HPSI SiC Wafer ≥90% Transmittanz optesch Qualitéit fir AI/AR Brëller

Kuerz Beschreiwung:

Parameter	Grad	4-Zoll Substrat	6-Zoll Substrat
Duerchmiesser	Z-Klass / D-Klass	99,5 mm – 100,0 mm	149,5 mm – 150,0 mm
Poly-Typ	Z-Klass / D-Klass	4H	4H
Déckt	Z-Klass	500 μm ± 15 μm	500 μm ± 15 μm
Déckt	D-Klass	500 μm ± 25 μm	500 μm ± 25 μm
Wafer Orientéierung	Z-Klass / D-Klass	Op der Achs: <0001> ± 0,5°	Op der Achs: <0001> ± 0,5°
Mikropäifdicht	Z-Klass	≤ 1 cm²	≤ 1 cm²
Mikropäifdicht	D-Klass	≤ 15 cm²	≤ 15 cm²
Widerstandsfäegkeet	Z-Klass	≥ 1E10 Ω·cm	≥ 1E10 Ω·cm
Widerstandsfäegkeet	D-Klass	≥ 1E5 Ω·cm	≥ 1E5 Ω·cm

Schéckt eis eng E-Mail

Fonctiounen

Kärintroduktioun: D'Roll vun HPSI SiC Waferen an AI/AR Brëller

HPSI (High-Purity Semi-Insulating) Siliziumcarbid-Wafers si spezialiséiert Waferen, déi sech duerch en héije Widderstand (>10⁹ Ω·cm) an eng extrem niddreg Defektdicht charakteriséieren. An AI/AR-Glieser déngen se haaptsächlech als Kärsubstratmaterial fir diffraktiv optesch Wellenleiterlënsen, wouduerch se Engpässe a Verbindung mat traditionellen optesche Materialien a punkto dënn a liicht Formfaktoren, Hëtzofleedung an optesch Leeschtung adresséieren. Zum Beispill kënnen AR-Glieser, déi SiC-Wellenleiterlënsen benotzen, en ultra-breet Siichtfeld (FOV) vun 70°–80° erreechen, wärend d'Dicke vun enger eenzeger Lënsenschicht op nëmmen 0,55 mm an d'Gewiicht op nëmmen 2,7 g reduzéiert gëtt, wat de Tragekomfort an d'visuell Immersion däitlech verbessert.

b0968b8d-1b0f-4dfe-8fce-865d38404ba5_副本_副本

Schlësselcharakteristiken: Wéi SiC-Material den Design vun AI/AR-Brëllen erméiglecht

Héije Breechungsindex an optesch Leeschtungsoptimiséierung

De Breechungsindex vu SiC (2,6–2,7) ass bal 50% méi héich wéi dee vun traditionellem Glas (1,8–2,0). Dëst erméiglecht méi dënn a méi effizient Wellenleiterstrukturen, wat de FOV däitlech erweidert. Den héije Breechungsindex hëlleft och den "Reeboueffekt" ze ënnerdrécken, deen bei diffraktive Wellenleiter heefeg ass, wat d'Bildreinheet verbessert.

Aussergewéinlech thermesch Gestiounsfäegkeet

Mat enger Wärmeleitfäegkeet vu bis zu 490 W/m·K (no bei där vu Koffer) kann SiC d'Hëtzt, déi vu Micro-LED-Displaymoduler generéiert gëtt, séier ofleeden. Dëst verhënnert eng Leeschtungsverschlechterung oder en Alterungsprozess duerch héich Temperaturen, wat eng laang Batterielaufzäit an eng héich Stabilitéit garantéiert.

Mechanesch Stäerkt an Haltbarkeet

SiC huet eng Mohs-Häert vun 9,5 (nëmmen no Diamant déi zweetgréisst), wat et aussergewéinlech Kratzfestigkeit bitt, wat et ideal fir dacks benotzt Konsumgläser mécht. Seng Uewerflächenrauheet kann op Ra < 0,5 nm kontrolléiert ginn, wat eng Verloschtarm an héich gläichméisseg Liichttransmissioun a Wellenleiter garantéiert.

