GaN op Glas 4-Zoll: personaliséierbar Glasoptiounen abegraff JGS1, JGS2, BF33, an Ordinary Quartz

GaN op Glas 4-Zoll: Customizable Glass Optiounen abegraff JGS1, JGS2, BF33, an Ordinary Quartz Featured Image

Kuerz Beschreiwung:

EisGaN op Glass 4-Zoll Wafers Offer personaliséierbarGlas Substratoptiounen abegraff JGS1, JGS2, BF33, an Ordinary Quartz, entworf fir eng breet Palette vun Uwendungen an Optoelektronik, High-Power Geräter, a Photoniksystemer. Gallium Nitride (GaN) ass e breet Bandgap Hallefleit deen exzellent Leeschtung an Héichtemperaturen an Héichfrequenz Ëmfeld ubitt. Wann op Glas Substrate ugebaut, bitt GaN aussergewéinlech mechanesch Eegeschaften, verbessert Haltbarkeet, a kosteneffektiv Produktioun fir modernste Applikatiounen. Dës Wafere sinn ideal fir LEDs, Laserdioden, Photodetektoren an aner optoelektronesch Geräter ze benotzen, déi héich thermesch an elektresch Leeschtung erfuerderen. Mat ugepasste Glasoptiounen bidden eis GaN-op-Glas Wafere villsäiteg an héich performant Léisunge fir d'Bedierfnesser vun der moderner elektronescher a photonescher Industrie ze treffen.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Fonctiounen

● Breet Bandgap:GaN huet e 3.4 eV Bandgap, wat méi Effizienz a méi Haltbarkeet ënner Héichspannungs- an Héichtemperaturbedéngungen erlaabt am Verglach mat traditionelle Hallefleitmaterialien wéi Silizium.
● Customizable Glas Substrate:Verfügbar mat JGS1, JGS2, BF33, an Ordinary Quartz Glas Optiounen fir verschidden thermesch, mechanesch an optesch Leeschtungsufuerderungen ze këmmeren.
● Héich thermesch Konduktivitéit:Dem GaN seng héich thermesch Konduktivitéit suergt fir effektiv Wärmevergëftung, sou datt dës Wafere ideal sinn fir Kraaftapplikatiounen an Apparater déi héich Hëtzt generéieren.
● Héich Decompte Volt:Dem GaN seng Fäegkeet fir héich Spannungen z'erhalen mécht dës Wafere gëeegent fir Kraafttransistoren an Héichfrequenz Uwendungen.
● Excellent mechanesch Kraaft:D'Glassubstrater, kombinéiert mat GaN Eegeschaften, bidden robust mechanesch Kraaft, verbessert d'Haltbarkeet vum Wafer an usprochsvollen Ëmfeld.
● Reduzéiert Fabrikatiounskäschte:Am Verglach mat traditionelle GaN-on-Silicon oder GaN-on-Sapphire Wafers, GaN-on-Glas ass eng méi kosteneffektiv Léisung fir grouss Produktioun vu High-Performance-Geräter.
● Mooss optesch Eegeschaften:Verschidde Glasoptiounen erlaben d'Personaliséierung vun den opteschen Charakteristiken vum Wafer, sou datt et gëeegent ass fir Uwendungen an der Optoelektronik a Photonik.

Technesch Spezifikatioune

Parameter	Wäert
Wafer Gréisst	4 Zoll
Glas Substrat Optiounen	JGS1, JGS2, BF33, Gewéinlech Quarz
GaN Layer Dicke	100 nm - 5000 nm (personaliséierbar)
GaN Bandgap	3.4 eV (breet Bandgap)
Decompte Volt	Bis zu 1200V
Thermesch Konduktivitéit	1,3 – 2,1 W/cm·K
Elektronen Mobilitéit	2000 cm²/V·s
Wafer Surface Roughness	RMS ~0,25 nm (AFM)
GaN Blat Resistenz	437,9 Ω·cm²
Resistivitéit	Semi-isoléierend, N-Typ, P-Typ (personaliséierbar)
Optesch Transmissioun	>80% fir sichtbar an UV Wellelängten
Wafer Warp	< 25 µm (maximal)
Uewerfläch Finish	SSP (Single-side polished)

Uwendungen

Optoelektronik:
GaN-op-Glas Wafere gi wäit benotzt anLEDsanLaser Diodenwéinst GaN héich Effizienz an optesch Leeschtung. D'Kapazitéit fir Glassubstrater wéi zJGS 1anJGS 2erlaabt d'Personaliséierung an der optescher Transparenz, sou datt se ideal fir High-Power, High-Hellness sinnblo / gréng LEDsanUV Laser.

Photonik:
GaN-op-Glas wafers sinn ideal firphotodetectors, Photonic Integrated Circuit (PICs),an anoptesch Sensoren. Hir exzellent Liichttransmissionseigenschaften an héich Stabilitéit an Héichfrequenz Uwendungen maachen se gëeegent firKommunikatiounenanSensor Technologien.

Power Electronics:
Wéinst hirem breet Bandgap an héijer Ofbauspannung ginn GaN-op-Glas Wafere benotzt anhéich-Muecht Transistorenanhéich Frequenz Muecht Konversioun. GaN d'Fähegkeet héich voltages ze verschaffen an thermesch dissipation mécht et perfekt firMuecht Verstäerker, RF Kraaft Transistoren,an anMuecht elektroneschan Industrie- a Konsumentapplikatiounen.

