Indium Antimonid (InSb) Waferen N Typ P Typ Epi Ready ondotéiert Te dotiert oder Ge dotiert 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll Déckt Indium Antimonid (InSb) Waferen
Fonctiounen
Dopingoptiounen:
1.Ondotiert:Dës Wafere si fräi vun all Dotierungsmëttel, wat se ideal fir spezialiséiert Uwendungen wéi epitaktesch Wuesstem mécht.
2.Te dotéiert (N-Typ):Tellurium (Te) Dotierung gëtt dacks benotzt fir N-Typ Waferen ze kreéieren, déi ideal fir Uwendungen wéi Infraroutdetekteren an Héichgeschwindegkeetselektronik sinn.
3. Ge-dotiert (P-Typ):Germanium (Ge) Dotierung gëtt benotzt fir P-Typ Waferen ze kreéieren, déi eng héich Lächermobilitéit fir fortgeschratt Hallefleiterapplikatioune bidden.
Gréisstoptiounen:
1. Verfügbar an Duerchmiesser vun 2 Zoll, 3 Zoll an 4 Zoll. Dës Wafere erfëllen ënnerschiddlech technologesch Bedierfnesser, vu Fuerschung an Entwécklung bis zur Groussproduktioun.
2. Präzis Duerchmiessertoleranzen garantéieren Konsistenz iwwer all Chargen, mat Duerchmiesser vu 50,8 ± 0,3 mm (fir 2-Zoll-Waferen) an 76,2 ± 0,3 mm (fir 3-Zoll-Waferen).
Décktkontroll:
1. D'Wafere si mat enger Déckt vu 500 ± 5 μm verfügbar fir optimal Leeschtung a verschiddenen Uwendungen.
2. Zousätzlech Miessunge wéi TTV (Total Thickness Variation), BOW a Warp ginn suergfälteg kontrolléiert fir eng héich Uniformitéit a Qualitéit ze garantéieren.
Uewerflächenqualitéit:
1. D'Wafere hunn eng poléiert/geätzten Uewerfläch fir eng verbessert optesch an elektresch Leeschtung.
2. Dës Uewerfläche si ideal fir epitaktesch Wuesstem a bidden eng glat Basis fir weider Veraarbechtung an Héichleistungsgeräter.
Epi-Ready:
1. D'InSb-Wafere sinn epi-ready, dat heescht, si gi fir epitaktesch Oflagerungsprozesser virbehandelt. Dëst mécht se ideal fir Uwendungen an der Hallefleederproduktioun, wou epitaktesch Schichten uewen um Wafer ugebaut musse ginn.
Uwendungen
1. Infraroutdetektoren:InSb-Wafere ginn dacks an der Infraroutdetektioun (IR) benotzt, besonnesch am mëttleren Infraroutberäich (MWIR). Dës Wafere si wesentlech fir Nuetsicht, Wärmebildgebung an Infraroutspektroskopie-Uwendungen.
2. Héichgeschwindegkeetselektronik:Wéinst hirer héijer Elektronemobilitéit ginn InSb-Wafere an elektroneschen Héichgeschwindegkeetsapparater wéi Héichfrequenztransistoren, Quantebrunn-Apparater an Transistoren mat héijer Elektronemobilitéit (HEMTs) benotzt.
3. Quantebrunn-Geräter:Déi schmuel Bandlück an déi exzellent Elektronemobilitéit maachen InSb-Wafere gëeegent fir de Gebrauch a Quantebrunn-Apparater. Dës Apparater si Schlësselkomponenten a Laseren, Detektoren an aner optoelektronesch Systemer.
4. Spintronic-Geräter:InSb gëtt och a spintronesche Applikatiounen exploréiert, wou den Elektronespin fir d'Informatiounsveraarbechtung benotzt gëtt. Déi niddreg Spin-Orbit-Kopplung vum Material mécht et ideal fir dës héich performant Apparater.
5. Uwendungen vun der Terahertz-Stralung (THz):InSb-baséiert Apparater ginn an THz-Stralungsapplikatiounen agesat, dorënner wëssenschaftlech Fuerschung, Bildgebung a Materialcharakteriséierung. Si erméiglechen fortgeschratt Technologien wéi THz-Spektroskopie an THz-Bildgebungssystemer.
6. Thermoelektresch Apparater:Déi eenzegaarteg Eegeschafte vun InSb maachen et zu engem attraktive Material fir thermoelektresch Uwendungen, wou et ka benotzt ginn, fir Hëtzt effizient an Elektrizitéit ëmzewandelen, besonnesch an Nischenuwendungen wéi Weltraumtechnologie oder Energieerzeugung an extremen Ëmfeld.
Produktparameter
| Parameter | 2-Zoll | 3-Zoll | 4-Zoll |
| Duerchmiesser | 50,8±0,3mm | 76,2±0,3mm | - |
| Déckt | 500±5μm | 650±5μm | - |
| Uewerfläch | Poléiert/Geätzt | Poléiert/Geätzt | Poléiert/Geätzt |
| Dopingtyp | Ondotéiert, Te-dotéiert (N), Ge-dotéiert (P) | Ondotéiert, Te-dotéiert (N), Ge-dotéiert (P) | Ondotéiert, Te-dotéiert (N), Ge-dotéiert (P) |
| Orientéierung | (100) | (100) | (100) |
| Pak | Eenzel | Eenzel | Eenzel |
| Epi-Ready | Jo | Jo | Jo |
Elektresch Parameter fir Te-dotiert (N-Typ):
- Mobilitéit: 2000-5000 cm²/V·s
- Widderstandsfäegkeet: (1-1000) Ω·cm
- EPD (Defektdichte): ≤2000 Defekter/cm²
Elektresch Parameter fir Ge-dotiert (P-Typ):
- Mobilitéit: 4000-8000 cm²/V·s
- Widderstandsfäegkeet(0,5-5) Ω·cm
- EPD (Defektdichte): ≤2000 Defekter/cm²
Conclusioun
Indium-Antimonid (InSb)-Wafere sinn e wesentlecht Material fir eng breet Palette vun héichperformante Uwendungen an de Beräicher Elektronik, Optoelektronik an Infrarouttechnologien. Mat hirer exzellenter Elektronemobilitéit, gerénger Spin-Orbit-Kopplung an enger Villfalt vun Dotierungsoptiounen (Te fir N-Typ, Ge fir P-Typ) si InSb-Wafere ideal fir d'Benotzung an Apparater wéi Infraroutdetekteren, Héichgeschwindegkeetstransistoren, Quantebrunn-Apparater a Spintronik-Apparater.
D'Wafere si a verschiddene Gréissten (2 Zoll, 3 Zoll a 4 Zoll) verfügbar, mat präziser Décktkontroll an epi-ready Uewerflächen, wat garantéiert, datt si den héijen Ufuerderunge vun der moderner Hallefleederfabrikatioun erfëllen. Dës Wafere si perfekt fir Uwendungen a Beräicher wéi IR-Detektioun, Héichgeschwindegkeetselektronik an THz-Stralung, wat fortgeschratt Technologien an der Fuerschung, Industrie a Verteidegung erméiglecht.
Detailéiert Diagramm
