InSb Wafer 2inch 3inch undoped Ntype P Typ Orientatioun 111 100 fir Infrarout Detektoren

Kuerz Beschreiwung:

Indium Antimonide (InSb) Wafere si Schlësselmaterialien, déi an Infraroutdetektiounstechnologien benotzt ginn wéinst hirem schmuele Bandgap an héijer Elektronemobilitéit. Verfügbar an 2-Zoll an 3-Zoll Duerchmiesser, dës Wafere ginn an ongedopten, N-Typ a P-Typ Variatiounen ugebueden. D'Wafere gi mat Orientatiounen vun 100 an 111 fabrizéiert, déi Flexibilitéit fir verschidde Infraroutdetektioun an Hallefleitapplikatiounen ubidden. Déi héich Empfindlechkeet an niddereg Kaméidi vun InSb Wafers maachen se ideal fir d'Benotzung a Mëttelwellelängt Infrarout (MWIR) Detektoren, Infrarout Imaging Systemer, an aner optoelektronesch Uwendungen, déi Präzisioun an High-Performance Fäegkeeten erfuerderen.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Fonctiounen

Dopingoptiounen:
1.Ongedopt:Dës Wafere si fräi vun all Dopingmëttelen a gi virun allem fir spezialiséiert Uwendungen wéi Epitaxialwachstum benotzt, wou de Wafer als pure Substrat wierkt.
2.N-Typ (Te Doped):Tellur (Te) Doping gëtt benotzt fir N-Typ Waferen ze kreéieren, déi héich Elektronemobilitéit ubidden an se gëeegent fir Infraroutdetektoren, High-Speed-Elektronik an aner Uwendungen déi effizienten Elektronenfloss erfuerderen.
3.P-Typ (Ge Dotéiert):Germanium (Ge) Doping gëtt benotzt fir P-Typ Waferen ze kreéieren, déi héich Lochmobilitéit ubidden an eng exzellent Leeschtung fir Infraroutsensoren a Photodetektoren ubidden.

Gréisst Optiounen:
1.The wafers sinn an 2-Zoll an 3-Zoll Duerchmiesser sinn. Dëst garantéiert Kompatibilitéit mat verschiddene Halbleiterfabrikatiounsprozesser an Apparater.
2.Den 2-Zoll Wafer huet en 50,8 ± 0,3 mm Duerchmiesser, während den 3-Zoll Wafer en 76,2 ± 0,3 mm Duerchmiesser huet.

Orientéierung:
1.D'Waferen sinn verfügbar mat Orientéierungen vun 100 an 111. D'100 Orientéierung ass ideal fir High-Speed-Elektronik an Infraroutdetektoren, während d'111 Orientéierung dacks benotzt gëtt fir Apparater déi spezifesch elektresch oder optesch Eegeschafte erfuerderen.

Uewerfläch Qualitéit:
1.Dës Wafere kommen mat poléierte / geätzten Flächen fir exzellent Qualitéit, déi optimal Leeschtung an Uwendungen erfuerderen, déi präzis optesch oder elektresch Charakteristiken erfuerderen.
2.D'Uewerflächepräparatioun suergt fir eng geréng Defektdicht, sou datt dës Wafere ideal sinn fir Infraroutdetektiounsapplikatiounen, wou d'Performancekonsistenz kritesch ass.

Epi-Ready:
1.Dës wafers sinn epi-prett, mécht se gëeegent fir Applikatiounen epitaxial Wuesstem involvéiert wou zousätzlech Schichten vun Material op der wafer fir fortgeschratt semiconductor oder optoelektronesch Apparat Fabrikatioun deposéiert ginn.

Uwendungen

1.Infrarout Detektoren:InSb Wafere gi wäit an der Fabrikatioun vun Infraroutdetektoren benotzt, besonnesch a Mëttelwellelängt Infrarout (MWIR) Beräicher. Si si wesentlech fir Nuetsvisiounssystemer, thermesch Imaging a militäresch Uwendungen.
2.Infrarout Imaging Systemer:Déi héich Sensibilitéit vun InSb Wafers erlaabt präzis Infraroutbildung a verschiddene Secteuren, dorënner Sécherheet, Iwwerwaachung a wëssenschaftlech Fuerschung.
3.High-Speed Electronics:Wéinst hirer héijer Elektronemobilitéit ginn dës Waferen a fortgeschratt elektroneschen Apparater wéi Héichgeschwindeg Transistoren an optoelektronesch Geräter benotzt.
4.Quantum Well Apparater:InSb Wafere sinn ideal fir Quantewell Uwendungen a Laser, Detektoren an aner optoelektronesch Systemer.

