GaN-on-Diamond Wafers 4 Zoll 6 Zoll Gesamt Epidicke (Mikron) 0,6 ~ 2,5 oder personaliséiert fir Héichfrequenz Uwendungen
Eegeschaften
Wafer Gréisst:
Verfügbar a 4-Zoll a 6-Zoll Duerchmiesser fir villsäiteg Integratioun a verschidde Hallefleitfabrikatiounsprozesser.
Personnalisatioun Optiounen sinn fir wafer Gréisst, je Client Ufuerderunge.
Epitaxial Layer Dicke:
Gamme: 0,6 µm bis 2,5 µm, mat Optiounen fir personaliséiert Dicken baséiert op spezifesche Applikatiounsbedürfnisser.
D'Epitaxialschicht ass entwéckelt fir qualitativ héichwäerteg GaN Kristallwachstum ze garantéieren, mat optiméierter Dicke fir Kraaft, Frequenzreaktioun an thermesch Gestioun ze balanséieren.
Thermesch Konduktivitéit:
Diamantschicht stellt eng extrem héich thermesch Konduktivitéit vun ongeféier 2000-2200 W / m · K, fir eng effizient Wärmevergëftung vu High-Power-Apparater ze garantéieren.
GaN Material Properties:
Breet Bandgap: D'GaN Schicht profitéiert vun engem breet Bandgap (~ 3.4 eV), wat et erlaabt an haarden Ëmfeld, Héichspannung an Héichtemperaturbedéngungen ze bedreiwen.
Elektronemobilitéit: Héich Elektronemobilitéit (ongeféier 2000 cm²/V·s), wat zu méi séier Schalten a méi héije Betribsfrequenzen féiert.
Héich Decompte Spannung: D'GaN Decompte Spannung ass vill méi héich wéi konventionell Hallefleitmaterialien, sou datt et gëeegent ass fir Stroumintensiv Uwendungen.
Elektresch Leeschtung:
Héich Power Density: GaN-on-Diamond Wafers erméiglechen héich Kraaftoutput wärend e klenge Formfaktor behalen, perfekt fir Kraaftverstärker a RF Systemer.
Niddereg Verloschter: D'Kombinatioun vun der Effizienz vum GaN an der Wärmevergëftung vum Diamant féiert zu méi nidderegen Kraaftverloscht während der Operatioun.
Uewerfläch Qualitéit:
Héichqualitativ Epitaxial Wuesstum: D'GaN Schicht gëtt epitaxial um Diamantsubstrat ugebaut, a garantéiert eng minimal Dislokatiounsdicht, héich kristallin Qualitéit an eng optimal Gerätperformance.
Uniformitéit:
Dicke a Kompositiounsuniformitéit: Souwuel d'GaN-Schicht wéi och den Diamant-Substrat behalen exzellent Uniformitéit, kritesch fir konsequent Apparatleistung an Zouverlässegkeet.
Chemesch Stabilitéit:
Béid GaN an Diamant bidden aussergewéinlech chemesch Stabilitéit, wat dës Wafer erlaabt zouverlässeg an haart chemeschen Ëmfeld ze Leeschtunge.
Uwendungen
RF Power Amplifiers:
GaN-on-Diamond Wafers sinn ideal fir RF Kraaftverstärker an Telekommunikatioun, Radarsystemer a Satellitekommunikatioun, déi souwuel héich Effizienz an Zouverlässegkeet bei héijer Frequenzen ubidden (zB 2 GHz bis 20 GHz an doriwwer eraus).
Mikrowelle Kommunikatioun:
Dës Wafere excel a Mikrowellekommunikatiounssystemer, wou héich Kraaftoutput a minimal Signaldegradatioun kritesch sinn.
Radar a Sensing Technologien:
GaN-on-Diamond Wafere gi wäit an Radarsystemer benotzt, déi robust Leeschtung an Héichfrequenz- an Héichkraaftapplikatiounen ubidden, besonnesch a Militär-, Autos- a Raumfaartsecteuren.
Satellit Systemer:
A Satellittekommunikatiounssystemer garantéieren dës Wafer d'Haltbarkeet an d'Héichleistung vu Kraaftverstärker, déi fäeg sinn an extremen Ëmweltbedéngungen ze bedreiwen.
High-Power Elektronik:
D'thermesch Gestiounsfäegkeete vu GaN-on-Diamond maachen se gëeegent fir High-Power Elektronik, wéi Kraaftkonverter, Inverter a Solid-State Relais.
Thermesch Management Systemer:
Wéinst der héijer thermescher Konduktivitéit vum Diamant kënnen dës Waferen an Uwendungen benotzt ginn, déi robust thermesch Gestioun erfuerderen, sou wéi High-Power LED a Lasersystemer.
