GaN-op-Diamant-Waferen 4 Zoll 6 Zoll Gesamt Epi-Déckt (Mikron) 0,6 ~ 2,5 oder personaliséiert fir Héichfrequenzapplikatiounen
Eegeschaften
Wafergréisst:
Verfügbar an Duerchmiesser vu 4 Zoll an 6 Zoll fir eng villfälteg Integratioun a verschidde Prozesser vun der Hallefleederproduktioun.
Personnaliséierungsoptioune fir Wafergréisst verfügbar, ofhängeg vun de Bedierfnesser vum Client.
Epitaktesch Schichtdéckt:
Beräich: 0,6 µm bis 2,5 µm, mat Optioune fir personaliséiert Dicken baséiert op spezifeschen Uwendungsbedürfnisser.
Déi epitaktesch Schicht ass entwéckelt fir e qualitativ héichwäertegt GaN-Kristallwuesstum ze garantéieren, mat optiméierter Déckt fir Leeschtung, Frequenzgang an thermesch Gestioun auszebalancéieren.
Wärmeleitfäegkeet:
D'Diamantschicht bitt eng extrem héich Wärmeleitfäegkeet vun ongeféier 2000-2200 W/m·K, wat eng effizient Wärmeofleedung vun Héichleistungsgeräter garantéiert.
GaN Material Eegeschaften:
Breet Bandlück: D'GaN-Schicht profitéiert vun enger breeder Bandlück (~3,4 eV), déi de Betrib an haarden Ëmfeld, Héichspannung an héijen Temperaturen erméiglecht.
Elektronemobilitéit: Héich Elektronemobilitéit (ongeféier 2000 cm²/V·s), wat zu engem méi schnelle Schalten a méi héijen Operatiounsfrequenzen féiert.
Héich Duerchbrochspannung: D'Duerchbrochspannung vu GaN ass vill méi héich wéi déi vu konventionelle Hallefleitermaterialien, wat et fir energieintensiv Uwendungen gëeegent mécht.
Elektresch Leeschtung:
Héich Leeschtungsdicht: GaN-op-Diamond-Wafers erméiglechen eng héich Leeschtung mat behalendem klengem Formfaktor, perfekt fir Leeschtungsverstärker an HF-Systemer.
Niddreg Verloschter: D'Kombinatioun vun der Effizienz vu GaN an der Hëtzeofleedung vun Diamant féiert zu méi niddrege Stroumverloschter während dem Betrib.
Uewerflächenqualitéit:
Héichqualitativt epitaktesch Wuesstum: D'GaN-Schicht gëtt epitaktesch um Diamantsubstrat gewuess, wat eng minimal Dislokatiounsdicht, eng héich kristallin Qualitéit an eng optimal Leeschtung vum Apparat garantéiert.
Eenheetlechkeet:
Déckt- a Zesummesetzungsuniformitéit: Souwuel d'GaN-Schicht wéi och den Diamantsubstrat behalen eng exzellent Uniformitéit, déi entscheedend ass fir eng konsequent Leeschtung a Zouverlässegkeet vum Apparat.
Chemesch Stabilitéit:
Souwuel GaN wéi och Diamant bidden aussergewéinlech chemesch Stabilitéit, wat et dëse Waferen erlaabt, zouverlässeg an haarde chemeschen Ëmfeld ze funktionéieren.
Uwendungen
HF-Leeschtungsverstärker:
GaN-op-Diamond-Wafere si ideal fir HF-Leeschtungsverstärker an der Telekommunikatioun, Radarsystemer a Satellittekommunikatioun, a bidden souwuel héich Effizienz wéi och Zouverlässegkeet bei héije Frequenzen (z.B. 2 GHz bis 20 GHz a méi).
Mikrowellenkommunikatioun:
Dës Wafere exceléiere a Mikrowellenkommunikatiounssystemer, wou eng héich Leeschtung a minimal Signalverschlechterung entscheedend sinn.
Radar- a Sensortechnologien:
GaN-on-Diamond-Wafere gi wäit verbreet a Radarsystemer benotzt a bidden eng robust Leeschtung an Héichfrequenz- an Héichleistungsapplikatiounen, besonnesch am Militär-, Automobil- a Loftfaartsektor.
Satellitsystemer:
A Satellittekommunikatiounssystemer garantéieren dës Waferen d'Haltbarkeet an déi héich Leeschtung vun Leeschtungsverstärker, déi fäeg sinn, ënner extremen Ëmweltbedingungen ze funktionéieren.
Héichleistungselektronik:
D'Wärmemanagementfäegkeete vu GaN-on-Diamond maachen se gëeegent fir Héichleistungselektronik, wéi Stroumwandler, Inverter a Solid-State-Relais.
Thermesch Gestiounssystemer:
Wéinst der héijer thermescher Leetfäegkeet vum Diamant kënnen dës Waferen an Uwendungen benotzt ginn, déi e robust Wärmemanagement erfuerderen, wéi zum Beispill Héichleistungs-LED- a Lasersystemer.
