Duerchsiichteg Saphir-Eenkristallröhre mat héijer Härkeet

Héichhärte transluzent Saphir-Eenkristallröhre Featured Image

Kuerz Beschreiwung:

Saphirréier no der EFG-Method hunn eng breet Palette vun Uwendungen a potenziellen Uwendungen am Beräich vun der Héichfrequenzelektronik a Kommunikatioun wéinst hirer exzellenter elektrescher Leetfäegkeet an héijer Rengheet.

Schéckt eis eng E-Mail

Produktdetailer

Produkt Tags

Aféierung vun der Waferbox

D'EFG-Method ass eng Method fir d'Zucht vu Saphirkristaller fir d'Virbereedung vu Saphirréier mat der Guide-Mould-Method. Folgend ass eng detailléiert Beschreiwung vun der Wuessmethod, de Charakteristiken an den Uwendungen vu Saphirréier mat der Guide-Mode-Method:

Héich Rengheet: De konduktiven EFG-Method fir Saphirröhren erméiglecht e ganz rengt Saphirkristallwuesstum, wouduerch den Impakt vun Ongereinheeten op d'elektresch Konduktivitéit reduzéiert gëtt.

Héich Qualitéit: D'EFG-Method vum Saphirröhrchen am konduktiven Modus produzéiert eng héichqualitativ Kristallstruktur, déi eng niddreg Elektronestreuung an eng héich Elektronemobilitéit suergt.

Excellent elektresch Leetfäegkeet: Saphirkristaller hunn eng gutt elektresch a thermesch Leetfäegkeet, wouduerch Saphirréier am leitfäege Modus exzellent fir Héichfrequenz- a Mikrowellenapplikatioune sinn.

Héichtemperaturbeständegkeet: Saphir huet eng exzellent Héichtemperaturbeständegkeet a kann eng stabil elektresch Leetfäegkeet an Ëmfeld mat héijen Temperaturen behalen.

Produkt	SaphirRéierPäif
Material	99,99% rengt Saphirglas
Veraarbechtungsmethod	Fräsen aus Saphirblech
Gréisst	OD:φ55.00 × ID: φ59.00 × L: 300.0 (mm)OD:φ34.00 × ID: φ40.00 × L: 800.0 (mm) OD:φ5.00×ID:φ20.00×L:1500.0(mm)
Applikatioun	Optesch FënsterLED-Beliichtung Lasersystem Optesche Sensor
Beschreiwung	Saphirréier aus der KY-Technologie gi typescherweis aus Eenkristallsaphir hiergestallt, enger Form vun Aluminiumoxid (Al2O3), déi héich transparent ass an eng héich thermesch Leetfäegkeet huet.