Industriell SiC Vertikal Uewenrohr Héich Wärmeleitfäegkeet & Korrosiounsbeständeg

Industriell SiC Vertikal Uewenrohr mat héijer thermescher Leetfäegkeet a korrosiounsbeständeg Ausgewielt Bild

Kuerz Beschreiwung:

Eis Siliziumkarbid (SiC)-Röhre, déi als äussert Prozessrouer a vertikale Schäffchen entwéckelt gouf, liwwert eng enk kontrolléiert Atmosphär an e ganz eenheetlecht Temperaturfeld. Si ass gebaut fir eng länger Belaaschtung vun ~1200 ℃ a komplexe Prozessgaser auszehalen, wat eng ultrahéich Rengheet, eng staark thermesch Leeschtung a rocksolid strukturell Integritéit erfuerdert.

Schéckt eis eng E-Mail

Fonctiounen

Detailéiert Diagramm

Vertikal Uewenrohr aus Siliziumkarbid - Produktiwwersiicht

Quarzglasplacken, och bekannt als geschmolzene Siliziumdioxidplacken oder Quarzplacken, si héich spezialiséiert Materialien aus héichreinem Siliziumdioxid (SiO₂) hiergestallt. Dës transparent an haltbar Placken gi fir hir aussergewéinlech optesch Kloerheet, thermesch Resistenz a chemesch Stabilitéit geschätzt. Wéinst hiren iwwerleeënen Eegeschafte gi Quarzglasplacken a ville Branchen agesat, dorënner Hallefleeder, Optik, Photonik, Solarenergie, Metallurgie a fortgeschratt Laborapplikatiounen.

Eis Quarzglasplacke gi mat héichwäertege Rohmaterialien wéi Naturkristall oder syntheteschem Siliziumdioxid hiergestallt, déi duerch präzis Schmelz- a Poliertechnike veraarbecht ginn. D'Resultat ass eng ultraflaach, onreinheetsarm a blasefräi Uewerfläch, déi déi strengst Ufuerderunge vun de modernen industrielle Prozesser erfëllt.

Schlësselmerkmale

Eendeeleg 3D-gedréckte Struktur
Eliminéiert Nähten a Spannungskonzentratoren fir d'mechanesch Stäerkt a Zouverlässegkeet ze maximéieren.

Ultra-niddreg Onreinheeten
Basismaterial300 ppmCVD-beschichtete Uewerfläch5 ppm—Minimiséierung vun der Kontaminatioun fir eng ultra-propper Veraarbechtung.

Héich thermesch Konduktivitéit
E schnelle, gläichméissege Wärmetransfer erméiglecht eng präzis Temperaturkontroll an eng enge Wafer-Uniformitéit.

Excellent Wärmeschocktoleranz
Hält reegelméisseg waarm/kal Zyklen ouni Rëss - verlängert d'Liewensdauer a reduzéiert den Ënnerhalt.

Iwwerleeën Korrosiounsbeständegkeet
D'CVD SiC-Uewerfläch schützt géint aggressiv Chemikalien an ënnerschiddlech Atmosphären fir laangfristeg Stabilitéit.

Uwendungen

Hallefleiter:Oxidatioun, Diffusioun, Glühen – all Schrëtt, deen eng strikt Temperaturuniformitéit a Rengheet erfuerdert.
Photovoltaik:Wafer-Texturéierung, Diffusioun, Passivéierung mat stabilen, widderhuelbare Resultater.
Fortgeschratt Materialien & Hëtztbehandlung:Uniform Héichtemperaturëmfeld fir Fuerschungs- an Entwécklungsausrüstung.

FAQ

Q1: Haaptapplikatiounen?
A:Hallefleiter-, Photovoltaik- a fortgeschratt Materialprozesser – z.B. Diffusioun, Oxidatioun, Glühen a Passivéierung – wou d'Uniformitéit vun der Atmosphär an der Temperatur den Ausbezuelungsvolumen bestëmmen.

Q2: Maximal Betribstemperatur?
A:Bewäert op≤ 1300 ℃; typesche kontinuéierleche Betrib ass ongeféier1200 ℃mat exzellenter struktureller Stabilitéit.

Q3: Wéi vergläicht et mat Quarz- oder Aluminiumoxidréier?
A:SiC bitt eng méi héich Temperaturleistung, eng vill besser Wärmeleitfäegkeet, eng iwwerleeën Wärmeschockbeständegkeet, eng méi laang Liewensdauer a däitlech méi niddreg Ongereinheetsniveauen - ideal fir modern Hallefleeder- a PV-Ufuerderungen.

Iwwer eis

XKH spezialiséiert sech op High-Tech-Entwécklung, Produktioun a Verkaf vu speziellem optesche Glas a neie Kristallmaterialien. Eis Produkter si fir optesch Elektronik, Konsumentelektronik a fir d'Militär geduecht. Mir bidden optesch Komponenten fir Saphir, Lënsenofdeckungen fir Handyen, Keramik, LT, Siliziumcarbid SIC, Quarz a Hallefleederkristallwaferen. Mat qualifizéierter Expertise a moderner Ausrüstung exceléiere mir an der Veraarbechtung vu Produkter ouni Standard, mat dem Zil, e féierend High-Tech-Entreprise fir optoelektronesch Materialien ze sinn.