Kompatibilitéit mat elektresche Eegeschaften

De Widderstand vum HPSI SiC (>10⁹ Ω·cm) hëlleft Signalinterferenzen ze vermeiden. Et kann och als effizientes Material fir Stroumversuergungsapparater déngen, andeems et d'Energiemanagementmoduler an AR-Brëller optimiséiert.

Primär Uwendungsinstruktiounen

Käroptesch Komponenten fir AI/AR Brëllers

Diffraktiv Wellenleiterlënsen: SiC-Substrater gi benotzt fir ultradënn optesch Wellenleiter ze kreéieren, déi e grousst FOV ënnerstëtzen an de Reeboueffekt eliminéieren.
Fënsterplacken a Prismen: Duerch personaliséiert Schnëtt a Poléieren kann SiC a Schutzfënsteren oder optesch Prismen fir AR-Brëller veraarbecht ginn, wat d'Liichttransmissioun an d'Verschleißbeständegkeet verbessert.

Verlängert Uwendungen an anere Beräicher

Leeschtungselektronik: Benotzt a Héichfrequenz- a Leeschtungsszenarien, wéi zum Beispill nei Energieinverter fir Gefierer an industriell Motorsteierungen.
Quantenoptik: Wirkt als Wirt fir Faarfzentren, a gëtt a Substrate fir Quantekommunikatiouns- a Sensorapparater benotzt.

Vergläich vu Spezifikatioune vu 4 Zoll & 6 Zoll HPSI SiC Substrat

Parameter	Grad	4-Zoll Substrat	6-Zoll Substrat
Duerchmiesser	Z-Klass / D-Klass	99,5 mm - 100,0 mm	149,5 mm - 150,0 mm
Poly-Typ	Z-Klass / D-Klass	4H	4H
Déckt	Z-Klass	500 μm ± 15 μm	500 μm ± 15 μm
Déckt	D-Klass	500 μm ± 25 μm	500 μm ± 25 μm
Wafer Orientéierung	Z-Klass / D-Klass	Op der Achs: <0001> ± 0,5°	Op der Achs: <0001> ± 0,5°
Mikropäifdicht	Z-Klass	≤ 1 cm²	≤ 1 cm²
Mikropäifdicht	D-Klass	≤ 15 cm²	≤ 15 cm²
Widerstandsfäegkeet	Z-Klass	≥ 1E10 Ω·cm	≥ 1E10 Ω·cm
Widerstandsfäegkeet	D-Klass	≥ 1E5 Ω·cm	≥ 1E5 Ω·cm
Primär flaach Orientéierung	Z-Klass / D-Klass	(10-10) ± 5,0°	(10-10) ± 5,0°
Primär flaach Längt	Z-Klass / D-Klass	32,5 mm ± 2,0 mm	Kerb
Sekundär flaach Längt	Z-Klass / D-Klass	18,0 mm ± 2,0 mm	-
Randausgrenzung	Z-Klass / D-Klass	3 mm	3 mm
LTV / TTV / Béi / Ketten	Z-Klass	≤ 2,5 μm / ≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 30 μm	≤ 2,5 μm / ≤ 6 μm / ≤ 25 μm / ≤ 35 μm
LTV / TTV / Béi / Ketten	D-Klass	≤ 10 μm / ≤ 15 μm / ≤ 25 μm / ≤ 40 μm	≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 40 μm / ≤ 80 μm
Rauheet	Z-Klass	Poléiert Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm	Poléiert Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm
Rauheet	D-Klass	Poléiert Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm	Poléiert Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,5 nm
Rëss um Rand	D-Klass	Kumulativ Fläch ≤ 0,1%	Kumulativ Längt ≤ 20 mm, eenzel ≤ 2 mm
Polytypgebidder	D-Klass	Kumulativ Fläch ≤ 0,3%	Kumulativ Fläch ≤ 3%
Visuell Kuelestoffinklusiounen	Z-Klass	Kumulativ Fläch ≤ 0,05%	Kumulativ Fläch ≤ 0,05%
Visuell Kuelestoffinklusiounen	D-Klass	Kumulativ Fläch ≤ 0,3%	Kumulativ Fläch ≤ 3%
Kratzer op der Siliziumoberfläche	D-Klass	5 erlaabt, all ≤1mm	Kumulativ Längt ≤ 1 x Duerchmiesser
Kantenchips	Z-Klass	Net erlaabt (Breet an Déift ≥0,2 mm)	Net erlaabt (Breet an Déift ≥0,2 mm)
Kantenchips	D-Klass	7 erlaabt, all ≤1mm	7 erlaabt, all ≤1mm
Verrécklung vun der Gewindeschraube	Z-Klass	-	≤ 500 cm²
Verpackung	Z-Klass / D-Klass	Multi-Wafer Kassett oder Eenzelwafer Behälter	Multi-Wafer Kassett oder Eenzelwafer Behälter

