GaN op Glas 4-Zoll: Personaliséierbar Glasoptiounen, dorënner JGS1, JGS2, BF33 a gewéinleche Quarz

Kuerz Beschreiwung:

EisGaN op Glas 4-Zoll Wafere bidden personaliséierbarGlassubstratoptiounen, dorënner JGS1, JGS2, BF33 a gewéinleche Quarz, sinn fir eng breet Palette vun Uwendungen an der Optoelektronik, Héichleistungsgeräter a photonesche Systemer entwéckelt ginn. Galliumnitrid (GaN) ass en Hallefleeder mat enger breeder Bandlück, deen exzellent Leeschtung an Ëmfeld mat héijen Temperaturen an héijen Frequenzberäicher bitt. Wann et op Glassubstrater ugebaut gëtt, bitt GaN aussergewéinlech mechanesch Eegeschaften, verbessert Haltbarkeet a kosteneffektiv Produktioun fir modern Uwendungen. Dës Wafere si ideal fir d'Benotzung an LEDs, Laserdioden, Photodetekteren an aner optoelektronesch Geräter, déi eng héich thermesch an elektresch Leeschtung erfuerderen. Mat personaliséierte Glasoptiounen bidden eis GaN-op-Glas-Wafers villfälteg an héichleistungsfäeg Léisungen, fir d'Bedierfnesser vun der moderner elektronescher an photonescher Industrie gerecht ze ginn.


Fonctiounen

Fonctiounen

● Breet Bandlück:GaN huet eng Bandlück vun 3,4 eV, wat eng méi héich Effizienz a méi grouss Haltbarkeet ënner Héichspannungs- an Héichtemperaturbedingungen am Verglach mat traditionelle Hallefleitmaterialien wéi Silizium erméiglecht.
●Personaliséiert Glassubstrater:Verfügbar mat JGS1-, JGS2-, BF33- a gewéinleche Quarzglasoptiounen, fir verschidden thermesch, mechanesch an optesch Leeschtungsufuerderungen gerecht ze ginn.
● Héich thermesch Konduktivitéit:Déi héich Wärmeleitfäegkeet vu GaN garantéiert eng effektiv Wärmeofleedung, wouduerch dës Waferen ideal fir Energieapplikatiounen an Apparater sinn, déi héich Hëtzt generéieren.
●Héich Duerchschlagspannung:D'Fäegkeet vu GaN fir héich Spannungen auszehalen, mécht dës Wafere gëeegent fir Leeschtungstransistoren an Héichfrequenzapplikatiounen.
●Exzellent mechanesch Stäerkt:D'Glassubstrater, kombinéiert mat de Eegeschafte vu GaN, bidden eng robust mechanesch Stäerkt, wat d'Haltbarkeet vum Wafer a schwieregen Ëmfeld verbessert.
●Reduzéiert Produktiounskäschten:Am Verglach mat traditionellen GaN-op-Silizium oder GaN-op-Saphir-Waferen ass GaN-op-Glas eng méi käschtegënschteg Léisung fir d'Groussproduktioun vun Héichleistungs-Komponenten.
●Modifizéiert optesch Eegeschaften:Verschidde Glasoptiounen erlaben d'Personaliséierung vun den opteschen Charakteristike vum Wafer, wouduerch en fir Uwendungen an der Optoelektronik a Photonik gëeegent ass.

Technesch Spezifikatiounen

Parameter

Wäert

Wafergréisst 4-Zoll
Optiounen fir Glassubstrater JGS1, JGS2, BF33, Gewéinleche Quarz
GaN-Schichtdicke 100 nm – 5000 nm (personaliséierbar)
GaN Bandlück 3,4 eV (grouss Bandlück)
Duerchbrochspannung Bis zu 1200V
Wärmeleitfäegkeet 1,3 – 2,1 W/cm·K
Elektronenmobilitéit 2000 cm²/V·s
Rauheet vun der Waferoberfläche RMS ~0,25 nm (AFM)
GaN-Blechwiderstand 437,9 Ω·cm²
Widderstandsfäegkeet Hallefisoléierend, N-Typ, P-Typ (personaliséierbar)
Optesch Transmissioun >80% fir siichtbar an UV-Wellenlängten
Wafer-Ketten < 25 µm (maximal)
Uewerflächenfinish SSP (eenzelsäiteg poléiert)

