InGaAs epitaktesch Wafer-Substrat PD Array Photodetektor-Arrays kënne fir LiDAR benotzt ginn
Schlësselmerkmale vun der InGaAs Laser-Epitaxialplack enthalen
1. Gitteranpassung: Eng gutt Gitteranpassung kann tëscht der InGaAs-Epitaxialschicht an dem InP- oder GaAs-Substrat erreecht ginn, wouduerch d'Defektdicht vun der Epitakteschicht reduzéiert an d'Leeschtung vum Apparat verbessert gëtt.
2. Verstellbar Bandlück: D'Bandlück vum InGaAs-Material kann duerch d'Upassung vum Proportioun vun de Komponenten In a Ga erreecht ginn, wouduerch d'InGaAs-Epitaxialfolie eng breet Palette vun Uwendungsméiglechkeeten an optoelektroneschen Apparater huet.
3. Héich Fotoempfindlechkeet: Den InGaAs Epitakteschfilm huet eng héich Liichtempfindlechkeet, wat en am Beräich vun der photoelektrescher Detektioun, der optescher Kommunikatioun an aner eenzegaarteg Virdeeler mécht.
4. Héichtemperaturstabilitéit: D'epitaxial Struktur vun InGaAs/InP huet eng exzellent Héichtemperaturstabilitéit a kann eng stabil Leeschtung vum Apparat bei héijen Temperaturen erhalen.
Déi wichtegst Uwendungen vun InGaAs Laser-Epitaxialtabletten enthalen
1. Optoelektronesch Komponenten: InGaAs epitaktesch Tablette kënne benotzt gi fir Photodioden, Photodetekteren an aner optoelektronesch Komponenten ze produzéieren, déi eng breet Palette vun Uwendungen an der optescher Kommunikatioun, Nuetsicht an anere Beräicher hunn.
2. Laser: InGaAs Epitakteschplacke kënnen och benotzt ginn fir Laser ze produzéieren, besonnesch Laser mat laanger Wellelängt, déi eng wichteg Roll an der optescher Faserkommunikatioun, der industrieller Veraarbechtung an anere Beräicher spillen.
3. Solarzellen: InGaAs-Material huet e breede Bandlückejustierungsberäich, deen d'Bandlücksufuerderunge vun thermesche photovoltaesche Zellen erfëlle kann, sou datt InGaAs-Epitaxialfolie och e gewëssen Uwendungspotenzial am Beräich vun de Solarzellen huet.
4. Medizinesch Bildgebung: An Ausrüstung fir medizinesch Bildgebung (wéi CT, MRI, etc.), fir Detektioun an Bildgebung.
5. Sensornetz: bei der Ëmweltiwwerwaachung an der Gasdetektioun kënne verschidde Parameter gläichzäiteg iwwerwaacht ginn.
6. Industriell Automatiséierung: gëtt a Maschinnvisiounssystemer benotzt fir den Zoustand an d'Qualitéit vun Objeten op der Produktiounslinn ze iwwerwaachen.
An der Zukunft wäerten d'Materialeegeschafte vum InGaAs epitaktischen Substrat sech weider verbesseren, dorënner d'Verbesserung vun der photoelektrescher Konversiounseffizienz an d'Reduktioun vum Geräischpegel. Dëst wäert den InGaAs epitaktischen Substrat méi wäit an optoelektroneschen Apparater verbreet maachen, an d'Leeschtung ass méi exzellent. Gläichzäiteg gëtt de Virbereedungsprozess och kontinuéierlech optimiséiert fir d'Käschten ze reduzéieren an d'Effizienz ze verbesseren, fir de Bedierfnesser vum gréissere Maart gerecht ze ginn.
Am Allgemengen besetzt den epitaxialen InGaAs-Substrat eng wichteg Positioun am Beräich vun den Hallefleedermaterialien mat senge eenzegaartegen Eegeschaften a breede Uwendungsperspektiven.
XKH bitt Personnaliséierunge vun InGaAs-Epitaxialplacken mat verschiddene Strukturen an Déckten, déi eng breet Palette vun Uwendungen fir optoelektronesch Apparater, Laser a Solarzellen ofdecken. D'Produkter vun XKH gi mat fortgeschrattener MOCVD-Ausrüstung hiergestallt, fir eng héich Leeschtung a Zouverlässegkeet ze garantéieren. Wat d'Logistik ugeet, huet XKH eng breet Palette vun internationale Quellkanäl, déi flexibel mat der Unzuel vun de Bestellunge ëmgoe kënnen a Wäert-Zousätzlech Servicer wéi Raffinesse a Segmentéierung ubidden. Effizient Liwwerprozesser garantéieren eng pünktlech Liwwerung a erfëllen d'Ufuerderunge vum Client u Qualitéit a Liwwerzäiten.
Detailéiert Diagramm
