HPSI SiCOI Wafer 4 6 Zoll hydropholesch Bindung

HPSI SiCOI Wafer 4 6 Zoll hydrophole Bindung Featured Image

Kuerz Beschreiwung:

Héichreinheets-Hallefisoléierend (HPSI) 4H-SiCOI-Wafere gi mat fortgeschrattene Bindungs- an Verdënnungstechnologien entwéckelt. D'Wafere gi fabrizéiert andeems 4H HPSI-Siliziumcarbid-Substrater op thermesch Oxidschichten duerch zwou Schlësselmethoden gebonne ginn: hydrophil (direkt) Bindung an Uewerflächenaktivéierungsbindung. Déi lescht féiert eng modifizéiert Zwëschenschicht (wéi amorph Silizium, Aluminiumoxid oder Titanoxid) an, fir d'Bindungsqualitéit ze verbesseren a Blasen ze reduzéieren, wat besonnesch fir optesch Uwendungen gëeegent ass. D'Décktekontroll vun der Siliziumcarbidschicht gëtt duerch Ionenimplantatiounsbaséiert SmartCut oder Schleif- a CMP-Polierprozesser erreecht. SmartCut bitt eng héichpräzis Déckteuniformitéit (50nm–900nm mat ±20nm Uniformitéit), kann awer liicht Kristallschued duerch Ionenimplantatioun verursaachen, wat d'Leeschtung vum opteschen Apparat beaflosst. Schleifen a CMP-Polierung vermeiden Materialschued a gi fir méi déck Filmer (350nm–500µm) a Quante- oder PIC-Uwendungen bevorzugt, awer mat manner Déckteuniformitéit (±100nm). Standard 6-Zoll-Waferen hunn eng 1µm ±0,1µm déck SiC-Schicht op enger 3µm SiO2-Schicht op 675µm Si-Substrater mat aussergewéinlecher Uewerflächenglättheet (Rq < 0,2nm). Dës HPSI SiCOI-Waferen si fir d'Hierstellung vu MEMS-, PIC-, Quante- an opteschen Apparater gëeegent, mat exzellenter Materialqualitéit a Prozessflexibilitéit.

Schéckt eis eng E-Mail

Fonctiounen

Iwwersiicht iwwer d'Eegeschafte vu SiCOI-Waferen (Siliziumkarbid op Isolator)

SiCOI-Wafere sinn en Hallefleedersubstrat vun der neier Generatioun, dat Siliziumcarbid (SiC) mat enger isoléierender Schicht, dacks SiO₂ oder Saphir, kombinéiert, fir d'Leeschtung an der Leeschtungselektronik, HF a Photonik ze verbesseren. Hei ënnendrënner ass eng detailléiert Iwwersiicht iwwer hir Eegeschaften, déi a Schlësselsektiounen opgedeelt sinn:

Immobilie	Beschreiwung
Materialzesummesetzung	Siliziumkarbid (SiC) Schicht, déi op engem isoléierende Substrat (typescherweis SiO₂ oder Saphir) gebonnen ass
Kristallstruktur	Typesch 4H- oder 6H-Polytypen aus SiC, bekannt fir hir héich Kristallqualitéit an Uniformitéit.
Elektresch Eegeschaften	Héicht Duerchbrochelektrescht Feld (~3 MV/cm), grouss Bandlück (~3,26 eV fir 4H-SiC), niddrege Leckstroum
Wärmeleitfäegkeet	Héich thermesch Konduktivitéit (~300 W/m·K), wat eng effizient Hëtztofleedung erméiglecht
Dielektresch Schicht	Isolatiounsschicht (SiO₂ oder Saphir) suergt fir elektresch Isolatioun a reduzéiert parasitär Kapazitéit
Mechanesch Eegeschaften	Héich Häert (~9 Mohs Skala), exzellent mechanesch Stäerkt a thermesch Stabilitéit
Uewerflächenfinish	Typesch ultra-glat mat enger gerénger Defektdicht, gëeegent fir d'Fabrikatioun vun Apparater
Uwendungen	Leeschtungselektronik, MEMS-Geräter, HF-Geräter, Sensoren, déi eng héich Temperatur- a Spannungstoleranz erfuerderen

