Indium Antimonide (InSb) wafers N Typ P Typ Epi prett undoped Te dotéiert oder Ge dotéiert 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll Dicke Indium Antimonide (InSb) Wafer
Fonctiounen
Dopingoptiounen:
1.Ongedopt:Dës Wafere si fräi vun all Dopingmëttel, wat se ideal mécht fir spezialiséiert Uwendungen wéi epitaxial Wuesstum.
2.Te Doped (N-Typ):Tellur (Te) Doping gëtt allgemeng benotzt fir N-Typ Waferen ze kreéieren, déi ideal sinn fir Uwendungen wéi Infraroutdetektoren an Héichgeschwindeg Elektronik.
3.Ge Doped (P-Typ):Germanium (Ge) Doping gëtt benotzt fir P-Typ Waferen ze kreéieren, déi héich Lochmobilitéit fir fortgeschratt Hallefleitapplikatiounen ubidden.
Gréisst Optiounen:
1.Available an 2-Zoll, 3-Zoll, an 4-Zoll Duerchmiesser. Dës Wafere këmmere sech op verschidden technologesch Bedierfnesser, vu Fuerschung an Entwécklung bis grouss-Skala Fabrikatioun.
2.Präzise Duerchmiesser Toleranzen suergen Konsistenz iwwer Chargen, mat Duerchmiesser vu 50,8 ± 0,3 mm (fir 2-Zoll Wafers) an 76,2 ± 0,3 mm (fir 3-Zoll Wafers).
Dicke Kontroll:
1.D'Wafer sinn mat enger Dicke vun 500±5μm fir eng optimal Leeschtung an verschiddenen Uwendungen verfügbar.
2.Additional Miessunge wéi TTV (Total Thickness Variation), BOW, a Warp ginn suergfälteg kontrolléiert fir héich Uniformitéit a Qualitéit ze garantéieren.
Uewerfläch Qualitéit:
1.D'Waferen kommen mat enger poléierter / geätzter Uewerfläch fir eng verbessert optesch an elektresch Leeschtung.
2.Dës Flächen sinn ideal fir epitaxial Wuesstum, bitt eng glat Basis fir weider Veraarbechtung an High-Performance-Geräter.
Epi-Ready:
1.D'InSb Wafere sinn epi-prett, dat heescht datt se fir epitaxial Oflagerungsprozesser virbehandelt ginn. Dëst mécht se ideal fir Uwendungen an der Hallefleitfabrikatioun wou epitaxial Schichten uewen op der Wafer ugebaut musse ginn.
Uwendungen
1.Infrarout Detektoren:InSb Wafere ginn allgemeng an der Infrarout (IR) Detektioun benotzt, besonnesch am Mëttelwellelängt Infrarout (MWIR) Beräich. Dës Wafere si wesentlech fir Nuetsvisioun, thermesch Imaging, an Infraroutspektroskopie Uwendungen.
2.High-Speed Electronics:Wéinst hirer héijer Elektronemobilitéit ginn InSb Waferen an Héichgeschwindeg elektronesch Geräter wéi Héichfrequenz Transistoren, Quantewellgeräter, an High-Electron Mobility Transistoren (HEMTs) benotzt.
3.Quantum Well Apparater:Déi schmuel Bandgap an exzellent Elektronemobilitéit maachen InSb Wafere gëeegent fir a Quantewell-Geräter ze benotzen. Dës Apparater si Schlësselkomponenten a Laser, Detektoren an aner optoelektronesch Systemer.
4.Spintronic Apparater:InSb gëtt och a spintronesche Applikatiounen exploréiert, wou Elektronen Spin fir Informatiounsveraarbechtung benotzt gëtt. D'Material niddereg spin-Ëmlafbunn Kopplung mécht et ideal fir dës héich-Performance Apparater.
5.Terahertz (THz) Stralung Uwendungen:InSb-baséiert Geräter ginn an THz Stralungsapplikatiounen benotzt, dorënner wëssenschaftlech Fuerschung, Imaging a Materialkarakteriséierung. Si erlaben fortgeschratt Technologien wéi THz Spektroskopie an THz Imaging Systemer.
6.Thermoelektresch Geräter:Déi eenzegaarteg Eegeschafte vun InSb maachen et en attraktivt Material fir thermoelektresch Uwendungen, wou et benotzt ka ginn fir Hëtzt an Elektrizitéit effizient ëmzewandelen, besonnesch an Nischapplikatiounen wéi Raumfaarttechnologie oder Energieproduktioun an extremen Ëmfeld.
Produit Parameteren
| Parameter | 2 Zoll | 3 Zoll | 4 Zoll |
| Duerchmiesser | 50,8 ± 0,3 mm | 76,2 ± 0,3 mm | - |
| Dicke | 500 ± 5 μm | 650 ± 5μm | - |
| Uewerfläch | Poléiert / Étched | Poléiert / Étched | Poléiert / Étched |
| Doping Typ | Ongedopt, Te-dotéiert (N), Ge-dotéiert (P) | Ongedopt, Te-dotéiert (N), Ge-dotéiert (P) | Ongedopt, Te-dotéiert (N), Ge-dotéiert (P) |
| Orientéierung | (100) | (100) | (100) |
| Package | Single | Single | Single |
| Epi-Ready | Jo | Jo | Jo |
Elektresch Parameter fir Te Doped (N-Typ):
- Mobilitéit: 2000-5000 cm²/V·s
- Resistivitéit: (1-1000) Ω·cm
- EPD (Defect Density): ≤2000 Defekte/cm²
Elektresch Parameter fir Ge Doped (P-Typ):
- Mobilitéit: 4000-8000 cm²/V·s
- Resistivitéit: (0,5-5) Ω·cm
- EPD (Defect Density): ≤2000 Defekte/cm²
Conclusioun
Indium Antimonide (InSb) wafers sinn e wesentlecht Material fir eng breet Palette vun héich performant Uwendungen an de Beräicher vun Elektronik, Optoelektronik, an Infrarouttechnologien. Mat hirer exzellenter Elektronenmobilitéit, gerénger Spin-Ëmlafbunnkupplung, a villen Dopingoptiounen (Te fir N-Typ, Ge fir P-Typ), sinn InSb Wafere ideal fir ze benotzen an Apparater wéi Infraroutdetektoren, Héichgeschwindeg Transistoren, Quantewell-Geräter, a Spintronesch Geräter.
D'Waferen sinn a verschiddene Gréissten verfügbar (2-Zoll, 3-Zoll a 4-Zoll), mat präzis Dickekontrolle an Epi-ready Flächen, fir datt se déi streng Ufuerderunge vun der moderner Halbleiterfabrikatioun entspriechen. Dës Wafere si perfekt fir Uwendungen a Felder wéi IR Detektioun, Héichgeschwindeg Elektronik, an THz Stralung, déi fortgeschratt Technologien an der Fuerschung, der Industrie a Verteidegung erméiglechen.
Detailléiert Diagramm