Q&A fir GaN-on-Diamond Wafers
Q1: Wat ass de Virdeel vun der Benotzung vu GaN-on-Diamond-Waferen an Héichfrequenzapplikatiounen?
A1:GaN-on-Diamond-Wafers kombinéieren déi héich Elektronemobilitéit an déi grouss Bandlück vu GaN mat der aussergewéinlecher Wärmeleitfäegkeet vum Diamant. Dëst erméiglecht et Héichfrequenz-Apparater, mat méi héijen Leeschtungsniveauen ze funktionéieren, wärend se gläichzäiteg effektiv d'Hëtzt verwalten, wat eng méi grouss Effizienz a Zouverlässegkeet am Verglach mat traditionelle Materialien garantéiert.
Q2: Kënnen GaN-on-Diamond-Waferen fir spezifesch Leeschtungs- a Frequenzufuerderunge personaliséiert ginn?
A2:Jo, GaN-on-Diamond-Wafere bidden personaliséierbar Optiounen, dorënner epitaktesch Schichtdicke (0,6 µm bis 2,5 µm), Wafergréisst (4 Zoll, 6 Zoll) an aner Parameteren baséiert op spezifeschen Applikatiounsbedürfnisser, wat Flexibilitéit fir Héichleistungs- an Héichfrequenzapplikatioune bitt.
Q3: Wat sinn déi wichtegst Virdeeler vun Diamant als Substrat fir GaN?
A3:Déi extrem thermesch Leetfäegkeet vum Diamond (bis zu 2200 W/m·K) hëlleft d'Hëtzt, déi vun héichleeschtende GaN-Geräter generéiert gëtt, effizient ofzebauen. Dës thermesch Gestiounsfäegkeet erlaabt et GaN-on-Diamond-Geräter, bei méi héijen Leeschtungsdichten a Frequenzen ze funktionéieren, wat eng verbessert Leeschtung an eng laang Liewensdauer vun den Apparater garantéiert.
Q4: Sinn GaN-op-Diamond-Wafere fir Weltraum- oder Loftfaartapplikatioune gëeegent?
A4:Jo, GaN-op-Diamond-Wafere si gutt geegent fir Weltraum- a Loftfaartapplikatioune wéinst hirer héijer Zouverlässegkeet, hire thermesche Managementfäegkeeten a Leeschtung ënner extremen Bedingungen, wéi héijer Stralung, Temperaturschwankungen a Betrib mat héijer Frequenz.
Q5: Wat ass déi erwaart Liewensdauer vun Apparater, déi aus GaN-on-Diamond-Waferen hiergestallt sinn?
A5:D'Kombinatioun vun der inherenter Haltbarkeet vu GaN an den aussergewéinleche Wärmeofleedungseigenschaften vum Diamant resultéiert an enger laanger Liewensdauer vun den Apparater. GaN-on-Diamond-Apparater sinn entwéckelt fir a rauen Ëmfeld a mat héijer Leeschtung mat minimaler Verschlechterung mat der Zäit ze funktionéieren.
Q6: Wéi beaflosst d'Wärmeleitfäegkeet vum Diamant d'Gesamtleistung vu GaN-op-Diamant-Waferen?
A6:Déi héich thermesch Konduktivitéit vum Diamant spillt eng entscheedend Roll bei der Verbesserung vun der Leeschtung vu GaN-op-Diamond-Waferen, andeems d'Hëtzt, déi an Uwendungen mat héijer Leeschtung generéiert gëtt, effizient ofgeleet gëtt. Dëst garantéiert, datt d'GaN-Komponenten eng optimal Leeschtung behalen, den thermesche Stress reduzéieren an Iwwerhëtzung vermeiden, wat eng heefeg Erausfuerderung bei konventionelle Hallefleederkomponenten ass.
Q7: Wat sinn déi typesch Uwendungen, wou GaN-on-Diamond-Waferen aner Hallefleedermaterialien iwwertrëffen?
A7:GaN-on-Diamond-Wafers iwwerträifen aner Materialien an Uwendungen, déi eng héich Leeschtungsbehandlung, en Héichfrequenzbetrib an effizient Wärmemanagement erfuerderen. Dëst beinhalt HF-Leeschtungsverstärker, Radarsystemer, Mikrowellenkommunikatioun, Satellittekommunikatioun an aner Elektronik mat héijer Leeschtung.
Conclusioun
GaN-on-Diamond-Wafers bidden eng eenzegaarteg Léisung fir Héichfrequenz- an Héichleistungsapplikatiounen, andeems se déi héich Leeschtung vu GaN mat den aussergewéinleche thermesche Eegeschafte vum Diamant kombinéieren. Mat personaliséierbare Funktiounen sinn se entwéckelt fir den Ufuerderunge vun Industrien ze erfëllen, déi eng effizient Energieversuergung, Wärmemanagement an Héichfrequenzbetrieb erfuerderen, fir Zouverlässegkeet a Liewensdauer an usprochsvollen Ëmfeld ze garantéieren.
Detailéiert Diagramm
