InSb Wafer 2 Zoll 3 Zoll ondotéiert Ntyp P Typ Orientéierung 111 100 fir Infraroutdetektoren

InSb-Wafer 2 Zoll 3 Zoll ondotiert N-Typ P-Typ Orientéierung 111 100 fir Infraroutdetektoren Ausgewielt Bild

Kuerz Beschreiwung:

Indium-Antimonid (InSb)-Wafere si Schlësselmaterialien, déi an Infraroutdetektiounstechnologien agesat ginn, wéinst hirer schmueler Bandlück an héijer Elektronemobilitéit. Dës Wafere si mat Duerchmiesser vun 2 Zoll an 3 Zoll verfügbar a ginn an ondotierten, N-Typ- a P-Typ-Variatiounen ugebueden. D'Wafere gi mat Orientéierunge vun 100 an 111 hiergestallt, wat Flexibilitéit fir verschidden Infraroutdetektiouns- an Hallefleederapplikatioune bitt. Déi héich Empfindlechkeet an dat niddregt Geräisch vun den InSb-Wafere maachen se ideal fir d'Benotzung an Infraroutdetekteren mat mëttlerer Wellelängt (MWIR), Infraroutbildsystemer an aner optoelektronesch Uwendungen, déi Präzisioun a performant Fäegkeeten erfuerderen.

Schéckt eis eng E-Mail

Fonctiounen

Dopingoptiounen:
1.Ondotiert:Dës Wafere si fräi vun all Dotierungsmëttel a gi virun allem fir spezialiséiert Uwendungen, wéi zum Beispill epitaktesch Wuesstem, benotzt, wou de Wafer als e rengt Substrat wierkt.
2.N-Typ (Te-dotiert):Tellurium (Te) Dotierung gëtt benotzt fir N-Typ Waferen ze kreéieren, déi eng héich Elektronemobilitéit bidden a se gëeegent maachen fir Infraroutdetekteren, Héichgeschwindegkeetselektronik an aner Uwendungen, déi effizienten Elektronefluss erfuerderen.
3.P-Typ (Ge dotiert):Germanium (Ge) Dotierung gëtt benotzt fir P-Typ Waferen ze kreéieren, déi eng héich Lächermobilitéit ubidden an exzellent Leeschtung fir Infraroutsensoren a Photodetektoren ubidden.

Gréisstoptiounen:
1. D'Wafere sinn an Duerchmiesser vun 2 Zoll an 3 Zoll verfügbar. Dëst garantéiert Kompatibilitéit mat verschiddene Prozesser an Apparater fir d'Herstellung vu Hallefleeder.
2. Den 2-Zoll Wafer huet en Duerchmiesser vu 50,8 ± 0,3 mm, während den 3-Zoll Wafer en Duerchmiesser vu 76,2 ± 0,3 mm huet.

Orientéierung:
1. D'Wafere sinn an den Orientéierunge vun 100 an 111 verfügbar. D'Orientéierung vun 100 ass ideal fir Héichgeschwindegkeetselektronik an Infraroutdetekteren, während d'Orientéierung vun 111 dacks fir Apparater benotzt gëtt, déi spezifesch elektresch oder optesch Eegeschafte erfuerderen.

Uewerflächenqualitéit:
1. Dës Wafere si mat poléierten/geätzten Uewerflächen ausgestatt fir eng exzellent Qualitéit, wat eng optimal Leeschtung an Uwendungen erméiglecht, déi präzis optesch oder elektresch Charakteristiken erfuerderen.
2. D'Uewerflächenvirbereedung garantéiert eng niddreg Defektdicht, wouduerch dës Waferen ideal fir Infraroutdetektiounsapplikatioune sinn, wou d'Konsistenz vun der Leeschtung entscheedend ass.

Epi-Ready:
1. Dës Wafere si epi-ready, doduerch gëeegent fir Uwendungen mat epitaktischem Wuesstum, wou zousätzlech Schichten vu Material op de Wafer ofgesat ginn fir d'Fabrikatioun vu fortgeschrattene Hallefleeder- oder optoelektroneschen Apparater.

Uwendungen

1. Infraroutdetektoren:InSb-Wafere gi wäit verbreet bei der Fabrikatioun vun Infraroutdetekteren agesat, besonnesch am Mëttelwelleninfraroutberäich (MWIR). Si si wesentlech fir Nuetsichtsystemer, Wärmebildgebung a militäresch Uwendungen.
2. Infrarout-Bildgebungssystemer:Déi héich Empfindlechkeet vun InSb-Waferen erméiglecht präzis Infraroutbildgebung a verschiddene Secteuren, dorënner Sécherheet, Iwwerwaachung a wëssenschaftlech Fuerschung.
3. Héichgeschwindegkeetselektronik:Wéinst hirer héijer Elektronemobilitéit ginn dës Waferen an fortgeschrattenen elektroneschen Apparater wéi Héichgeschwindegkeetstransistoren an optoelektroneschen Apparater benotzt.
4. Quantebrunn-Geräter:InSb-Wafere si ideal fir Quantebrunn-Uwendungen a Lasern, Detektoren an aner optoelektronesch Systemer.

