Produkter si fir optesch Elektronik, Konsumentelektronik a fir d'Militär geduecht. Mir bidden optesch Komponenten fir Saphir, Lënsenofdeckungen fir Handyen, Keramik, LT, Siliziumcarbid SIC, Quarz a Hallefleederkristallwaferen. Mat qualifizéierter Expertise a moderner Ausrüstung exceléiere mir an der Veraarbechtung vu Produkter ouni Standard, mat dem Zil, e féierend High-Tech-Entreprise fir optoelektronesch Materialien ze sinn.