SiCOI-Wafers (Silicon Carbide-on-Insulator) stellen eng fortgeschratt Hallefleeder-Substratstruktur duer, déi aus enger héichqualitativer dënner Schicht Siliziumcarbid (SiC) besteet, déi op eng isoléierend Schicht, typescherweis Siliziumdioxid (SiO₂) oder Saphir, gebonnen ass. Siliziumcarbid ass en Hallefleeder mat enger breeder Bandlück, dee bekannt ass fir seng Fäegkeet, héije Spannungen an erhéichten Temperaturen auszehalen, zesumme mat enger exzellenter Wärmeleitfäegkeet an enger iwwerleeëner mechanescher Häert, wat en ideal fir elektronesch Uwendungen mat héijer Leeschtung, Héichfrequenz an Héichtemperatur mécht.

Déi isoléierend Schicht an de SiCOI-Waferen suergt fir eng effektiv elektresch Isolatioun, wouduerch d'parasitär Kapazitéit an d'Leckstréim tëscht den Apparater däitlech reduzéiert ginn, wouduerch d'Gesamtleistung an d'Zouverlässegkeet vun den Apparater verbessert ginn. D'Waferuewerfläch ass präzis poléiert fir eng ultra-Glattheet mat minimale Mängel z'erreechen an doduerch déi streng Ufuerderunge vun der Mikro- an Nanoskala-Produktfabrikatioun ze erfëllen.

Dës Materialstruktur verbessert net nëmmen d'elektresch Charakteristike vu SiC-Komponenten, mä verbessert och d'Wärmemanagement an d'mechanesch Stabilitéit däitlech. Dofir gi SiCOI-Wafere wäit verbreet an der Leeschtungselektronik, Radiofrequenzkomponenten (RF), MEMS-Sensoren (Mikroelektromechanesch Systemer) an Héichtemperaturelektronik agesat. Am Allgemengen kombinéieren d'SiCOI-Wafere déi aussergewéinlech physikalesch Eegeschafte vu Siliziumkarbid mat de Virdeeler vun der elektrescher Isolatioun vun enger Isolatiounsschicht, wat eng ideal Basis fir déi nächst Generatioun vun héichperformante Hallefleederkomponenten duerstellt.

Uwendung vun SiCOI Waferen

Leeschtungselektronesch Apparater

Héichspannungs- a Leeschtungsschalter, MOSFETs an Dioden

Profitéiert vun der breeder Bandlück, der héijer Duerchbrochspannung an der thermescher Stabilitéit vu SiC

Reduzéiert Energieverloschter a verbessert Effizienz a Stroumkonversiounssystemer

Radiofrequenz (RF) Komponenten

Héichfrequenztransistoren a Verstärker

Déi niddreg parasitär Kapazitéit wéinst der isoléierender Schicht verbessert d'HF-Leeschtung

Gëeegent fir 5G Kommunikatiouns- a Radarsystemer

Mikroelektromechanesch Systemer (MEMS)

Sensoren an Aktuatoren, déi an haarden Ëmfeld funktionéieren

Mechanesch Robustheet a chemesch Inertitéit verlängeren d'Liewensdauer vum Apparat

Enthält Drocksensoren, Beschleunigungsmesser a Gyroskoper

Héichtemperaturelektronik

Elektronik fir Automobil-, Loftfaart- an Industrieanwendungen

Funktionéiert zouverlässeg bei erhéichten Temperaturen, wou Silizium ausfällt

Photonesch Geräter

Integratioun mat optoelektronesche Komponenten op Isolatiounssubstrater

Erméiglecht On-Chip Photonik mat verbesserter Wärmemanagement

Froen an Äntwerten iwwer SiCOI Wafers

Q:Wat ass e SiCOI-Wafer

A:SiCOI-Wafer steet fir Silicon Carbide-on-Insulator Wafer. Et ass eng Zort Hallefleedersubstrat, bei deem eng dënn Schicht Siliziumcarbid (SiC) op eng isoléierend Schicht, normalerweis Siliziumdioxid (SiO₂) oder heiansdo Saphir, gebonnen ass. Dës Struktur ass am Konzept ähnlech wéi déi bekannte Silicon-on-Insulator (SOI)-Waferen, awer benotzt SiC amplaz vu Silizium.