Q&A fir GaN-on-Diamond Wafers
Q1: Wat ass de Virdeel vu GaN-on-Diamond Wafers an Héichfrequenz Uwendungen ze benotzen?
A1:GaN-on-Diamond Wafers kombinéieren déi héich Elektronemobilitéit a breet Bandgap vu GaN mat der aussergewéinlecher thermescher Konduktivitéit vum Diamant. Dëst erlaabt héichfrequenz Geräter op méi héije Kraaftniveauen ze bedreiwen wärend effektiv Hëtzt verwalten, fir méi Effizienz an Zouverlässegkeet am Verglach mat traditionelle Materialien ze garantéieren.
Q2: Kann GaN-on-Diamond Wafere fir spezifesch Kraaft a Frequenz Ufuerderunge personaliséiert ginn?
A2:Jo, GaN-on-Diamond Wafere bidden personaliséierbar Optiounen, dorënner epitaxial Schichtdicke (0.6 µm bis 2.5 µm), Wafergréisst (4-Zoll, 6-Zoll), an aner Parameteren op Basis vu spezifesche Applikatiounsbedürfnisser, déi Flexibilitéit fir Héichkraaft an Héichfrequenz Uwendungen ubidden.
Q3: Wat sinn d'Haaptvirdeeler vum Diamant als Substrat fir GaN?
A3:Dem Diamant seng extrem thermesch Konduktivitéit (bis zu 2200 W/m·K) hëlleft effizient Hëtzt ze verleeden generéiert duerch héichkraaft GaN-Geräter. Dës thermesch Gestiounsfäegkeet erlaabt GaN-on-Diamond-Geräter mat méi héije Kraaftdichten a Frequenzen ze bedreiwen, fir eng verbessert Geräterleistung a Liewensdauer ze garantéieren.
Q4: Sinn GaN-on-Diamond Wafere gëeegent fir Raum- oder Raumfaartapplikatiounen?
A4:Jo, GaN-on-Diamond Wafere si gutt gëeegent fir Raum- a Raumfaartapplikatiounen wéinst hirer héijer Zouverlässegkeet, thermescher Gestiounsfäegkeeten, a Performance an extremen Konditiounen, wéi héich Stralung, Temperaturvariatioune, an Héichfrequenz Operatioun.
Q5: Wat ass déi erwaart Liewensdauer vun Apparater aus GaN-on-Diamond Wafers?
A5:D'Kombinatioun vun der inherenter Haltbarkeet vum GaN an dem Diamant seng aussergewéinlech Hëtztvergëftungseigenschaften resultéiert zu enger laanger Liewensdauer fir Apparater. GaN-on-Diamond Geräter sinn entwéckelt fir an haarden Ëmfeld an héich Kraaftbedéngungen mat minimaler Degradatioun iwwer Zäit ze bedreiwen.
Q6: Wéi beaflosst d'thermesch Konduktivitéit vum Diamant d'Gesamtleistung vu GaN-on-Diamond Wafers?
A6:Déi héich thermesch Konduktivitéit vum Diamant spillt eng kritesch Roll fir d'Performance vu GaN-on-Diamond Wafers ze verbesseren andeems d'Hëtzt, déi an Héichkraaftapplikatiounen generéiert gëtt, effizient geleet gëtt. Dëst garantéiert datt d'GaN-Geräter optimal Leeschtung behalen, thermesch Stress reduzéieren an Iwwerhëtzung vermeiden, wat eng gemeinsam Erausfuerderung bei konventionellen Hallefleitgeräter ass.
Q7: Wat sinn déi typesch Uwendungen wou GaN-on-Diamond Wafere méi wéi aner Hallefleitmaterialien ausféieren?
A7:GaN-on-Diamond Wafers iwwertreffen aner Materialien an Uwendungen déi héich Kraafthandhabung, Héichfrequenz Operatioun an effizient thermesch Gestioun erfuerderen. Dëst beinhalt RF Kraaftverstärker, Radarsystemer, Mikrowellekommunikatioun, Satellitekommunikatioun an aner High-Power Elektronik.
Conclusioun
GaN-on-Diamond Wafers bidden eng eenzegaarteg Léisung fir Héichfrequenz- an Héichkraaftapplikatiounen, déi d'Héichleistung vu GaN mat den aussergewéinlechen thermesche Properties vum Diamant kombinéiert. Mat personaliséierbaren Features si se entwéckelt fir d'Bedierfnesser vun den Industrien z'erreechen, déi effizient Energieversuergung, thermesch Gestioun an Héichfrequenz Operatioun erfuerderen, fir Zouverlässegkeet an Liewensdauer an usprochsvollen Ëmfeld ze garantéieren.
Detailléiert Diagramm