XKH Servicer: Integréiert Produktiouns- a Personaliséierungsméiglechkeeten

D'Firma XKH huet vertikal Integratiounsfäegkeeten, vu Réimaterial bis zu fäerdege Waferen, a deckt déi ganz Kette vum SiC-Substratwuesstem, Schneiden, Poléieren a personaliséierter Veraarbechtung of. Zu de wichtegste Virdeeler vum Service gehéieren:

Materialdiversitéit:Mir kënnen verschidden Zorte vu Wafer ubidden, wéi zum Beispill den Typ 4H-N, den Typ 4H-HPSI, den Typ 4H/6H-P an den Typ 3C-N. De Widderstand, d'Déckt an d'Orientéierung kënnen no Bedarf ugepasst ginn.
anFlexibel Gréisst Upassung:Mir ënnerstëtze Waferveraarbechtung vun 2 Zoll bis 12 Zoll Duerchmiesser, a kënnen och speziell Strukturen wéi quadratesch Stécker (z.B. 5x5mm, 10x10mm) an onregelméisseg Prismen veraarbechten.
Optesch Präzisiounskontroll:D'Variatioun vun der Gesamtdicke vun der Wafer (TTV) kann op <1μm an d'Uewerflächenrauheet op Ra < 0,3 nm gehale ginn, wouduerch d'Ufuerderunge fir d'Flaachheet op Nanoniveau fir Wellenleiter-Eenheeten erfëllt ginn.
Schnell Maartreaktioun:Dat integréiert Geschäftsmodell garantéiert en effizienten Iwwergank vun der Fuerschung an Entwécklung zur Masseproduktioun a ënnerstëtzt alles, vun der Verifizéierung vu klenge Chargen bis zu Liwwerunge a grousse Quantitéiten (Liwwerzäit typescherweis 15-40 Deeg).

FAQ vun HPSI SiC Wafer

Q1: Firwat gëllt HPSI SiC als ideal Material fir AR-Wellenleiterlënsen?
A1: Säin héije Breechungsindex (2,6–2,7) erméiglecht méi dënn, méi effizient Wellenleiterstrukturen, déi e méi grousst Siichtfeld ënnerstëtzen (z.B. 70°–80°), wärend de "Reeboueffekt" eliminéiert gëtt.
Q2: Wéi verbessert HPSI SiC d'Wärmemanagement an AI/AR-Brëllen?
A2: Mat enger Wärmeleitfäegkeet vu bis zu 490 W/m·K (no bei Koffer) leet et d'Hëtzt vu Komponenten ewéi Micro-LEDs effizient of, wat eng stabil Leeschtung an eng méi laang Liewensdauer vun den Apparater garantéiert.
Q3: Wéi eng Virdeeler vun der Haltbarkeet bitt HPSI SiC fir tragbar Brëller?
A3: Seng aussergewéinlech Häert (Mohs 9.5) bitt eng iwwerleeën Kratzerbeständegkeet, wat et héich haltbar mécht fir den deegleche Gebrauch an AR-Brëller vu Konsumentqualitéit.