HPSI SiC Wafer Ø: 3 Zoll Dicke: 350um ± 25 µm fir Power Electronics

HPSI SiC Wafer Dia: 3 Zoll Dicke: 350um ± 25 µm fir Power Electronics Featured Image

Kuerz Beschreiwung:

Den HPSI (High-Purity Silicon Carbide) SiC Wafer mat engem Duerchmiesser vun 3 Zoll an enger Dicke vun 350 µm ± 25 µm ass speziell fir Kraaftelektronik Uwendungen entworf déi héich performant Substrate erfuerderen. Dëse SiC Wafer bitt super thermesch Konduktivitéit, héich Decomptespannung, an Effizienz bei héijen Operatiounstemperaturen, wat et eng ideal Wiel mécht fir déi wuessend Nofro fir energieeffizient a robust Kraaftelektronesch Geräter. SiC Wafere si besonnesch gëeegent fir Héichspannung, Héichstroum, an Héichfrequenz Uwendungen, wou traditionell Siliziumsubstrater net den operationelle Fuerderunge gerecht ginn.
Eis HPSI SiC Wafer, fabrizéiert mat de leschten Industrieféierend Techniken, ass a verschiddene Graden verfügbar, jidderee entwéckelt fir spezifesch Fabrikatiounsufuerderungen z'erreechen. De Wafer weist aussergewéinlech strukturell Integritéit, elektresch Eegeschaften, an Uewerflächqualitéit, a garantéiert datt et zuverlässeg Leeschtung an usprochsvollen Uwendungen liwwere kann, dorënner Kraaft Hallefleit, elektresch Gefierer (EVs), erneierbar Energiesystemer, an industriell Kraaftkonversioun.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Applikatioun

HPSI SiC Wafere ginn an enger breet Palette vu Kraaftelektronik Uwendungen benotzt, dorënner:

Power Semiconductors:SiC Wafere ginn allgemeng an der Produktioun vu Kraaftdioden, Transistoren (MOSFETs, IGBTs) an Thyristoren benotzt. Dës Halbleiter gi wäit an Kraaftkonversiounsapplikatiounen benotzt déi héich Effizienz an Zouverlässegkeet erfuerderen, sou wéi an industrielle Motordriven, Stroumversuergung, an Inverter fir erneierbar Energiesystemer.
Elektresch Gefierer (EVs):An elektresche Gefierer Powertrains bidden SiC-baséiert Kraaftapparater méi séier Schaltgeschwindegkeet, méi héich Energieeffizienz a reduzéiert thermesch Verloschter. SiC Komponente sinn ideal fir Uwendungen an Batteriemanagementsystemer (BMS), Opluedinfrastruktur, an Bord-Ladegeräter (OBCs), wou d'Gewiicht miniméieren an d'Energiekonversiounseffizienz maximéieren kritesch ass.

Erneierbar Energiesystemer:SiC Wafere ginn ëmmer méi a Solarinverter, Windturbinengeneratoren an Energiespeichersystemer benotzt, wou héich Effizienz a Robustheet wesentlech sinn. SiC-baséiert Komponenten erméiglechen eng méi héich Kraaftdicht a verstäerkte Leeschtung an dësen Uwendungen, déi allgemeng Energiekonversiounseffizienz verbesseren.

Industriell Power Electronics:An héich-Performance industriell Uwendungen, wéi Motor fiert, Roboter, a grouss-Skala Muecht Fourniture, d'Benotzung vun SiC wafers erlaabt eng verbessert Leeschtung am Sënn vun Effizienz, Zouverlässegkeet, an thermesch Gestioun. SiC Apparater kënnen héich Schaltfrequenzen an héich Temperaturen handhaben, sou datt se gëeegent sinn fir exigent Ëmfeld.