Produit Parameteren

Parameter	2 Zoll	3 Zoll
Duerchmiesser	50,8 ± 0,3 mm	76,2 ± 0,3 mm
Dicke	500 ± 5 μm	650 ± 5μm
Uewerfläch	Poléiert / Étched	Poléiert / Étched
Doping Typ	Ongedopt, Te-dotéiert (N), Ge-dotéiert (P)	Ongedopt, Te-dotéiert (N), Ge-dotéiert (P)
Orientéierung	100, 111	100, 111
Package	Single	Single
Epi-Ready	Jo	Jo

Elektresch Parameter fir Te Dotéiert (N-Typ):

Mobilitéit: 2000-5000 cm²/V·s
Resistivitéit: (1-1000) Ω·cm
EPD (Defect Density): ≤2000 Defekte/cm²

Elektresch Parameter fir Ge Doped (P-Typ):

Mobilitéit: 4000-8000 cm²/V·s
Resistivitéit: (0,5-5) Ω·cm

EPD (Defect Density): ≤2000 Defekte/cm²

Q&A (Frequently Asked Questions)

Q1: Wat ass den idealen Dopingtyp fir Infrarout Detektiounsapplikatiounen?

A1:Te-dotéiert (N-Typ)Wafere sinn typesch déi ideal Wiel fir Infraroutdetektiounsapplikatiounen, well se héich Elektronemobilitéit an exzellent Leeschtung an Midwellelängt Infrarout (MWIR) Detektoren a Bildsystemer ubidden.

Q2: Kann ech dës Wafere fir High-Speed-elektronesch Uwendungen benotzen?

A2: Jo, InSb Wafers, besonnesch déi matN-Typ Dopingan den100 Orientatioun, si gutt gëeegent fir High-Speed-Elektronik wéi Transistoren, Quantewell-Geräter, an optoelektronesch Komponenten wéinst hirer héijer Elektronemobilitéit.

Q3: Wat sinn d'Ënnerscheeder tëscht den 100 an 111 Orientatiounen fir InSb Wafers?

A3: an100Orientatioun ass allgemeng fir Apparater benotzt héich-Vitesse elektronesch Leeschtung, iwwerdeems de111Orientéierung gëtt dacks fir spezifesch Uwendungen benotzt, déi verschidden elektresch oder optesch Charakteristiken erfuerderen, dorënner verschidden optoelektronesch Apparater a Sensoren.

Q4: Wat ass d'Bedeitung vun der Epi-Ready Feature fir InSb Wafers?

A4: anEpi-ReadyFeature heescht datt de Wafer fir epitaxial Oflagerungsprozesser virbehandelt gouf. Dëst ass entscheedend fir Uwendungen déi de Wuesstum vun zousätzlech Schichten vum Material uewen op der Wafer erfuerderen, sou wéi an der Produktioun vu fortgeschrattene Hallefleit oder optoelektroneschen Apparater.

Q5: Wat sinn déi typesch Uwendunge vun InSb Wafers am Infrarouttechnologieberäich?

A5: InSb Wafere ginn haaptsächlech an Infraroutdetektioun, thermesch Imaging, Nuetsvisiounssystemer an aner Infrarout Sensing Technologien benotzt. Hir héich Empfindlechkeet an niddereg Kaméidi maachen se ideal firMëttelwellelängt Infrarout (MWIR)detektéieren.

Q6: Wéi beaflosst d'Dicke vum Wafer seng Leeschtung?

A6: D'Dicke vum Wafer spillt eng kritesch Roll a senger mechanescher Stabilitéit an elektresche Charakteristiken. Dënn Wafere ginn dacks a méi sensibel Uwendungen benotzt, wou präzis Kontroll iwwer d'Materialeigenschaften erfuerderlech ass, wärend décke Wafere méi laang Haltbarkeet fir verschidden industriell Uwendungen ubidden.

Q7: Wéi wielen ech déi entspriechend Wafergréisst fir meng Applikatioun?

A7: Déi entspriechend Wafergréisst hänkt vum spezifeschen Apparat oder dem System of, deen entworf gëtt. Kleng Wafere (2 Zoll) ginn dacks fir Fuerschung a méi kleng Skala Uwendungen benotzt, während méi grouss Waferen (3 Zoll) typesch fir Masseproduktioun a méi grouss Geräter benotzt ginn, déi méi Material erfuerderen.

Conclusioun

InSb wafers an2 Zollan3 ZollGréissten, matundopéiert, N-Typ,an anP-TypVariatiounen, sinn héich wäertvoll an semiconductor an optoelektronesch Uwendungen, besonnesch an Infraroutstrahlung Detectioun Systemer. Déi100an111Orientatioune bidden Flexibilitéit fir verschidden technologesch Bedierfnesser, vun Héichgeschwindegkeet Elektronik bis Infrarout Imaging Systemer. Mat hirer aussergewéinlecher Elektronemobilitéit, geréngem Kaméidi a präzis Uewerflächqualitéit sinn dës Wafere ideal firMëttelwellelängt Infraroutdetektorenan aner héich-Performance Uwendungen.