Héich-Frequenz Uwendungen:
GaN-op-Glas wafers weisen excellentElektronen Mobilitéita kënne mat héije Schaltgeschwindegkeete funktionnéieren, sou datt se ideal sinn firhéich-Frequenz Muecht Apparater, Mikrowellengeräter,an anRF Verstärker. Dës sinn entscheedend Komponente an5G Kommunikatioun Systemer, Radar Systemer,an anSatellit Kommunikatioun.

Automotive Uwendungen:
GaN-op-Glas Wafere ginn och an Autosenergiesystemer benotzt, besonnesch anOnboard Charger (OBCs)anDC-DC Konverterfir elektresch Gefierer (EVs). D'Kapazitéit vun de Wafere fir héich Temperaturen a Spannungen ze handhaben erlaabt datt se an der Kraaftelektronik fir EVs benotzt ginn, wat méi Effizienz an Zouverlässegkeet ubitt.

Medizinesch Geräter:
D'Eegeschafte vum GaN maachen et och en attraktivt Material fir ze benotzenmedezinesch Imaginganbiomedizinesch Sensoren. Seng Fäegkeet fir mat héije Spannungen ze bedreiwen a seng Resistenz géint Stralung maachen et ideal fir Uwendungen andiagnostesch Ausrüstunganmedezinesch Laser.

Q&A

Q1: Firwat ass GaN-on-Glas eng gutt Optioun am Verglach zum GaN-on-Silicon oder GaN-on-Sapphire?

A1:GaN-op-Glas bitt verschidde Virdeeler, dorënnerKäschte-Effizienzanbesser thermesch Gestioun. Wärend GaN-on-Silicon a GaN-on-Sapphire exzellent Leeschtung ubidden, Glassubstrater si méi bëlleg, méi einfach verfügbar a personaliséierbar a punkto opteschen a mechanesche Eegeschaften. Zousätzlech bidden GaN-op-Glas Wafere exzellent Leeschtung a béidopteschanhéich-Muecht elektronesch Uwendungen.

Q2: Wat ass den Ënnerscheed tëscht JGS1, JGS2, BF33, an Ordinary Quartz Glas Optiounen?

A2:

JGS 1anJGS 2sinn héichwäerteg optesch Glas Substrate bekannt fir hirhéich optesch Transparenzanniddereg thermesch Expansioun, mécht se ideal fir photonesch an optoelektronesch Apparater.
BF33Glas bittméi héije Brechungsindexan ass ideal fir Uwendungen déi verstäerkte optesch Leeschtung erfuerderen, wéi zLaser Dioden.
Gewéinleche Quarzstellt héichthermesch StabilitéitanResistenz géint Stralung, sou datt et gëeegent ass fir héich Temperaturen an haart Ëmfeld Uwendungen.

Q3: Kann ech d'Resistivitéit an d'Dopingtyp fir GaN-op-Glas Wafere personaliséieren?

A3:Jo, mir biddenpersonaliséierbar ResistivitéitanDoping Zorte(N-Typ oder P-Typ) fir GaN-op-Glas wafers. Dës Flexibilitéit erlaabt datt d'Waferen op spezifesch Uwendungen ugepasst ginn, dorënner Kraaftapparaten, LEDs a photonesch Systemer.

Q4: Wat sinn déi typesch Uwendunge fir GaN-op-Glas an der Optoelektronik?

A4:An der Optoelektronik gi GaN-op-Glas Wafere allgemeng benotzt firblo a gréng LEDs, UV Laser,an anphotodetectors. Déi personaliséierbar optesch Eegeschafte vum Glas erlaben Apparater mat héijerLiicht Transmissioun, mécht se ideal fir Uwendungen anDisplay Technologien, Beliichtung,an anoptesch Kommunikatioun Systemer.

Q5: Wéi funktionéiert GaN-on-Glas an Héichfrequenz Uwendungen?

A5:GaN-op-Glas wafers Offerexcellent Elektronen Mobilitéit, erlaabt hinnen gutt ze Leeschtunge anhéich-Frequenz Uwendungenwéi zRF Verstärker, Mikrowellengeräter,an an5G Kommunikatioun Systemer. Hir héich Decompte Volt an niddereg schalt Verloschter maachen hinnen gëeegent firhéich-Muecht RF Apparater.

Q6: Wat ass déi typesch Decomptespannung vu GaN-op-Glas Wafers?

A6:GaN-op-Glas Wafer ënnerstëtzen typesch Decomptespannungen bis zu1200 V, mécht se gëeegent firhéich-Muechtanhéich-VoltUwendungen. Hir breet Bandgap erlaabt hinnen méi héich Spannungen ze handhaben wéi konventionell Hallefleitmaterialien wéi Silizium.

Q7: Kann GaN-op-Glas Waferen an Autosapplikatiounen benotzt ginn?

A7:Jo, GaN-op-Glas Wafere ginn benotztautomobile Muecht elektronesch, dorënnerDC-DC Konverteranon-board Ladegeräter(OBCs) fir elektresch Gefierer. Hir Fäegkeet fir bei héijen Temperaturen ze bedreiwen an héich Spannungen ze handhaben mécht se ideal fir dës exigent Uwendungen.

Conclusioun

Eis GaN op Glas 4-Zoll Wafers bidden eng eenzegaarteg an personaliséierbar Léisung fir eng Vielfalt vun Uwendungen an der Optoelektronik, Kraaftelektronik a Photonik. Mat Glassubstratoptiounen wéi JGS1, JGS2, BF33, an Ordinary Quartz, bidden dës Wafere Villsäitegkeet a béid mechanesch an optesch Eegeschaften, wat personaliséiert Léisunge fir High-Power- an High-Frequenz-Geräter erméiglecht. Ob fir LEDs, Laserdioden oder RF Uwendungen, GaN-op-Glas Wafers