Telekommunikatioun an Datenzentren:SiC gëtt a Stroumversuergung fir Telekommunikatiounsausrüstung an Datenzenteren benotzt, wou héich Zouverlässegkeet an effizient Kraaftkonversioun entscheedend sinn. SiC-baséiert Kraaftgeräter erméiglechen méi Effizienz bei méi klengen Gréissten, wat sech a reduzéierte Stroumverbrauch a bessere Killeffizienz a grousser Infrastrukturen iwwersetzt.

Déi héich Decompte Spannung, geréng On-Resistenz, an exzellent thermesch Konduktivitéit vu SiC Wafers maachen se den ideale Substrat fir dës fortgeschratt Uwendungen, wat d'Entwécklung vun der nächster Generatioun energieeffizienter Kraaftelektronik erméiglecht.

Eegeschaften

Immobilie	Wäert
Wafer Duerchmiesser	3 Zoll (76,2 mm)
Wafer Dicke	350 µm ± 25 µm
Wafer Orientatioun	<0001> op der Achs ± 0,5°
Mikropipe Density (MPD)	≤ 1 cm⁻²
Elektresch Resistivitéit	≥ 1E7 Ω·cm
Dopant	Ongedopt
Primär flaach Orientéierung	{11-20} ± 5,0°
Primär flaach Längt	32,5 mm ± 3,0 mm
Sekundär flaach Längt	18,0 mm ± 2,0 mm
Secondary Flat Orientation	Si Gesiicht erop: 90 ° CW aus Primärfläch ± 5,0 °
Rand Ausgrenzung	3 mm
LTV/TTV/Bow/Warp	3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm
Uewerfläch Roughness	C-Gesiicht: poléiert, Si-Gesiicht: CMP
Rëss (iwwerpréift duerch héich Intensitéit Liicht)	Keen
Hex Placke (iwwerpréift duerch héich Intensitéit Liicht)	Keen
Polytype Beräicher (iwwerpréift duerch héich Intensitéit Liicht)	Kumulativ Fläch 5%
Kratzer (iwwerpréift duerch héich Intensitéit Liicht)	≤ 5 Kratzer, kumulativ Längt ≤ 150 mm
Rand Chipping	Keen erlaabt ≥ 0,5 mm Breet an Déift
Surface Kontaminatioun (iwwerpréift duerch héich Intensitéit Liicht)	Keen

Schlëssel Virdeeler

Héich thermesch Konduktivitéit:SiC Wafere si bekannt fir hir aussergewéinlech Fäegkeet fir Hëtzt ze dissipéieren, wat et erlaabt Kraaftapparaten mat méi héijer Effizienz ze bedreiwen a méi héich Stréim ze handhaben ouni Iwwerhëtzung. Dës Feature ass entscheedend an der Kraaftelektronik, wou d'Hëtztmanagement eng bedeitend Erausfuerderung ass.
Héich Decompte Volt:Déi breet Bandgap vu SiC erlaabt Apparater méi héich Spannungsniveauen ze toleréieren, sou datt se ideal sinn fir Héichspannungsapplikatiounen wéi Stroumnetz, elektresch Gefierer an industriell Maschinnen.
Héich Effizienz:D'Kombinatioun vun héije Schaltfrequenzen a gerénger On-Resistenz resultéiert zu Geräter mat manner Energieverloscht, d'Gesamteffizienz vun der Kraaftkonversioun ze verbesseren an d'Bedierfnes fir komplexe Killsystemer ze reduzéieren.
Zouverlässegkeet an härten Ëmfeld:SiC ass fäeg bei héijen Temperaturen ze bedreiwen (bis zu 600 ° C), wat et gëeegent mécht fir an Ëmfeld ze benotzen, déi soss traditionell Silizium-baséiert Geräter beschiedegen.
Energiespueren:SiC Kraaftapparater verbesseren d'Energiekonversiounseffizienz, wat kritesch ass fir de Stroumverbrauch ze reduzéieren, besonnesch a grousse Systemer wéi industrielle Stroumkonverter, elektresch Gefierer, an erneierbar Energieinfrastruktur.