GaN Epitaxie-Wafer
-
GaN op Glas 4-Zoll: Personaliséierbar Glasoptiounen, dorënner JGS1, JGS2, BF33 a gewéinleche Quarz
-
Galliumnitrid op Siliziumwafer 4 Zoll 6 Zoll Moossgeschneidert Si-Substrat Orientéierung, Widderstand an N-Typ/P-Typ Optiounen
-
Personnaliséiert GaN-op-SiC epitaxial Waferen (100mm, 150mm) – Verschidde SiC Substratoptiounen (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)
-
GaN-op-Diamant-Waferen 4 Zoll 6 Zoll Gesamt Epi-Déckt (Mikron) 0,6 ~ 2,5 oder personaliséiert fir Héichfrequenzapplikatiounen