Produktparameter

Parameter	2-Zoll	3-Zoll
Duerchmiesser	50,8±0,3mm	76,2±0,3mm
Déckt	500±5μm	650±5μm
Uewerfläch	Poléiert/Geätzt	Poléiert/Geätzt
Dopingtyp	Ondotéiert, Te-dotéiert (N), Ge-dotéiert (P)	Ondotéiert, Te-dotéiert (N), Ge-dotéiert (P)
Orientéierung	100, 111	100, 111
Pak	Eenzel	Eenzel
Epi-Ready	Jo	Jo

Elektresch Parameter fir Te-dotiert (N-Typ):

Mobilitéit: 2000-5000 cm²/V·s
Widderstandsfäegkeet: (1-1000) Ω·cm
EPD (Defektdichte): ≤2000 Defekter/cm²

Elektresch Parameter fir Ge-dotiert (P-Typ):

Mobilitéit: 4000-8000 cm²/V·s
Widderstandsfäegkeet(0,5-5) Ω·cm

EPD (Defektdichte): ≤2000 Defekter/cm²

Q&A (Heefeg gestallte Froen)

Q1: Wat ass den idealen Dotierungstyp fir Infraroutdetektiounsapplikatiounen?

A1:Te-dotiert (N-Typ)Wafere sinn typescherweis déi ideal Wiel fir Infraroutdetektiounsapplikatiounen, well se eng héich Elektronemobilitéit an exzellent Leeschtung a Mëttelwelleninfraroutdetekteren (MWIR) an Imaging-Systemer bidden.

Q2: Kann ech dës Wafere fir héichgeschwindeg elektronesch Uwendungen benotzen?

A2: Jo, InSb-Waferen, besonnesch déi matN-Typ Dotierungan den100 Orientéierung, si gutt geegent fir Héichgeschwindegkeetselektronik wéi Transistoren, Quantebrunn-Apparater an optoelektronesch Komponenten wéinst hirer héijer Elektronemobilitéit.

Q3: Wat sinn d'Ënnerscheeder tëscht den 100 an 111 Orientéierungen fir InSb-Waferen?

A3: Den100Orientéierung gëtt dacks fir Apparater benotzt, déi eng héichgeschwindeg elektronesch Leeschtung erfuerderen, während d'111Orientéierung gëtt dacks fir spezifesch Uwendungen benotzt, déi verschidden elektresch oder optesch Charakteristiken erfuerderen, dorënner bestëmmt optoelektronesch Apparater a Sensoren.

Q4: Wat ass d'Bedeitung vun der Epi-Ready Funktioun fir InSb-Waferen?

A4: DenEpi-ReadyDës Funktioun bedeit, datt de Wafer fir epitaktesch Oflagerungsprozesser virbehandelt gouf. Dëst ass entscheedend fir Uwendungen, déi d'Wuesstum vun zousätzleche Materialschichten uewen um Wafer erfuerderen, wéi zum Beispill bei der Produktioun vun fortgeschrattene Hallefleeder- oder optoelektroneschen Apparater.

Q5: Wat sinn déi typesch Uwendungen vun InSb-Waferen am Beräich vun der Infrarouttechnologie?

A5: InSb-Wafere ginn haaptsächlech an der Infraroutdetektioun, der Wärmebildgebung, Nuetsvisiounssystemer an aner Infrarout-Detektiounstechnologien benotzt. Hir héich Empfindlechkeet a geréng Geräischer maachen se ideal fir ...Mëttelwelleninfrarout (MWIR)Detektoren.

Q6: Wéi beaflosst d'Déckt vum Wafer seng Leeschtung?

A6: D'Déckt vum Wafer spillt eng entscheedend Roll a senger mechanescher Stabilitéit an elektresche Charakteristiken. Dënn Wafere ginn dacks a méi sensiblen Uwendungen agesat, wou eng präzis Kontroll iwwer d'Materialeegeschafte erfuerderlech ass, während méi déck Wafere fir verschidden industriell Uwendungen eng verbessert Haltbarkeet bidden.

Q7: Wéi wielen ech déi passend Wafergréisst fir meng Applikatioun?

A7: Déi passend Wafergréisst hänkt vum spezifeschen Apparat oder System of, deen entwéckelt gëtt. Méi kleng Waferen (2 Zoll) ginn dacks fir Fuerschung a méi kleng Uwendungen benotzt, während méi grouss Waferen (3 Zoll) typescherweis fir Masseproduktioun a méi grouss Apparater benotzt ginn, déi méi Material brauchen.

Conclusioun

InSb-Waferen an2-Zollan3-ZollGréissten, matongedotiert, N-Typ, anP-TypVariatiounen, si ganz wäertvoll a Hallefleeder- an optoelektroneschen Uwendungen, besonnesch an Infrarout-Detektiounssystemer.100an111D'Orientéierunge bidden Flexibilitéit fir verschidden technologesch Bedierfnesser, vun Héichgeschwindegkeetselektronik bis zu Infrarout-Bildgebungssystemer. Mat hirer aussergewéinlecher Elektronemobilitéit, hirem niddrege Geräischer an hirer präziser Uewerflächenqualitéit sinn dës Waferen ideal firMëttelwellen-Infraroutdetektorenan aner héich performant Applikatiounen.