Uwendungen

Optoelektronik:
GaN-op-Glas-Wafers gi wäit verbreet aLEDsanLaserdiodenwéinst der héijer Effizienz an der optescher Leeschtung vu GaN. D'Méiglechkeet, Glassubstrater wéi z.B.JGS1anJGS2erlaabt eng Personnalisatioun vun der optescher Transparenz, wouduerch se ideal fir héich Leeschtung, héich Hellegkeet sinnblo/gréng LEDsanUV-Laseren.

Photonik:
GaN-op-Glas-Wafers si perfekt dofirphotodetectors, photonesch integréiert Schaltungen (PICs), anoptesch SensorenHir exzellent Liichttransmissiounseigenschaften an héich Stabilitéit an Héichfrequenzapplikatioune maachen se gëeegent firKommunikatiounanSensortechnologien.

Leeschtungselektronik:
Wéinst hirer breeder Bandlück an héijer Duerchbrochspannung gi GaN-op-Glas-Wafers agesatHéichleistungstransistorenanHéichfrequenz-EnergiekonversiounD'Fäegkeet vu GaN fir héich Spannungen an thermesch Ofleedung ze handhaben mécht et perfekt firLeeschtungsverstärker, HF-Leeschtungstransistoren, anLeeschtungselektronikan industriellen an Konsumentenapplikatiounen.

Héichfrequenzapplikatiounen:
GaN-op-Glas-Wafers weisen exzellentElektronenmobilitéita kënne mat héije Schaltgeschwindegkeete funktionéieren, wat se ideal mécht firHéichfrequenz-Energiegeräter, Mikrowellenapparater, anHF-VerstärkerDëst sinn entscheedend Komponenten an5G Kommunikatiounssystemer, Radarsystemer, anSatellittekommunikatioun.

Automobilanwendungen:
GaN-op-Glas-Wafer ginn och an Automobil-Energiesystemer benotzt, besonnesch anOnboard-Ladegeräter (OBCs)anDC-DC Konverterfir Elektroautoen (EVs). D'Fäegkeet vun de Waferen, héich Temperaturen a Spannungen ze verkraften, erlaabt et, se an der Leeschtungselektronik fir Elektroautoen ze benotzen, wat eng méi héich Effizienz a Zouverlässegkeet bitt.

Medizinesch Geräter:
D'Eegeschafte vu GaN maachen et och zu engem attraktive Material fir d'Benotzung anmedizinesch Bildgebunganbiomedizinesch SensorenSeng Fäegkeet fir bei héije Spannungen ze funktionéieren a seng Resistenz géint Stralung maachen et ideal fir Uwendungen anDiagnosegeräteranmedizinesch Laseren.

Froen an Äntwerten

Q1: Firwat ass GaN-op-Glas eng gutt Optioun am Verglach zu GaN-op-Silizium oder GaN-op-Saphir?

A1:GaN-on-Glass bitt verschidde Virdeeler, dorënnerKäschteeffizienzanbesser thermesch GestiounWärend GaN-op-Silizium a GaN-op-Saphir exzellent Leeschtung bidden, si Glassubstrater méi bëlleg, méi einfach verfügbar a personaliséierbar wat d'optesch an d'mechanesch Eegeschafte ugeet. Zousätzlech bidden GaN-op-Glas-Wafers exzellent Leeschtung a béide Beräicher.opteschanHéichleistungs-elektronesch Uwendungen.

Q2: Wat ass den Ënnerscheed tëscht JGS1, JGS2, BF33, an normale Quarzglasoptiounen?

