HPSI SiC Wafer Duerchmiesser: 3 Zoll Déckt: 350µm ± 25 µm fir Leeschtungselektronik
Applikatioun
HPSI SiC-Wafers ginn an enger breeder Palette vun Uwendungen an der Leeschtungselektronik benotzt, dorënner:
Kraaft-Hallefleiter:SiC-Wafere ginn dacks bei der Produktioun vun Leeschtungsdioden, Transistoren (MOSFETs, IGBTs) an Thyristoren agesat. Dës Hallefleeder gi wäit verbreet a Stroumkonversiounsapplikatiounen agesat, déi eng héich Effizienz a Zouverlässegkeet erfuerderen, wéi zum Beispill an industrielle Motorundriff, Stroumversuergungen an Inverter fir erneierbar Energiesystemer.
Elektroautoen (EVs):An Undriffssystemer fir Elektroautoen bidden SiC-baséiert Stroumversuergungsgeräter méi séier Schaltgeschwindegkeeten, eng méi héich Energieeffizienz a reduzéiert Wärmeverloschter. SiC-Komponente si perfekt fir Uwendungen a Batteriemanagementsystemer (BMS), Ladeinfrastrukturen an On-Board-Ladegeräter (OBCs), wou d'Minimiséierung vum Gewiicht an d'Maximiséierung vun der Energiekonversiounseffizienz entscheedend sinn.
Erneierbar Energiesystemer:SiC-Wafere ginn ëmmer méi a Solarinverter, Wandturbinnengeneratoren an Energiespeichersystemer benotzt, wou héich Effizienz a Robustheet essentiell sinn. SiC-baséiert Komponenten erméiglechen eng méi héich Leeschtungsdicht an eng verbessert Leeschtung an dësen Uwendungen, wouduerch d'Gesamtenergieëmwandlungseffizienz verbessert gëtt.
Industriell Kraaftelektronik:An industriellen Uwendungen mat héijer Leeschtung, wéi Motorundriff, Robotik a groussflächeg Stroumversuergungen, erméiglecht d'Benotzung vu SiC-Waferen eng verbessert Leeschtung a punkto Effizienz, Zouverlässegkeet a Wärmemanagement. SiC-Komponente kënnen héich Schaltfrequenzen an héich Temperaturen aushalen, wat se fir usprochsvoll Ëmfeld gëeegent mécht.
Telekommunikatioun an Datenzentren:SiC gëtt a Stroumversuergunge fir Telekommunikatiounsausrüstung an Datenzentren agesat, wou eng héich Zouverlässegkeet an effizient Energiekonversioun entscheedend sinn. SiC-baséiert Stroumversuergungsgeräter erméiglechen eng méi héich Effizienz bei méi klenge Gréissten, wat sech zu engem reduzéierte Stroumverbrauch an enger besserer Killeffizienz a grousse Infrastrukturen ergëtt.
Déi héich Duerchbrochspannung, den niddrege Schaltwiderstand an déi exzellent Wärmeleitfäegkeet vu SiC-Waferen maachen se zum idealen Substrat fir dës fortgeschratt Uwendungen, wat d'Entwécklung vun energieeffizienter Leeschtungselektronik vun der nächster Generatioun erméiglecht.
Eegeschaften
| Immobilie | Wäert |
| Waferduerchmiesser | 3 Zoll (76,2 mm) |
| Waferdicke | 350 µm ± 25 µm |
| Wafer Orientéierung | <0001> op der Achs ± 0,5° |
| Mikropäifdicht (MPD) | ≤ 1 cm⁻² |
| Elektresch Widderstand | ≥ 1E7 Ω·cm |
| Dotéierungsmëttel | Ondotéiert |
| Primär flaach Orientéierung | {11-20} ± 5,0° |
| Primär flaach Längt | 32,5 mm ± 3,0 mm |
| Sekundär flaach Längt | 18,0 mm ± 2,0 mm |
| Sekundär flaach Orientéierung | Si-Fläch no uewen: 90° mat der rietser Säit vun der primärer Fläch ± 5,0° |
| Randausgrenzung | 3 mm |
| LTV/TTV/Béi/Verzerrung | 3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm |
| Uewerflächenrauheet | C-Fläch: poléiert, Si-Fläch: CMP |
| Rëss (mat héichintensivem Liicht iwwerpréift) | Keen |
| Sechseckplacken (duerch héichintensivt Liicht iwwerpréift) | Keen |
| Polytypberäicher (inspektéiert duerch héichintensivt Liicht) | Kumulativ Fläch 5% |
| Kratzer (mat héichintensivem Liicht iwwerpréift) | ≤ 5 Kratzer, kumulativ Längt ≤ 150 mm |
| Kantenabschnitzen | Keen erlaabt ≥ 0,5 mm Breet an Déift |
| Uewerflächenkontaminatioun (inspektéiert mat héichintensivem Liicht) | Keen |
Schlësselvirdeeler
Héich thermesch Konduktivitéit:SiC-Wafers si bekannt fir hir aussergewéinlech Fäegkeet, Hëtzt ofzebauen, wat et Stroumversuergungsapparater erlaabt, mat méi héijer Effizienz ze funktionéieren a méi héich Stréim ouni Iwwerhëtzung ze handhaben. Dës Funktioun ass entscheedend an der Leeschtungselektronik, wou d'Hëtztmanagement eng grouss Erausfuerderung ass.
Héich Duerchschlagspannung:Déi grouss Bandlück vum SiC erméiglecht et Apparater, méi héich Spannungsniveauen ze toleréieren, wouduerch se ideal fir Héichspannungsapplikatiounen ewéi Stroumnetzer, Elektroautoen an Industriemaschinnen sinn.
Héich Effizienz:D'Kombinatioun vun héijen Schaltfrequenzen an engem niddregen On-Widerstand resultéiert an Apparater mat manner Energieverloscht, wat d'Gesamteffizienz vun der Energiekonversioun verbessert an de Besoin fir komplex Killsystemer reduzéiert.
Zouverlässegkeet an haarden Ëmfeld:SiC kann bei héijen Temperaturen (bis zu 600 °C) funktionéieren, wat et gëeegent mécht fir an Ëmfeld ze benotzen, déi soss traditionell Silizium-baséiert Apparater beschiedege géifen.
Energiespueren:SiC-Stroumversuergungsgeräter verbesseren d'Energiekonversiounseffizienz, wat entscheedend ass fir de Stroumverbrauch ze reduzéieren, besonnesch a grousse Systemer wéi industrielle Stroumwandler, Elektroautoen an Infrastrukture fir erneierbar Energien.
Detailéiert Diagramm
