InGaAs epitaxial Wafer Substrat PD Array Photodetektor Arrays kënne fir LiDAR benotzt ginn

InGaAs epitaxial Wafer Substrat PD Array Photodetektor Arrays kënne fir LiDAR Featured Image benotzt ginn

Kuerz Beschreiwung:

InGaAs epitaxial Film bezitt sech op Indium Gallium Arsen (InGaAs) Eenkristall dënn Filmmaterial geformt duerch epitaxial Wuesstumstechnologie op engem spezifesche Substrat. Allgemeng InGaAs epitaxial Substrate sinn Indiumphosphid (InP) a Galliumarsenid (GaAs). Dës Substratmaterialien hunn eng gutt Kristallqualitéit an thermesch Stabilitéit, déi en exzellente Substrat fir de Wuesstum vun InGaAs epitaxialschichten ubidden.
De PD Array (Photodetector Array) ass eng Array vu multiple Fotodetektoren déi fäeg sinn e puer optesch Signaler gläichzäiteg z'entdecken. D'epitaxial Blat, déi aus MOCVD gewuess ass, gëtt haaptsächlech a Photodetektiounsdioden benotzt, d'Absorptiounsschicht besteet aus U-InGaAs, den Hannergrond Doping ass <5E14, an den diffusen Zn kann vum Client oder Epihouse ofgeschloss ginn. D'epitaxial Pëllen sech duerch PL, XRD an ECV Miessunge analyséiert.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Schlëssel Feature vum InGaAs Laser Epitaxial Blat enthalen

1. Gitter Matching: Gutt Gitter Matching kann tëscht InGaAs epitaxialer Schicht an InP oder GaAs Substrat erreecht ginn, doduerch d'Defektdicht vun der Epitaxialschicht ze reduzéieren an d'Performance vum Apparat ze verbesseren.
2. Upassbar Band Spalt: D'Band Spalt vun InGaAs Material kann duerch Upassung vum Undeel vun Komponente an Ga erreecht ginn, déi mécht InGaAs epitaxial Blat eng breet Palette vun Applikatioun Perspektiven an optoelektronesch Apparater.
3. High photosensitivity: InGaAs epitaxial Film huet eng héich Empfindlechkeet fir Liicht, déi mécht et am Beräich vun photoelectric Detectioun, optesch Kommunikatioun an aner eenzegaarteg Virdeeler.
4. Héich Temperatur Stabilitéit: InGaAs / InP epitaxial Struktur huet excellent héich Temperatur Stabilitéit, a kann stabil Apparat Leeschtung bei héich Temperaturen erhalen.

D'Haaptapplikatioune vun InGaAs Laser epitaxial Pëllen enthalen

1. Optoelektronesch Geräter: InGaAs epitaxial Pëllen kënne benotzt ginn fir Fotodioden, Photodetektoren an aner optoelektronesch Apparater ze fabrizéieren, déi eng breet Palette vun Uwendungen an der optescher Kommunikatioun, Nuetsvisioun an aner Felder hunn.

2. Laser: InGaAs epitaxial Blieder kënnen och benotzt ginn fir Laser ze fabrizéieren, besonnesch laangwellelaang Laser, déi eng wichteg Roll an der optescher Glasfaserkommunikatioun, der industrieller Veraarbechtung an aner Felder spillen.

3. Solarzellen: InGaAs Material huet eng breet Band Spalt Upassung Gamme, déi d'Band Spalt Ufuerderunge vun thermesch photovoltaic Zellen erfëllen kann, sou InGaAs epitaxial Blat huet och bestëmmte Applikatioun Potential am Beräich vun Solarzellen.

4. Medizinesch Imaging: An medezinesch Imaging Ausrüstung (wéi CT, MRI, etc.), Fir Detectioun an Imaging.

5. Sensornetz: an der Ëmweltiwwerwaachung a Gaserkennung kënne verschidde Parameteren gläichzäiteg iwwerwaacht ginn.

6. Industriell Automatioun: benotzt an Maschinn Visiounssystemer fir de Status an d'Qualitéit vun Objeten op der Produktiounslinn ze iwwerwaachen.

An der Zukunft wäerten d'Materialeigenschaften vum InGaAs epitaxialen Substrat weider verbesseren, och d'Verbesserung vun der photoelektrescher Konversiounseffizienz an d'Reduktioun vu Kaméidiniveauen. Dëst wäert den InGaAs epitaxialen Substrat méi wäit an optoelektroneschen Apparater benotzt ginn, an d'Performance ass méi exzellent. Zur selwechter Zäit gëtt de Virbereedungsprozess och kontinuéierlech optimiséiert fir d'Käschten ze reduzéieren an d'Effizienz ze verbesseren, fir d'Bedierfnesser vum gréissere Maart z'erreechen.

Am Allgemengen, besetzt InGaAs epitaxial Substrat eng wichteg Positioun am Beräich vun semiconductor Material mat seng eenzegaarteg Charakteristiken a breet Applikatioun Perspektiven.

XKH bitt Customizations vun InGaAs epitaxial Blieder mat verschiddene Strukturen an deck, deckt eng breet Palette vun Uwendungen fir optoelektronesch Apparater, Laser, a Solarzellen. D'Produkter vun XKH gi mat fortgeschratt MOCVD Ausrüstung hiergestallt fir héich Leeschtung an Zouverlässegkeet ze garantéieren. Wat d'Logistik ugeet, huet XKH eng breet Palette vun internationale Quellkanälen, déi flexibel d'Zuel vun den Bestellungen handhaben kënnen, a Valeur-dobäi Servicer wéi Verfeinerung a Segmentatioun ubidden. Effizient Liwwerprozesser suerge fir d'Zäit Liwwerung an entspriechen Client Ufuerderunge fir Qualitéit a Liwwerzäiten.