A2:

  • JGS1anJGS2sinn héichqualitativ optesch Glassubstrater, déi fir hirhéich optesch Transparenzanniddreg thermesch Expansioundoduerch si se ideal fir photonesch an optoelektronesch Apparater.
  • BF33Glas Offerenméi héije Breechungsindexan ass ideal fir Uwendungen, déi eng verbessert optesch Leeschtung erfuerderen, wéi z.B.Laserdioden.
  • Gewéinleche Quarzliwwert héichthermesch StabilitéitanResistenz géint Stralung, wat et gëeegent mécht fir Uwendungen a rauen Ëmfeldbedingungen mat héijen Temperaturen.

Q3: Kann ech de Widderstand an den Dotierungstyp fir GaN-op-Glas-Waferen personaliséieren?

A3:Jo, mir biddenpersonaliséierbar WidderstandanDopingtypen(N-Typ oder P-Typ) fir GaN-op-Glas-Waferen. Dës Flexibilitéit erlaabt et, d'Waferen op spezifesch Uwendungen unzepassen, dorënner Energieversuergungsapparater, LEDs a photonesch Systemer.

Q4: Wat sinn déi typesch Uwendungen fir GaN-op-Glas an der Optoelektronik?

A4:An der Optoelektronik gi GaN-op-Glas-Wafers dacks benotzt firblo a gréng LEDs, UV-Laseren, anphotodetectorsDéi personaliséierbar optesch Eegeschafte vum Glas erlaben et Apparater mat héijerLiichttransmissioun, wat se ideal fir Uwendungen anDisplaytechnologien, Beliichtung, anoptesch Kommunikatiounssystemer.

Q5: Wéi funktionéiert GaN-op-Glas an Héichfrequenzapplikatiounen?

A5:GaN-op-Glas-Wafers Offerexzellent Elektronemobilitéit, wat hinnen erlaabt, gutt Leeschtungen anHéichfrequenzapplikatiounenwéi zum BeispillHF-Verstärker, Mikrowellenapparater, an5G KommunikatiounssystemerHir héich Duerchschlagspannung a niddreg Schaltverloschter maachen se gëeegent firHéichleistungs-RF-Geräter.

Q6: Wat ass déi typesch Duerchbrochspannung vu GaN-op-Glas-Waferen?

A6:GaN-op-Glas-Wafers ënnerstëtzen typescherweis Duerchbrochspannungen bis zu1200V, wat se gëeegent mécht firhéich LeeschtunganHéichspannungUwendungen. Hir grouss Bandlück erlaabt hinnen, méi héich Spannungen ze handhaben wéi konventionell Hallefleitmaterialien wéi Silizium.

Q7: Kënne GaN-op-Glas-Wafers an der Automobilindustrie benotzt ginn?

A7:Jo, GaN-op-Glas-Wafers ginn agesatAutomotive Power Electronics, dorënnerDC-DC Konverteranagebaute Ladegeräter(OBCs) fir Elektroautoen. Hir Fäegkeet, bei héijen Temperaturen ze funktionéieren an héich Spannungen ze handhaben, mécht se ideal fir dës usprochsvoll Uwendungen.

Conclusioun

Eis GaN op Glas 4-Zoll Wafere bidden eng eenzegaarteg a personaliséierbar Léisung fir eng Villfalt vun Uwendungen an der Optoelektronik, der Leeschtungselektronik an der Photonik. Mat Glassubstratoptiounen wéi JGS1, JGS2, BF33 an Ordinary Quartz bidden dës Wafere Vielfältegkeet a punkto mechaneschen an opteschen Eegeschaften, wat personaliséiert Léisunge fir Héichleistungs- an Héichfrequenzgeräter erméiglecht. Egal ob et sech ëm LEDs, Laserdioden oder HF-Uwendungen handelt, GaN-op-Glas Wafere...

Detailéiert Diagramm

GaN op Glas01
GaN op Glas02
GaN op Glas03
GaN op Glas08

  • Virdrun:
  • Weider:

  • Schreift Är Noriicht hei a schéckt se eis